長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM份額將增至12%

隨著市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升的中國(guó)企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。

據(jù)外媒及半導(dǎo)體業(yè)界報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）去年將其全球DRAM市場(chǎng)份額提升至5％。?2020年收斂至0%的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，在短短5年時(shí)間里實(shí)現(xiàn)了高速增長(zhǎng)。市場(chǎng)研究公司?TrendForce?預(yù)測(cè)，到今年年底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的?DRAM?市場(chǎng)份額可能增至?12%。

截至去年第四季度，三星電子的DRAM市場(chǎng)份額為39.3%。較上一季度的41.1%有所下降。?SK海力士的市場(chǎng)份額從34.4%上升至36.6%，美光的市場(chǎng)份額也從22.2%小幅上升至22.4%。如果長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)能拿下?10%?的市場(chǎng)份額，三大?DRAM?制造商格局將發(fā)生重大變化。

韓國(guó)祥明大學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體教授李鐘煥表示，“事實(shí)上，追擊比美光搶先出貨原型更具威脅性。”他補(bǔ)充道，“由于?DRAM?對(duì)?HBM?競(jìng)爭(zhēng)至關(guān)重要，因此韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的快速增長(zhǎng)是一個(gè)巨大的威脅?！?/p>

繼通用半導(dǎo)體之后，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在提升其在技術(shù)難度較高的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。?CXMT?去年開始量產(chǎn)?LPDDR5?和?DDR5，雖然目前尚不清楚其產(chǎn)量有多高，但業(yè)內(nèi)認(rèn)為該技術(shù)發(fā)展的速度相當(dāng)快。?HBM2和HBM2E產(chǎn)品已經(jīng)投入量產(chǎn)。該公司還計(jì)劃擴(kuò)建其?HBM2?工廠，同時(shí)瞄準(zhǔn)?DeepSeak?等具有成本效益的人工智能?(AI)。另?yè)?jù)報(bào)道，他們正致力于開發(fā)HBM3。

李鐘煥強(qiáng)調(diào)，“目前三足鼎立的格局已經(jīng)清晰，但如果美光能夠確保技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，而中國(guó)企業(yè)的市場(chǎng)份額不斷擴(kuò)大，現(xiàn)有的市場(chǎng)份額排名將不可避免地發(fā)生變化，這也是韓國(guó)企業(yè)應(yīng)該感到威脅的領(lǐng)域”。