“國(guó)家隊(duì)”新作，武漢新芯12寸廠終于要建起來(lái)了

小編語(yǔ)：國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片這個(gè)項(xiàng)目曾經(jīng)吸引了國(guó)內(nèi)多個(gè)城市競(jìng)爭(zhēng)，去年確定落戶武漢市，由武漢新芯公司負(fù)責(zé)建設(shè)、運(yùn)營(yíng)。值得一提的是，在競(jìng)爭(zhēng)中落敗的合肥市并沒(méi)有放棄，他們聯(lián)合了前爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄設(shè)立的兆基科技公司投資 8000 億日元在合肥建造另外的存儲(chǔ)芯片廠，國(guó)內(nèi)一下子要造出兩個(gè)存儲(chǔ)芯片基地了，這感覺(jué)有點(diǎn)像物聯(lián)網(wǎng)概念甚囂塵上之時(shí)國(guó)內(nèi)多個(gè)城市物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園的大興土木，但是，結(jié)果呢，希望這一次的大搞存儲(chǔ)芯片能給我們產(chǎn)出更多有價(jià)值的東西……

大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯 28 日將舉行旗下首座 12 寸 DRAM 廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金（大基金）支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。

這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購(gòu)多家國(guó)際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此 12 寸 DRAM 廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。

業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍 LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴(kuò)產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)、供過(guò)于求的窘境。

武漢新芯進(jìn)軍 DRAM 產(chǎn)業(yè)，大舉建廠，加上紫光和合肥市政府后續(xù)也都有意在大陸蓋 DRAM 廠，反映大陸力攻記憶體的旺盛企圖心，是否會(huì)讓 DRAM 產(chǎn)業(yè)重蹈 LED、面板、觸控的覆轍， 使市場(chǎng)陷入紅海，乃至威脅南亞科、華邦等中國(guó)臺(tái)灣廠商，都不容小覷。

據(jù)悉，武漢新芯稍早也曾爭(zhēng)取與三星、SK 海力士及美光等大廠技術(shù)合作，但未獲三大廠同意，武漢新芯因而改采自主研發(fā)與蓋廠方式進(jìn)行。

DRAM 專業(yè)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示，武漢新芯成立于 2006 年，是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項(xiàng)目，先前曾與大陸晶圓代工龍頭中芯國(guó)際一起營(yíng)運(yùn)中芯旗下的一座十二寸廠。隨著中芯 2013 年退出合作，武漢新芯獨(dú)立為單一公司，由武漢市政府負(fù)責(zé)，經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)多具備國(guó)際半導(dǎo)體公司歷練背景。

集邦匯整的資料顯示，武漢新芯仍持續(xù)主導(dǎo)從中芯手中接下的十二寸廠生產(chǎn)，目前主要品以編碼型快閃記憶體（NOR Flash）為主，并進(jìn)軍 3D NAND 晶片技術(shù)研發(fā)，未來(lái)將打造至少二座以上十二寸晶圓廠的中國(guó)大陸記憶體晶片制造基地。

武漢新芯后來(lái)并獲得大陸國(guó)家大基金支持，將籌資二百四十億美元（約新臺(tái)幣七千八百億元），長(zhǎng)期建立月產(chǎn)能高達(dá)卅萬(wàn)片的十二寸廠，生產(chǎn) DRAM、NAND Flash 等關(guān)鍵記憶體產(chǎn)品。