芯耀
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武漢“新芯”投資 240 億美元啟動(dòng)存儲(chǔ)器項(xiàng)目己引起全球的熱議，加上紫光的存儲(chǔ)器項(xiàng)目，雖然尚未正式落子，但是它的計(jì)劃幾乎己成定局，投資近 100 億美元，由紫光國(guó)芯操刀。如今又冒出代工的雙雄之一的聯(lián)電，它與福建泉州合作準(zhǔn)備邁入利基型存儲(chǔ)器的代工行列。這樣全球頂級(jí)公司包括三星，英特爾，海力士等，加上國(guó)內(nèi)有武漢“新芯”，紫光國(guó)芯，還可能再有合肥的項(xiàng)目以及泉州的聯(lián)電的存儲(chǔ)器代工都聚集中國(guó)。
業(yè)界關(guān)切的問題是全球存儲(chǔ)器業(yè)自 1999 年始，歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家數(shù)量上己經(jīng)越來越少，在 DRAM 塊，剩下三家,包括三星，海力士及美光(它于 2012 年兼并日本的爾必達(dá)),以及在 NAND 塊剩下四組,分別為三星，東芝 / 新帝,海力士以及美光 / 英特爾。盡管中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)尚有幾家，但由于實(shí)力不濟(jì)，紛紛依附于美光，或者轉(zhuǎn)型代工。其中一個(gè)鮮明的事實(shí)是從未再有“新進(jìn)者“呈現(xiàn)。
三星及海力士?jī)杉覊艛嗟木置婕航?jīng)持續(xù)多年，三星己連續(xù) 24 年稱霸全球。如依 2015 年計(jì)，韓國(guó)的 DRAM 及 NAND 全球市場(chǎng)份額分別達(dá) 73%%及 43.7%。如果從存儲(chǔ)器的周期性計(jì)，在 2001 至 2010 年期間，僅三星和海力士?jī)杉矣?80 億美元，而其它諸廠累積虧損達(dá) 130 億美元。反映全球存儲(chǔ)器業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，以及壟斷格局己成定局。
在這樣的大背景下，為什么會(huì)有那么多新建全球存儲(chǔ)器廠再次聚集于中國(guó)，以及未來對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)會(huì)產(chǎn)生什么影響和中國(guó)要上馬建多條存儲(chǔ)器生產(chǎn)線嗎？
冷靜思考
中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)器業(yè)是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，是芯片制造業(yè)向上突破的重要一環(huán)。但是在現(xiàn)階段由于諸多結(jié)構(gòu)性的矛盾尚未系統(tǒng)的解決，要避免“熱點(diǎn)“項(xiàng)目不跟風(fēng)上馬是困難的，尤其是不少地方政府的熱情未減。
全球存儲(chǔ)器業(yè)己趨成熟，每年 DRAM 及 NAND 銷售額近 750 億美元，至今尚未有替代品呈現(xiàn)。有報(bào)道稱目前 3D NAND Flash 主流產(chǎn)品容量是 256Gb，單價(jià)約 10 美元，相較于傳統(tǒng) 2D NAND Flash 容量 128Gb 產(chǎn)品單價(jià)僅 4~5 美元，3D NAND Flash 單位容量?jī)r(jià)格依然偏高，不過，隨著市場(chǎng)上大容量芯片貨源快速增加，削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)火一觸即發(fā)，一旦 3D NAND Flash 產(chǎn)品良率與容量有效拉升，將快速取代傳統(tǒng) 2D NAND Flash 市場(chǎng)。
如今 3D NAND 的熱潮興起，在三星帶領(lǐng)下今年將成為投資的熱點(diǎn)之一。
因此。除了國(guó)際大廠在中國(guó)獨(dú)資建廠之外，它們的目的無非是為了更接近于客戶，瞄準(zhǔn)未來大數(shù)據(jù)，服務(wù)器及物聯(lián)網(wǎng)等中國(guó)的大市場(chǎng)，以及希望地方政府能提供更多的優(yōu)惠政策與補(bǔ)貼。其余的，包括多個(gè)穿上“馬甲”的地方政府項(xiàng)目，它們的目的幾乎差不多，迎合地方政府的“需要”。它們基本上都是拿中國(guó)人的錢來“玩“，自身很少出資。因此必須要密切關(guān)注未來項(xiàng)目的潛在風(fēng)險(xiǎn)。
中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展面臨的問題十分復(fù)雜，不向前走是肯定不對(duì)的，但是怎么走得穩(wěn)妥，少些彎路又顯得是十分重要。
如今普遍的與論是中國(guó)每年消耗全球 DRAM+NAND 的 30%-40%，約 300 億美元，因此上馬建存儲(chǔ)器生產(chǎn)線幾條也只能滿足需求的 10-20%。其實(shí)這樣的邏輯是不夠全面與客觀，它可能會(huì)引發(fā)未來中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)能的過剩。因?yàn)槭袌?chǎng)是沒有國(guó)界，中國(guó)處于全球化市場(chǎng)之中。只有中國(guó)生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片能夠產(chǎn)生銷售額，有足夠的利潤(rùn)才是符合市場(chǎng)化規(guī)則。如果產(chǎn)品在性能，尤其是價(jià)格方面無法與三星等相抗衡，產(chǎn)品就一定會(huì)積壓，中國(guó)的存儲(chǔ)器生產(chǎn)線會(huì)面臨巨大的虧損，迫使生產(chǎn)線無法持續(xù)下去。
因此如今要上馬存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要應(yīng)該支持，但是現(xiàn)階段理當(dāng)主要依靠國(guó)家資金的投入，其它諸如紫光等民營(yíng)資本，它們的精神可嘉，值得敬重。然而它們的一切投資行為要對(duì)股民負(fù)責(zé)，因此是有約束力的。這里建議它們不一定非要馬上從芯片制造入手。至于許多地方政府的項(xiàng)目，盡管都披上了“馬甲“，但是由于這些項(xiàng)目的風(fēng)險(xiǎn)實(shí)在太大，資金量投入多。之前中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)上馬存儲(chǔ)器的雄心與條件相比我們要強(qiáng)許多，結(jié)果也不能算成功。因此現(xiàn)階段中國(guó)存儲(chǔ)器制造生產(chǎn)線只能先由國(guó)家來主導(dǎo)開局，集中優(yōu)勢(shì)兵力取得好的結(jié)果，而其它業(yè)者不該來負(fù)責(zé)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的道義上責(zé)任。
另一個(gè)業(yè)界關(guān)切的問題是未來可能的專利糾紛，及技術(shù)上的合作伙伴，人材等問題。全球半導(dǎo)體業(yè)中每年的專利糾紛不斷，專利技術(shù)互相交叉，試圖躲避幾乎是不可能，這也是半導(dǎo)體業(yè)中的特征之一。觀察”新芯”反復(fù)強(qiáng)調(diào)它己與 Spansion 合作，覺得可能尚存風(fēng)險(xiǎn)。因?yàn)?Spansion 可能擁有的是 NAND 閃存中的 trap 型專利技術(shù)，有別于傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu),但是它在 3D NAND 中并沒有見到有產(chǎn)品。
全球 NAND 供應(yīng)商有四組人馬,三星，skHynix,東芝 /Sandisk 及美光 /intel,其中韓國(guó)占比達(dá) 43.7%。而在 3D NAND 方面三星一家的占比已達(dá) 40%,技術(shù)上遙遙領(lǐng)先,西安三星廠生產(chǎn) 3D? V NAND,目前月產(chǎn)能己達(dá) 60,000-70,000 片，今年計(jì)劃擴(kuò)充至設(shè)計(jì)值 100,000 片。它的西安廠 2015 年產(chǎn)值己達(dá) 150 億元以上。
合作伙伴難尋
回顧那些處理器技術(shù)授權(quán)于中國(guó)并不陌生，是它們的策略之一，如早期的有 AMD 在 10 年之前所謂”轉(zhuǎn)讓技術(shù)”給北大眾志，以及 2014 年 11 月國(guó)內(nèi) IT 廠商華勝天成與 IBM 公司達(dá)成合作，前者將消化和吸收 IBM 公司的 POWER 芯片技術(shù)，研發(fā)高端服務(wù)器產(chǎn)品。但是這么長(zhǎng)時(shí)間來，所謂“轉(zhuǎn)讓技術(shù)”未見有太多的真正的實(shí)效。
近期的合作項(xiàng)目更吸引眼球，包括如英特爾與清華，瀾起的合作;高通的合資企業(yè)，在貴州的華芯通;以及 AMD 又與中科海光投資公司合資，并收取 2.93 億美元授權(quán)費(fèi),及未來在合資公司中提取銷售版稅。
仔細(xì)分析其中的源由是這些合資協(xié)議或許都不涉及 X86 指令集的授權(quán)，而只是 AMD 設(shè)計(jì)內(nèi)核的使用授權(quán)，就像公版 ARM 一樣，企業(yè)可以自己架構(gòu)，對(duì)于美國(guó)政府也就像賣 CPU 產(chǎn)品一樣。但是由于我們不知合作詳情，此次是付了 2.93 億美元的授權(quán)費(fèi)，應(yīng)該與之前的會(huì)有所不同。然而在存儲(chǔ)器產(chǎn)品方面卻完全不一樣，沒有一家頂級(jí)大廠愿意成為中方的技術(shù)合作伙伴，由此也表明如果中國(guó)真的下定決心投資，不畏虧損，能堅(jiān)持下去，可能有成功的希望。因此它們整體上都采取袖手旁觀，都不愿意見到中國(guó)將成為它們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
中國(guó)試圖在 3D NAND 方面進(jìn)行突破，思路是先導(dǎo)。今天不管有沒有技術(shù)合作伙伴，也要昂首前行。關(guān)鍵在于如何進(jìn)行，其中首位要選對(duì)領(lǐng)軍人物。除了專利問題之外，工藝技術(shù)的難度不少，如三星的最新 3D VNAND，48 層，每層厚度僅 40 微米。近期韓國(guó)媒體言，三星在技術(shù)上至少領(lǐng)先中國(guó)有 3-5 年。存儲(chǔ)器業(yè)的進(jìn)步快，價(jià)格下降是個(gè)殺手锏，是無法避開的。另外，由于是國(guó)有體制下的項(xiàng)目，需要高強(qiáng)度的投資，而且是持續(xù)的投資，相信能夠在虧損時(shí)期仍能堅(jiān)持下去是十分必要的。
在容量密度上，3D NAND 閃存比 2D 平面工藝強(qiáng)很多
馬拉松賽跑
頂級(jí)大廠聚集中國(guó)，對(duì)于我們肯定是個(gè)大挑戰(zhàn)，至少在爭(zhēng)奪人力資源等方面對(duì)于我們十分不利。另外實(shí)際上中國(guó)市場(chǎng)是全球的，未來各類存儲(chǔ)器產(chǎn)品在本土都有產(chǎn)出，幾乎沒有差異化可言，所以我們并不占太多的優(yōu)勢(shì)，未來的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)更加殘酷與無情。因此思想上要有清醒的認(rèn)識(shí),未來的競(jìng)爭(zhēng)是一場(chǎng)實(shí)力的較量,其中一定要少走”捷徑”，踏踏實(shí)實(shí)的循序前進(jìn)。
之前暫時(shí)的落后如今要迎頭趕上去，尤如參加一場(chǎng)馬拉松賽跑，中國(guó)不參與進(jìn)去是一點(diǎn)希望都沒有。至于在短時(shí)期勇奪第一或者第二尚不敢胡言，但是一定要鼓足勇氣,樹立信心盡最大的可能跑在前列方陣中，把差距縮到最小。
