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技術課堂之十七 | 榮湃產(chǎn)品助力數(shù)據(jù)中心服務器電源效率的提升

2024/12/10
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數(shù)據(jù)中心發(fā)展前景

近年來,公有云、私有云的市場快速增長,數(shù)據(jù)中心大量建設,對服務器電源的性能提出更高要求,服務器電源逐漸向高功率密度、高可靠性、高智能化遠程控制、實時監(jiān)控、并機等方面發(fā)展。對數(shù)據(jù)中心進行電源管理,在不增加電路板尺寸的前提下提高系統(tǒng)效率,提高計算性能,降低設備的冷卻成本等,這些都對服務器電源提出了更高的要求。

傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心服務器電源APFC方案

傳統(tǒng)的有源功率因數(shù)校正電路(APFC)由二極管橋式整流電路加Boost升壓變換器構成,如圖一所示。這種APFC電路可得到較高的功率因數(shù),滿足諧波標準的要求。圖一中,在任一時刻電路中總有三個半導體器件處于工作狀態(tài)。系統(tǒng)的通態(tài)損耗由兩部分組成:包括前端整流橋中兩個二極管導通壓降帶來的損耗及后級Boost變換器中功率開關管或者續(xù)流二極管的導通損耗。

 

圖一:APFC線路圖

傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心服務器電源PFC改進方案

但是,隨著變換器功率密度和開關頻率的提高,系統(tǒng)的通態(tài)損耗顯著增加,整體效率降低。針對這一問題,一種同樣具有PFC功能且通態(tài)損耗低的圖騰柱PFC拓撲就應運而生。

典型采用圖騰柱PFC的AC-DC整流器含兩個交錯高頻橋臂的電路圖如圖二,以及DC-DC部分采用半橋LLC拓撲配合副邊采用中心抽頭變壓器(12V系統(tǒng))(如圖三)。

圖二:圖騰柱PFC拓撲電路圖

圖三:LLC架構示意圖

圖騰柱PFC中的功率器件的選擇

眾所周知,傳統(tǒng)高壓MosFET由于存在體二極管,會在硬開關模式下導致比較大的反向恢復損耗,同時會產(chǎn)生較大的關斷振蕩電壓。這就導致傳統(tǒng)的圖騰柱PFC多運行于CRM模式,因此限制了其系統(tǒng)功率在較低的級別,同時由于開關損耗問題不能處于較高運行頻率下。

但隨著第三代寬禁帶器件(如氮化鎵GaN,及SiC碳化硅)的發(fā)展,通過在圖騰柱PFC系統(tǒng)中引入兩個高頻寬禁帶器件替換原有的MosFET組成的S1,S2快管(如圖二)。由于寬禁帶器件本身開關損耗較小,且體二極管具有接近于0的反向恢復電荷Qrr,則可以使他們很好的運行于CCM硬開關模式下,同時可以運行在較高的頻率,使得其應用范圍得到了較大的發(fā)展。

如下圖四是基于寬禁帶器件的圖騰柱PFC的基本電路功率級結構,其中,GaN-FET Q3和Q4和電感構成了一個同步整流Boost電路,工作于系統(tǒng)開關頻率F_PWM下,Q1和Q2是普通的MosFET,工作于電網(wǎng)頻率F_LINE下,并聯(lián)在Q1,Q2上的肖特基二極管用于進一步改善系統(tǒng)效率。

圖四:圖騰柱PFC拓撲示意圖

圖騰柱PFC控制中存在的難點

雖然GaN、SIC_MOSFET第三代半導體的引入,能解決由反向恢復帶來的一系列問題,但是圖騰柱PFC的控制依然存在幾個難點,下面對此作簡單的介紹。

A: AC電壓過零點尖峰電流

在CCM圖騰柱PFC電路中,一個典型的控制問題是AC電壓過零點切換,這會導致較大的電流尖峰。其本質是對應MOSFET的寄生輸出電容Coss放電。寄生輸出電容條件下,AC過零時,主開關管和續(xù)流開關管的突然切換,這會導致增加THD值,且使得PF值變差。

如圖五,當AC電壓處在正半周期時,且接近AC過零點時,Q4為主開關,由于輸入電壓很小,所以其占空比會接近100%(Q3占空比接近0),而Q2在這半周期一直導通。當AC電壓過渡到負半周期時,Q3為主開關,由于輸入電壓很小,所以其占空比接近為100%(Q4占空比接近0),此階段Q1會由關斷變?yōu)閷?。則當Q3一導通時,Q1的寄生輸出電容Coss會很快放電,產(chǎn)生反向電感電流,因此會造成很大的過零切換的電流尖峰。當AC電壓處在負半周期時,工作過程可以類推。

一般來說,推薦如下的AC過零點驅動方式,如下圖五所示。

圖五:AC過零點處的PWM時序處理

從AC為正向AC為負轉變時,系統(tǒng)檢測到這一窗口后,關閉Q1-Q4,當檢測到AC可靠過零后,主開關管Q3開始以很小的占空比開始軟起動,在軟起動過程中,續(xù)流管Q4并未開啟,而是通過體二極管續(xù)流,此階段中,普通MOSFET Q1寄生輸出電容Coss在主開關導通時逐漸放電,從而最終打開Q1柵級,接著對續(xù)流管Q3進行軟起動,避免在續(xù)流管占空比大時造成尖峰電流。

經(jīng)過這樣處理柵級驅動時序后,則可以很好的減小過零點造成的電流尖峰,提高PF值,降低THD。

B: 如何可靠的檢測AC過零點

一般情況下,如果由于噪聲使得控制器檢測到AC過零,例如從AC正到AC負,則Q3占空比從0突然就變到100%,此時由于事實上還處在AC正半周期,所以Q2還在導通狀態(tài),所以這會導致輸出電壓Vout經(jīng)過電感直接短路到地電壓(GND),這勢必會在電感上產(chǎn)生很大的尖峰電流,從而可能導致功率器件燒壞。

正確推薦的方式是,如圖五所示,當系統(tǒng)檢測到接近AC過零時(例如AC從正到負),就關閉所有控制開關,從而阻止了輸出電容電壓放電,當控制器真正多次檢測到AC過零后,系統(tǒng)開始對主開關Q3進行軟起動。

這樣就可以避免由于噪聲干擾導致的錯誤判斷AC過零點,從而提前開啟主開關,從而由于輸出電容反向放電,從而產(chǎn)生很大的尖峰電流的異常發(fā)生。

C: 軟起動時續(xù)流管狀態(tài)

當軟啟動時,系統(tǒng)控制環(huán)路正在逐步建立,主開關占空比很小,因為續(xù)流管和主開關為互補模式,所以其占空比1-D很大,如果在主開關做軟起動時,也同時開啟續(xù)流管,且相應慢管也處于開通狀態(tài)時,則會產(chǎn)生輸出電容放電。所以,我們如圖五,在主開關軟起動時,將續(xù)流管開關設置為關閉狀態(tài),經(jīng)過若干周期后,主開關的占空比也變大了,續(xù)流管也開始軟起動,因此可以避免續(xù)流管大占空比1-D導致輸出電容電壓放電。

D: 輸入電壓快速掉電造成的問題

當圖騰柱PFC電路正在運行中,輸入電壓突然快速掉電,此時由于系統(tǒng)不能立即檢測到電壓掉電這個事情發(fā)生,因此會造成一系列的問題。舉一個最差的情況,當輸入電壓處在峰值時,此時主開關占空比最小,而續(xù)流管占空比1-D最大,當電壓下掉時(以AC為正時為例),輸出電容電壓通過續(xù)流管Q3向電感側進行反向放電,注意此時Q2是一直導通的,所以這個放電會產(chǎn)生一些嚴重的問題。首先,輸出電壓放電會導致無法滿足Hold-Up時間要求,其次,反向放電會造成較大的尖峰電流。

所以,在控制上需要對輸入電壓下掉進行快速檢測,或者通過對反向電流進行檢測,從而快速抓取這一過程,并及時做出響應。

榮湃系列產(chǎn)品在服務器電源中的典型應用

圖騰柱PFC和LLC變換技術在服務器電源上的廣泛應用,對提高系統(tǒng)效率,提高功率密度,降低系統(tǒng)散熱成本都能帶來很大的優(yōu)勢。但在實際應用中特別是圖騰柱PFC也會帶來幾個不容忽視的問題?;谶@些問題,榮湃半導體公司推出一系列產(chǎn)品方案來應對解決。

針對圖騰柱PFC和LLC DC-DC變換工作中電流精準檢測的隔離放大器系列Pai5500,針對圖騰柱PFC和LLC DC-DC變換中功率器件驅動需要的低延時,大驅動能力,推出的隔離驅動Pai8233/Pai8211/Pai6581系列。針對MCU與外界通信數(shù)字隔離器系列。針對與外部隔離CAN通訊推出的Pai2350系列等。

圖六:圖騰柱PFC

圖七: LLC拓撲電路

榮湃半導體相關產(chǎn)品推薦

01、Pai2350隔離CAN收發(fā)器

Pai2350是一款高速CAN收發(fā)器,可提供控制器局域網(wǎng)(CAN)協(xié)議控制器和物理兩線CAN總線之間的接口,可以支持至少110個CAN節(jié)點。Pai2350實現(xiàn)ISO 11898-2:2016和SAE J2284-1至SAE J2284-5中定義的CAN物理層。在CAN FD快速相位網(wǎng)絡中可實現(xiàn)可靠的通信,數(shù)據(jù)速率高達5 Mbit/s。Pai2350提供熱保護和傳輸數(shù)據(jù)顯性超時功能。

02、Pai8233高可靠性隔離式雙通道柵極驅動器

Pai8233是一系列高可靠性的隔離式雙通道柵極驅動器IC,可以設計為驅動高達5MHz開關頻率的功率晶體管。每個輸出可以實現(xiàn)低至19ns傳播延遲和5ns的最大延遲匹配,來提供最大4A/8A的拉灌電流能力。Pai8233 在SOIC-16和SOIC-14寬體封裝中提供5000VRMS隔離。100V/μs的最小共模瞬變抗擾度(CMTI)提高系統(tǒng)魯棒性。該驅動器的最大工作電源電壓為25V,而輸入側則接受3V至5.5V的電源電壓。所有電源電壓引腳均支持欠壓鎖定(UVLO)保護。Pai8233 具有所有這些出色的功能,適用于高可靠性、高功率密度和高效率的開關電源系統(tǒng)。

03、Pai8211單通道隔離式柵極驅動器

Pai8211是單通道隔離式柵極驅動器,旨在驅動許多應用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立輸出,分別控制上升和下降時間,并可以提供最大6A/6A的拉灌電流能力。Pai8211提供SOP8(150 mil)封裝,根據(jù)UL1577可支持3750VRMS隔離,150kV/μs的最小共模瞬變抗擾度(CMTI),支持系統(tǒng)魯棒性。該驅動器的最大工作電源電壓為33V,而輸入側則接受2.5V至5.5V的電源電壓。所有電源電壓引腳均支持欠壓鎖定(UVLO)保護。Pai8211具有高驅動電流,出色的耐用性,寬電源電壓范圍和快速信號傳播的特性,適用于高可靠性、高功率密度和高效率的開關電源系統(tǒng)。

04、Pai6581光耦兼容的單通道隔離式柵極驅動器

Pai6581是單通道隔離式柵極驅動器,與流行的光耦合柵極驅動器引腳兼容。它可以提供5A的峰值拉/灌電流。支持140kV/μs的最小共模瞬態(tài)免疫(CMTI),確保了系統(tǒng)的魯棒性。驅動器的最大電源電壓為30V。當輸入電路應用在兼容光耦的系統(tǒng)中,與光耦式柵極驅動器相比具有性能優(yōu)勢,包括更好的可靠性,更高的工作溫度,更短傳播延遲和較小的脈寬失真。

05、Pai5500隔離電流放大器

Pai5500是輸出與輸入基于Idivider電容隔離技術的隔離電流放大器。此系列產(chǎn)品具有線性差分輸入信號±250mV范圍。故障安全功能包括輸入共模過壓檢測和VDD1缺失檢測,簡化了系統(tǒng)級設計和診斷。Pai5500的固定增益為8.2,并提供差分模擬輸出。低失調和增益漂移確保了整個溫度范圍內的精度。高共模瞬變抗擾度可確保即使在存在大功率開關的情況下(例如在電機控制應用中),該設備也能夠提供準確而可靠的測量結果。

π12X/π13X/π14X/π16X是高性價比高可靠性的雙/三/四/六通道數(shù)字隔離器。

π12X/π13X/π14X/π16X是高性價比高可靠性的雙/三/四/六通道數(shù)字隔離器此系列產(chǎn)品已通過UL1577安全認證,支持多種絕緣耐壓(3.75kVrms,5kVrms),同時具有低功耗,高電磁抗擾度和低輻射的特性。產(chǎn)品的數(shù)據(jù)速率高達200Mbps,共模瞬變抗擾度(CMTI)高達150kV/us。在輸入缺失時默認輸出電平配置,且提供數(shù)字通道方向配置。此系列器件的寬電源電壓范圍支持其與大多數(shù)數(shù)字接口直接連接,易進行電平轉換。優(yōu)異的系統(tǒng)級別EMC性能提高了使用的可靠性和穩(wěn)定性。器件的MSL等級為2,并可以提供AEC-Q100(1級)選項。

榮湃半導體

榮湃半導體

榮湃半導體(上海)有限公司成立于2017年(以下簡稱“榮湃半導體”或“公司”),專注于高性能、高品質模擬芯片的設計與研發(fā),致力于成為全球技術領先的高性能模擬集成電路產(chǎn)品供應商。 公司產(chǎn)品包括數(shù)字隔離器、驅動(Si/SiC MOSFET、IGBT)、接口(CAN、RS485、I2C)、采樣(放大器、ADC)等,廣泛應用于電動汽車、工業(yè)控制、能源電源、消費電子等領域,產(chǎn)品性能和品質對標世界一流模擬集成電路廠商同類產(chǎn)品,部分關鍵性能指標有所超越。憑借獨創(chuàng)的電容智能分壓技術(iDivider技術),斬獲多項隔離領域發(fā)明專利,實現(xiàn)了國產(chǎn)隔離芯片的突破。 榮湃半導體技術團隊匯集了眾多國內外模擬芯片領域精英,擁有先進的模擬集成電路設計、工藝、測試技術等經(jīng)驗。從創(chuàng)業(yè)至今,公司始終秉承“用芯創(chuàng)造新價值”的行動理念,從問題的本質出發(fā),探索解決問題的新方法,同時緊跟市場需求的變化,守正創(chuàng)新,為客戶創(chuàng)造高品質、高性價比產(chǎn)品,不斷開創(chuàng)集成電路領域技術革新,實現(xiàn)國產(chǎn)替代,為中國半導體行業(yè)技術創(chuàng)新提供新思路,為社會創(chuàng)造新價值。https://www.rpsemi.com/

榮湃半導體(上海)有限公司成立于2017年(以下簡稱“榮湃半導體”或“公司”),專注于高性能、高品質模擬芯片的設計與研發(fā),致力于成為全球技術領先的高性能模擬集成電路產(chǎn)品供應商。 公司產(chǎn)品包括數(shù)字隔離器、驅動(Si/SiC MOSFET、IGBT)、接口(CAN、RS485、I2C)、采樣(放大器、ADC)等,廣泛應用于電動汽車、工業(yè)控制、能源電源、消費電子等領域,產(chǎn)品性能和品質對標世界一流模擬集成電路廠商同類產(chǎn)品,部分關鍵性能指標有所超越。憑借獨創(chuàng)的電容智能分壓技術(iDivider技術),斬獲多項隔離領域發(fā)明專利,實現(xiàn)了國產(chǎn)隔離芯片的突破。 榮湃半導體技術團隊匯集了眾多國內外模擬芯片領域精英,擁有先進的模擬集成電路設計、工藝、測試技術等經(jīng)驗。從創(chuàng)業(yè)至今,公司始終秉承“用芯創(chuàng)造新價值”的行動理念,從問題的本質出發(fā),探索解決問題的新方法,同時緊跟市場需求的變化,守正創(chuàng)新,為客戶創(chuàng)造高品質、高性價比產(chǎn)品,不斷開創(chuàng)集成電路領域技術革新,實現(xiàn)國產(chǎn)替代,為中國半導體行業(yè)技術創(chuàng)新提供新思路,為社會創(chuàng)造新價值。https://www.rpsemi.com/收起

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