閃存

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快閃存儲器（英語：flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除，就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。

快閃存儲器（英語：flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除，就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。收起

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  • ZLG嵌入式筆記(連載32) | 拯救NAND/eMMC：延長閃存壽命
    隨著電子設備的廣泛應用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質，其使用壽命受到廣泛關注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長使用壽命的實用方法。
  • 閃存價格暴漲3倍？市場火熱靠的不是AI
    DeepSeek的爆火，帶來的只是針對大容量高端內(nèi)存產(chǎn)品的需求?！澳昵拔覀冇幸活w料正常出貨價一塊六左右，現(xiàn)在漲到四塊多了，這還不是用在高端產(chǎn)品上的?！贝鎯Ξa(chǎn)品經(jīng)銷商李良對雷峰網(wǎng)表示，“之前有的客戶預判年后會降價就沒有拿貨，現(xiàn)在是又貴又沒貨，有錢也買不到。”
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    03/17 14:25
    閃存價格暴漲3倍？市場火熱靠的不是AI
  • 閃迪攜創(chuàng)新閃存解決方案亮相CFMS，以多樣化產(chǎn)品組合賦能企業(yè)構建數(shù)字世界的"記憶宮殿"
    當前，人工智能技術正在深刻重構多個行業(yè)的效率和生產(chǎn)模式，也正在顛覆傳統(tǒng)存儲技術的基本邏輯。需要實時生成文本、圖像、視頻的AI模型，其訓練和推理過程對存儲系統(tǒng)提出了前所未有的要求：100Gbps級帶寬、毫秒級延遲響應、EB級存儲容量?，這就需要更高性能、更大容量和更加穩(wěn)定可靠的存儲產(chǎn)品，閃存存儲由此也得到了飛速的發(fā)展。 在3月12日舉辦的CFMS | MemoryS 2025上，閃迪攜多樣化閃存解決
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    03/14 07:18
  • 《元器件動態(tài)周報》——AI需求打開高性能存儲空間
    核心觀點 2025年3月份存儲市場已經(jīng)從供過于求轉向部分企穩(wěn)回升，整體存儲器件需求上升，部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲； 交付周期和庫存均呈現(xiàn)下降趨勢，市場逐步回暖； AI設備的需求帶動大容量存儲價格小幅上漲。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 3月，四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數(shù)環(huán)比上升19.44%，同比下降31.94%，至88.97。 供需局面逐漸改善，AI設備的
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    03/11 08:38
    《元器件動態(tài)周報》——AI需求打開高性能存儲空間
  • 華為發(fā)布新一代全閃數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品和行業(yè)場景化方案
    西班牙巴塞羅那2025年3月5日?/美通社/ -- MWC25巴塞羅那期間，在以"先進數(shù)據(jù)存力，釋放AI時代數(shù)據(jù)價值"為主題的數(shù)據(jù)存儲論壇上，華為發(fā)布新一代全閃數(shù)據(jù)中心系列產(chǎn)品和行業(yè)場景化方案，幫助客戶構建先進數(shù)據(jù)存力，加速行業(yè)智能化，釋放AI時代數(shù)據(jù)價值。 華為發(fā)布新一代全閃數(shù)據(jù)中心系列產(chǎn)品和行業(yè)場景化方案 隨著AI、大數(shù)據(jù)、高性能計算等應用不斷激活數(shù)字活力，全新的數(shù)智時代已來臨。在先進大模型的
  • 《元器件動態(tài)周報》—搭上AI東風，HBM逆勢跑贏存儲
    核心觀點 2025年1月份存儲市場已經(jīng)從供需平衡轉向部分供過于求，整體存儲器件需求下降，但部分零部件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中逆勢上漲； 交付周期和庫存均呈現(xiàn)下降趨勢，市場逐步回暖； 存儲整體價格趨于穩(wěn)定，波動變化不大。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 11 月，四方維商品動態(tài)商情內(nèi)存需求指數(shù)環(huán)比下降 6%，達到 66.1，創(chuàng)四年新低。 雖然由于人工智能的持續(xù)繁榮，HBM的銷售
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  • 采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能
    實時微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎設施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設計要求方面發(fā)揮著至關重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS)，這些設備都必須在惡劣環(huán)境中為時間關鍵型任務提供快速、確定性的性能。 F29H85x 系列 C2000TM MCU 基于 TI 的 C29 內(nèi)核，專為應對高壓系統(tǒng)中嚴苛的處理和安全設計挑戰(zhàn)而設計。這 些 MCU 性能顯著提升
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  • 2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調整，預計下半年價格將面臨壓力
    存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預期回溫，如智能手機領域已出現(xiàn)整機庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。
    2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調整，預計下半年價格將面臨壓力
  • AI算力升級，存儲將扮演什么角色？
    近期AI計算平臺已經(jīng)迎來新一輪升級。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU，到Intel發(fā)布至強6，再到AMD的銳龍和EPYC處理器，無一不在強調AI加速的重要性。特別是在PC領域，Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢待發(fā)，基于x86的AI PC更是鎖定先進制程，將AI TOPS和應用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。 AI時代的到來，勢必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算、終端應用所搭載的存儲器容量都
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  • 自有IP模塊，華邦電子如何引領安全閃存技術趨勢？
    安全閃存是一種非易失性存儲器，專為數(shù)據(jù)保護和信息安全設計，具備高安全性和防篡改能力。與傳統(tǒng)閃存主要關注存儲容量和速度不同，安全閃存增加了多層安全機制，確保數(shù)據(jù)的機密性、完整性和可用性。這些機制包括數(shù)據(jù)加密、訪問控制、防篡改保護、安全啟動和信任根（RoT）等。
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  • 貞光科技代理品牌——芯天下 Xtxtech
    各位“貞”朋友好，今日推薦貞光科技代理品牌，優(yōu)秀原廠——Xtxtech 芯天下，貞光科技主要代理芯天下的Nand、Nor Flash存儲芯片等產(chǎn)品。
    貞光科技代理品牌——芯天下 Xtxtech
  • DDR3最后的漲聲？
    不久前，有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線，兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應 DDR3 內(nèi)存。隨后市場傳出DDR3產(chǎn)品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解，AI火熱的當下，相關內(nèi)存供不應求。為了利潤率，搶占未來十年的市場，存儲巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。
    DDR3最后的漲聲？
  • 閃存模組價格戰(zhàn)打響，中國大陸廠商做兩手準備
    自2023下半年以來，全球NAND Flash（閃存）和模組市場開始進入回暖軌道，一直持續(xù)到現(xiàn)在。不過，在這個過程中，市場還是有起伏的，特別是2024年第一季度，是傳統(tǒng)淡季，在消費類電子產(chǎn)品市場，NAND Flash和模組的價格戰(zhàn)依然在繼續(xù)，相對而言，企業(yè)級市場需求一直很堅挺，而且，市場競爭也不像消費類電子市場那么激烈，可提供企業(yè)級NAND Flash模組的企業(yè)要少很多，它們的日子過得還是不錯的。
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  • 為大模型專門優(yōu)化 浪潮信息發(fā)布分布式全閃存儲AS13000G7-N系列
    北京2024年5月10日?/美通社/ -- 近日，浪潮信息發(fā)布為大模型專門優(yōu)化的分布式全閃存儲AS13000G7-N系列。該系列依托浪潮信息自研分布式文件系統(tǒng)，搭載新一代數(shù)據(jù)加速引擎DataTurbo，通過盤控協(xié)同、GPU直訪存儲、全局一致性緩存等技術為AI大模型數(shù)據(jù)歸集、訓練、數(shù)據(jù)歸檔與管理等階段提供強大存儲支撐能力，助力用戶加速大模型系統(tǒng)的創(chuàng)新及應用落地。 化解大模型時代的存儲挑戰(zhàn) 構建堅實的
  • 全閃存
    全閃存（All-Flash）是一種高性能數(shù)據(jù)存儲解決方案，基于閃存固態(tài)硬盤（SSD），旨在提供快速、可靠和低延遲的數(shù)據(jù)訪問體驗。相比傳統(tǒng)的磁盤存儲系統(tǒng)，全閃存極大地提升了企業(yè)應用和數(shù)據(jù)中心的性能，并逐漸成為各行業(yè)廣泛采用的首選存儲技術。
  • 一文快速了解NAND Flash的原理、結構、工藝挑戰(zhàn)、應用及未來發(fā)展
    NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。

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