DRAM技術(shù)

以下是關(guān)于?DRAM（Dynamic Random Access Memory）技術(shù)原理的詳細(xì)解析，涵蓋生產(chǎn)制造、Rank 與 Bank 內(nèi)部結(jié)構(gòu)、ODT 作用及讀寫方式和LPDRAM、DDR產(chǎn)品迭代。

AI推理、高性能計(jì)算和實(shí)時(shí)分析等行業(yè)，通常需要運(yùn)行大量的工作負(fù)載，內(nèi)存帶寬如果跟不上處理器的提升速度，往往可能會(huì)導(dǎo)致計(jì)算瓶頸，影響工作負(fù)載執(zhí)行的效率和效果，這就需要對(duì)內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行革新。

AI應(yīng)用浪潮之下，高性能存儲(chǔ)器需求持續(xù)攀升，以HBM為代表的DRAM風(fēng)生水起。同時(shí)，為進(jìn)一步滿足市場(chǎng)需求，存儲(chǔ)廠商也在醞釀新一輪DRAM技術(shù)“革命”。

最近，SK海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3460億韓元（約合2.6億美元），而上年同期營(yíng)業(yè)虧損1.91萬(wàn)億韓元。這意味著，SK海力士成功擺脫了從2022年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。

當(dāng)下，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)仍處于低迷狀態(tài)。各大存儲(chǔ)芯片企業(yè)的最新財(cái)報(bào)顯示，企業(yè)利潤(rùn)均在下跌。在產(chǎn)業(yè)下行周期，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì)成為振奮市場(chǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)。DDR5 DRAM作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競(jìng)逐的焦點(diǎn)。例如，近期SK海力士就宣布，公司已經(jīng)開發(fā)出了當(dāng)前速度最快的移動(dòng)DRAM “LPDDR5T”。但就目前情況來(lái)看，DDR5的市場(chǎng)滲透率還未達(dá)到預(yù)期，DDR5能否拉動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)上揚(yáng)，仍有待觀察。