芯耀
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最近有不少朋友和我打聽幾家上市掩模版制造商的情況。我沒有什么特別消息，所以只能做些簡單的科普性回答
網(wǎng)上做光刻機(jī)科普的文章一大堆，光刻膠的介紹相對較少，而掩模版相關(guān)的資料就更少了在這里，我根據(jù)我一點(diǎn)有限的知識，也給大家簡單講解一下：客觀來說，單憑光刻掩模版幾個字是無法討論和判斷技術(shù)難度的。掩模版并不僅僅是用在半導(dǎo)體領(lǐng)域，印刷電路版、顯示面板、硬盤、乃至其它各種微圖形加工的領(lǐng)域里，我們都有機(jī)會用到掩模版
像PCB用的菲林基板的掩模版的技術(shù)難度不高，并不在我今天討論的范圍里。我今天主要講講半導(dǎo)體用的掩模版
最早的掩模版單純通過透光和不透光兩種情況來實(shí)現(xiàn)光刻的圖形，所以被稱為雙極型掩模（binary mask）。從365~193 nm的光刻工藝中，它是被最為廣泛應(yīng)用的一種技術(shù)。后來，為了降低掩模三維效應(yīng)，有人發(fā)明了透明的MoSi掩模（opaque MoSi on glass, OMOG）技術(shù)。在32nm以下的工藝?yán)?，它被廣泛應(yīng)用。不過OMOG本質(zhì)上也屬于雙極型掩模隨著圖形線寬的越來越小，相鄰?fù)腹鈪^(qū)難以避免因?yàn)楣鈱W(xué)衍射導(dǎo)致的亮度疊加。所以人們又發(fā)明了移相光掩模（Phaseshift Mask）。就是在一個透光區(qū)的相鄰?fù)腹鈪^(qū)上增加一層涂敷層，能給通過的光線提供額外180 °相位補(bǔ)償。這樣一來臨近的衍射光就會相互抵消而提升分辨率（參考下圖）
而到了EUV光刻機(jī)時代，由于EUV光線無法穿透幾乎所有物體，所以EUV掩模版采用了反射鏡模式。這又是一個技術(shù)難度極高的獨(dú)立產(chǎn)品類型
關(guān)于光刻掩模版的分類，以下信息來自Deepseek（還應(yīng)該加一個EUV用反射掩模版），大家可以參考一下：
按掩模版結(jié)構(gòu)分類
二元掩模版（Binary Mask）
最簡單的掩模版，由透明（石英）和不透明（鉻或鉬）區(qū)域組成，僅通過透光/遮光傳遞圖案。適用于傳統(tǒng)光刻（如i-line、KrF、ArF）。
相移掩模版（Phase-Shift Mask, PSM）
通過相位調(diào)制增強(qiáng)光刻分辨率，分為：
交替相移掩模（Alt-PSM）：通過交替相位反轉(zhuǎn)提升對比度，用于高分辨率層（如柵極）。
衰減相移掩模（Att-PSM）：部分透光區(qū)域引入相位偏移，減少光強(qiáng)干擾。
光學(xué)鄰近校正掩模版（OPC Mask）
通過添加輔助圖形（Sub-Resolution Assist Features, SRAFs）或修正圖案邊緣，補(bǔ)償光刻中的光學(xué)畸變和鄰近效應(yīng)，適用于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（如7nm以下）。
為了方便大家了解這個行業(yè)，我特意整理了光刻掩模版產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)商及產(chǎn)品數(shù)據(jù)。除了掩模版本身，空白掩模版、石英襯底、保護(hù)膜（Pellicles）還有相關(guān)載具的供應(yīng)商信息也一并列出了。希望對大家有幫助 -- 目前網(wǎng)絡(luò)上這部分的統(tǒng)計(jì)信息非常少。建議有需要的朋友收藏詳細(xì)數(shù)據(jù)的原始文檔，我放到了知識星球的云盤上供會員使用。如果您對此類數(shù)據(jù)有興趣，歡迎掃碼加入我的知識星球后獲取（文章最后有知識星球數(shù)據(jù)內(nèi)容的簡單介紹）
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