MOS開關(guān)

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  • 日本SiC模塊新技術(shù):MOS開關(guān)速度提升10倍
    我們都知道碳化硅功率半導(dǎo)體有很多的優(yōu)勢(shì),而且已經(jīng)在汽車、光儲(chǔ)充等眾多的市場(chǎng)大放異彩,但是,碳化硅潛力還未充分被挖掘和利用,例如受限于現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì),SiC功率器件的開關(guān)操作速度極其慢,這導(dǎo)致它固有的節(jié)能優(yōu)勢(shì)尚未得到充分發(fā)揮。最近,日本方面宣布他們已經(jīng)解決了這個(gè)問(wèn)題,并且展現(xiàn)出很好的效果。
    日本SiC模塊新技術(shù):MOS開關(guān)速度提升10倍

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