芯耀
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節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 6x5F封裝減少63%，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。
日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間，同時占位面積比PowerPAIR 6x5F封裝雙片MOSFET減小63%。MOSFET為USB-C電源筆記本電腦、服務器、直流冷卻風扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點（POL）轉(zhuǎn)換電路和DC/DC模塊設(shè)計人員提供節(jié)省空間解決方案。這些應用中，SiZF5302DT高低邊MOSFET提供了50%占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在1 A到4 A電流條件下。而SiZF5300DT則是12 A到15 A重載的理想解決方案。
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 m和4.4 m。兩款MOSFET 4.5 V條件下典型柵極電荷分別為9.5 nC和 6.7 nC。超低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM），比相似導通電阻的前代解決方案低35 %。高頻開關(guān)應用效率提高2%，100 W能效達到98%。
與前代解決方案對比
器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力，獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT和SiZF5302DT經(jīng)過100% Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
器件規(guī)格表：
SiZF5300DT和SiZF5302DT 現(xiàn)可提供樣品并已量產(chǎn)。
