武漢新芯：我也可以量產(chǎn)48層3D NAND

紅色供應(yīng)鏈來勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能 2018 年就能量產(chǎn) 3D NAND。

美系外資晶片設(shè)備分析師 Atif Malik 稱，中國透過 Rambus 和 Spansion 取得 DRAM 和 NAND 記憶體的技術(shù)授權(quán)。2 月份，Spansion 和武漢新芯(XMC)簽訂 3D NAND 研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion 提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的 NAND IP。Malik 表示，他們相信 2017 年底就能取得 48 層 3D NAND 的驗(yàn)證，2018 年進(jìn)行量產(chǎn)。

目前只有三星有能力量產(chǎn) 48 層 3D NAND，另一記憶體大廠 SK 海力士預(yù)料要到今年下半才能生產(chǎn)。

與此同時(shí)，Malik 也指出，中國投入半導(dǎo)體市場(chǎng)，對(duì)設(shè)備商來說短多長(zhǎng)空。中國砸錢大買設(shè)備建廠，應(yīng)用材料(Applied Materials)、Lam Research 一開始有望受惠。但是長(zhǎng)期而言，設(shè)備業(yè)者將流失非中國業(yè)者訂單。這是“零和游戲”，中國訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠需要減少資本開支。(注：零和游戲 /zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠(yuǎn)為零)

他強(qiáng)調(diào)，中國加入不會(huì)擴(kuò)大全球半導(dǎo)體設(shè)備支出，因?yàn)橹袊虬雽?dǎo)體的三大資本開支大廠，采購大量晶片。這三大業(yè)者分別是臺(tái)積電(2330)、英特爾、三星電子。中國計(jì)畫 2020 年前，國內(nèi)消費(fèi)的 40%晶片改為自制。

4 月 12 日有報(bào)導(dǎo)，Bernstein 分析師 Mark Newman 表示，記憶體業(yè)者自相殘殺，等到中國廠商進(jìn)入市場(chǎng)，情況將急轉(zhuǎn)直下。報(bào)告稱，中國可能是足以顛覆市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者，他們財(cái)力雄厚，等到供給上線后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的 3D NAND 技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商 4~5 年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產(chǎn)之后，市場(chǎng)供給過剩將更加惡化。

目前只有三星有能力制造 3D NAND，其他業(yè)者要到今年下半才開始生產(chǎn)。3D NAND 采用較舊制程(35~50 奈米)，業(yè)者能以較低成本、提高產(chǎn)能。英特爾主管 David Lundell 表示，預(yù)計(jì)大連廠會(huì)在今年底量產(chǎn) 3D NAND。