憑借英飛凌在電力電子領域的專業(yè)知識和眾多寬禁帶 (WBG) 相關 IP 產(chǎn)品系列,高壓 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 代表著一項重大工程進步。這些非常耐用、可靠的器件大大改善了即將實現(xiàn)的功率轉換開關器件的品質因數(shù) (FoM)。這些器件系統(tǒng)性能出色——實現(xiàn)了更高水平的效率及行業(yè)領先的功率密度,還降低了整體系統(tǒng)成本。

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高壓 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鑒定
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公司介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術。英飛凌的業(yè)務遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。
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