三星/SK海力士/美光技術(shù)實力分析，中國存儲新勢力晉華/長江存儲/長鑫還有哪些機會

同時，SK 海力士將于今年 9 月底在清州完成新晶圓廠的潔凈室建設?？紤]到潔凈室中的設備設置時間，新晶圓廠預計將從明年年初開始投入生產(chǎn)。此外，無錫晶圓廠的潔凈室空間擴建計劃將于今年年底完成?！?/em>

顯然，SK 海力士將繼續(xù)在工藝上取得進展，并投資增加產(chǎn)能和獲得市場份額。在 2017 年的高光歲月里，當 DRAM 和 NAND 芯片供不應求時，一家公司的收入增長是個所有人都歡迎的好消息，這意味著需求持續(xù)增長，從而能夠帶動競爭對手的營收增長。

三星電子的財務狀況
三星的財務數(shù)據(jù)如圖 3 所示，但不包括剛剛報告的 2018 年第二季度數(shù)據(jù)。該圖表明，雖然存儲器行業(yè)似乎正在同步發(fā)展，但是實際上，如果比較 SK 海力士（圖 2）和三星電子（圖 3）的情形，他們的增長并不同步。

圖 3

比如，SK 海力士 2017 年的 DRAM 出貨量同比增長了 25.2%，平均銷售價格上漲了 53.1%，而三星電子的 DRAM 出貨量僅增長了 16%，平均銷售價格漲幅也低于 SK 海力士，為 44.8%。

NAND 部門的差異更加明顯，SK 海力士 2017 年 NAND 產(chǎn)品的位出貨量同比增長了 17.1%，平均售價增長了 35.1%，而三星的 NAND 位出貨量增長了 26.4%，平均銷售價格增長僅為 19.1%。

市場份額
這些公司之間的另一個差異是市場份額占比。三星在 DRAM 市場中的份額從 2016 年第三季度的高位 50.2%下降至 2018 年第一季度的 44.4%，美光科技同期的 DRAM 份額則從 18.5%增長至 23.1%。圖 4 和圖 5 說明了這些數(shù)據(jù)變化。

圖 4

圖 5

資本支出
存儲器公司正在投資建設新晶圓廠和購買設備，以增加產(chǎn)能。

圖 6 顯示，2018 日歷年的 DRAM 產(chǎn)能將比 2017 日歷年增長 5.2%至 19.0%。相比之下，2017 年的 DRAM 設備支出較 2016 年增加了 81%。

圖 6

有趣的是，美光預計 2018 日歷年的 DRAM 產(chǎn)能增長率最低。而它在 2016 年第四季度至 2018 年第二季度的營業(yè)利潤卻增長了 3637%。

圖 7 顯示，與 2017 日歷年相比，2018 日歷年 NAND 產(chǎn)能僅增長 5.2%至 23.2%。而 2017 年 NAND 設備支出較 2016 年增長 58%。

圖 7

三星電子在存儲器上的投資將在 2018 年降至 11 萬億韓元（99 億美元），其中 DRAM 投資 9 萬億（81 億美元），NAND 投資 2 萬億韓元（18 億美元）。

為了擴大下一代芯片和閃存的產(chǎn)能，SK 海力士去年的資本支出創(chuàng)下 10.3 萬億韓元（98 億美元）的記錄，并計劃將其 2018 年的資本支出增加到 15 萬億韓元（134 億美元）。

美光科技的資本支出也高達 81 億美元，但低于其他兩家制造商。

三星電子的 DRAM 和 NAND 位出貨量增長率應該分別為 25%和 45%。不過，這不是增加投資的結(jié)果，而是 1x nm DRAM 和 64 層 NAND 產(chǎn)線的效率高于預期的結(jié)果，這得益于更高的良率、更出色的晶圓廠布局和物流體系。三星計劃于 2019 年在位于平澤的晶圓廠開始量產(chǎn) 10nm LPDDR 5 芯片。

SK 海力士已宣布計劃在其位于韓國利川的總部建造一座新的存儲器工廠。這座位于利川、面積高達 53,000 平方米的工廠將于 2018 年底開工建設，計劃于 2020 年 10 月完工。SK 海力士計劃在這家新工廠投資 3.5 萬億韓元（31.2 億美元）。此外，SK 海力士還在繼續(xù)擴大利川 M14 工廠的產(chǎn)能。它還計劃于 9 月底在完成其位于清州的新工廠的潔凈室設備的安裝，該工廠將于 2019 年初投產(chǎn)。在中國，SK 海力士預計將在 2018 年完成其無錫工廠潔凈室的擴建。

美光準備在 2018 年至 2019 年在其中國臺灣工廠擴大其 10nm 級別 DRAM 芯片的生產(chǎn)。美光位于中國臺灣北部桃園的工廠將于 2018 年下半年進入 1Xnm 的生產(chǎn)并將于年底遷移到 1Ynm 工藝節(jié)點上。其位于臺中的工廠將在 2019 年下半年放棄 1Xnm 產(chǎn)品的量產(chǎn)后遷移到更新的 1Znm 工藝上。

中國晉華的 12 英寸晶圓廠有望在 9 月份進入 20nm 或 30nm DRAM 芯片的試生產(chǎn)，中國最近通過禁售美光科技的部分產(chǎn)品來保護本土的存儲器產(chǎn)業(yè)，這也可能影響存儲器行業(yè)未來的發(fā)展態(tài)勢。

Innotron 最近推出了 19nm 工藝的 8Gb DDR4 產(chǎn)品的樣片，預計也將在 2019 年上半年開始量產(chǎn)這顆芯片。

中國的長江存儲科技有限公司正于本季度開始生產(chǎn)其 32 層 NAND 芯片樣片，并計劃從 2019 年年底開始量產(chǎn) 64 層產(chǎn)品。

東芝存儲器業(yè)務部門剛剛在日本的巖手縣舉行了新型 BiCS 3D NAND 閃存工廠的奠基儀式，該工廠預計將于 2019 年年底完工，預計其長期合作伙伴西部數(shù)據(jù)將參與該項目。

東芝今年夏天將在四日市開始啟用其 Fab 6/ 第一階段工廠。此舉將幫助其在未來幾個月內(nèi)增加 BiCS 3D NAND 閃存的產(chǎn)量，F(xiàn)ab 6/ 第二階段工廠預計將于明年進行部署。

競爭
當存儲器市場的供需不平衡時，存儲器公司的股價和芯片平均銷售價格同步上漲和下降。目前，盡管仍然存在大量需求，但是隨著產(chǎn)能的增加，內(nèi)存市場正日趨走向供需平衡。目前 NAND 的平均銷售價格已經(jīng)開始下降，預計 DRAM 的價格也會在 2018 年下降。

投資者需要認識到，不同的存儲器公司的股票不會再因為某一家公司業(yè)績良好就都呈現(xiàn)同步上漲了。這些公司正在競爭客戶，而且在即將到來的供過于求的情況下，客戶可以隨時更換內(nèi)存供應商。這時，供應商可能會通過低價來贏得或維系客戶，這就意味著內(nèi)存供應商不再是盟友，而變成競爭對手了。

順便說一句，這種概念并非我所首創(chuàng)，美光科技早在其 10-K 報告中表達了這種觀點：

“我們在內(nèi)存和存儲市場面臨包括英特爾、三星電子、SK 海力士、東芝和西部數(shù)據(jù)等多家公司的激烈競爭。其中一些競爭對手是擁有更多資源投資新技術(shù)的大公司或者聯(lián)盟，他們擁有更多資金把握增長機會，抵御市場低迷。競爭對手的聯(lián)合可能會使我們處于競爭劣勢。此外，中國等政府已經(jīng)向我們的一些競爭對手或者市場新進入者提供重要的資金援助。我們的競爭對手也在尋求增加硅片容量和單晶圓存儲位數(shù)，這可能導致全球供應的顯著增加，并加大價格下行壓力。無論是增加新設施，提高產(chǎn)能利用率，還是將其他半導體生產(chǎn)資源重新分配到內(nèi)存和存儲上，這些都會導致未來全球內(nèi)存和存儲產(chǎn)品供應的增加。在這種情況下，如果需求沒有同步增長，必將導致我們產(chǎn)品平均銷售價格的下降，并對我們的業(yè)務、經(jīng)營業(yè)績或財務狀況造成重大不利影響。我們有很多大規(guī)模量產(chǎn)內(nèi)存和存儲產(chǎn)品都是按照行業(yè)通用標準規(guī)格制造的，因此和競爭對手的產(chǎn)品具備相似的性能特性。對于這些產(chǎn)品而言，主要靠價格和性能來競爭，性能的范圍包括運行速度、功耗、可靠性、兼容性、尺寸和外形。對于我們其他產(chǎn)品而言，主要競爭因素則是性能而不是定價?！?/em>
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