本文將探討增強(qiáng)型 GaN HEMT 在服務(wù)器電源和電信基礎(chǔ)設(shè)施等高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢。與下一代最佳硅替代品相比,本文將定量地展示,基于 GaN 功率器件的系統(tǒng)能有多大提升。本文還將深入探討相應(yīng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、磁性器件選擇及開關(guān)頻率,以充分利用下一代功率器件的優(yōu)勢。

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服務(wù)器和電信應(yīng)用中的氮化鎵技術(shù)
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本文將探討增強(qiáng)型 GaN HEMT 在服務(wù)器電源和電信基礎(chǔ)設(shè)施等高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢。與下一代最佳硅替代品相比,本文將定量地展示,基于 GaN 功率器件的系統(tǒng)能有多大提升。本文還將深入探討相應(yīng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、磁性器件選擇及開關(guān)頻率,以充分利用下一代功率器件的優(yōu)勢。
公司介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。
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