大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案

2022年8月9日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案。

圖示1-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的展示板圖

5G時代的到來，從根本上顛覆了現(xiàn)有的傳統(tǒng)通訊方式，它加速了現(xiàn)實社會與互聯(lián)網(wǎng)空間的快速融合，讓人與人、人與機器的交互都步入了一個全新的水平。而發(fā)展5G的一重要目標就是在提高信息傳輸速率、減少延遲的同時，節(jié)約能源、降低系統(tǒng)成本。隨著5G信號大規(guī)模覆蓋需求增大，大量5G基站的建設已迫在眉睫，這勢必會為電源市場帶來新的機會。順應此趨勢，大聯(lián)大世平基于安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。

圖示2-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的場景應用圖

安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩(wěn)壓器，其集成了高邊和低邊功率MOSFET，支持從4.5V到65V的寬電壓范圍，能夠處理的連續(xù)電流高達10A。此外，onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領先業(yè)界的封裝技術將FAN65008B集成在一個四方扁平無引線（PQFN）封裝中，能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應，使開發(fā)人員能夠?qū)崿F(xiàn)98.5%的峰值能效。這意味著使用FAN65008B比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性（EMI）。除了上述特性，F(xiàn)AN65008B還具有可調(diào)過流保護、熱關斷、過壓保護和短路保護等功能，可以保護器件本身和任何下游電路不受損害。

圖示3-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的方塊圖

在5G技術發(fā)展如此快速的進程中，基站電源要兼顧低成本、高能效以及方便極簡、快速部署的需求，大聯(lián)大世平聯(lián)手onsemi推出的5G基站電源方案針對市場痛點進行優(yōu)化，能夠滿足行業(yè)需求，助力5G基站建設快速推進。

核心技術優(yōu)勢：

• 寬輸入電壓范圍：4.5V至65V；

• 連續(xù)輸出電流：10A；

• 具有輸入電壓前饋的固定頻率電壓模式PWM控制；

• 0.6V參考電壓，精度為0.67%；

• 可調(diào)開關頻率：100kHz至1MHz；

• 雙LDO用于單電源操作并減少功率損耗；

• 用于輕負載的可選CCM PWM模式或PFM模式；

• 寬工作范圍的外部補償；

• 可調(diào)軟啟動和Pre?Bias啟動；

• Enable功能具有可調(diào)節(jié)的輸入電壓欠壓鎖定（UVLO）；

• Power Good指示；

• 過流保護、熱關斷、過壓保護、欠壓保護和短路保護；

• 高性能薄型6mm x 6mm PQFN封裝；

• 無鉛且符合RoHS標準。

方案規(guī)格：

• 輸入電壓范圍：30V至60V；

• 輸出電流：10A；

• 輸出電壓：24V；

• 輸出電壓漣波：40mVp-p；

• 切換頻率：300kHz。