芯耀
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隨著摩爾定律演進速度逐漸放緩，先進封裝技術成為半導體產(chǎn)業(yè)突破性能瓶頸的關鍵因素。AI大模型效應之下，高性能AI芯片以及與之相關的先進封裝需求大漲，以上因素推動了頭部大廠積極擴產(chǎn)先進封裝產(chǎn)能，近期市場再次傳出臺積電擴產(chǎn)新動態(tài)；與此同時，半導體設備廠商圍繞先進封裝也在展開布局，SEMICON China 2025期間，北方華創(chuàng)、新凱來等廠商展出了相關先進封裝技術方案，引發(fā)極大關注。
1、臺積電等廠商加快先進封裝產(chǎn)能擴張
近日，媒體報道臺積電正加快其在中國臺灣地區(qū)的先進封裝產(chǎn)能擴張，該公司AP8工廠和AP7工廠均已提前設備安裝時間表。
其中，AP8致力于擴大CoWoS產(chǎn)能，預計最早于2025年4月開始安裝設備，并可能于下半年開始量產(chǎn)；AP7工廠旨在提高SoIC技術產(chǎn)量，原定于2025年底進行設備安裝，現(xiàn)已提前至8月。預計今年SoIC產(chǎn)量翻番至1萬片，并且在2026年再翻一番。
CoWoS作為2.5D中介層封裝技術的代表，可通過硅中介層實現(xiàn)多芯片高性能互連，正對高性能計算（HPC）、人工智能和5G通信領域的芯片帶來深遠影響。臺積電作為先進封裝領域的領頭羊，該公司正持續(xù)擴大3D Fabric聯(lián)盟生態(tài)，其CoWoS封裝技術已支持超過200個客戶項目。
SoIC通過芯片直接堆疊與硅中介層結合，屬于3D芯片堆疊技術的一種。臺積電的SoIC技術推動了先進封裝從2.5D向3D的跨越，隨著AI、元宇宙和自動駕駛對算力需求的爆發(fā)式增長，SoIC未來潛力巨大。
除了臺積電之外，稍早之前媒體報道日月光買新廠擴產(chǎn)先進封裝。
日月光投控及旗下矽品已成功拿下英偉達、AMD高性能計算（HPC）封測大單，為了應對市場需求，日月光投控在高雄廠、中科廠和虎尾廠等地積極擴充先進封裝產(chǎn)能。其中，高雄K18廠預計2026年完工投產(chǎn)，將重點布局AI芯片高性能計算領域。此外，矽品中科廠和虎尾廠也在加速建設新的CoW產(chǎn)線，預計2025年虎尾廠將投入量產(chǎn)。
近期，日月光投控旗下日月光半導體宣布，取得日商住友化學旗下塑美貝科技100%股權，日月光半導體該輪投資的最終目的，是為了取得塑美貝科技在中國臺灣高雄楠梓園區(qū)建廠用地的土地使用權，未來日月光半導體將在該地擴產(chǎn)先進封裝產(chǎn)能。
2、半導體設備廠商布局先進封裝
SEMICON China 2025展會正如火如荼在上海召開，半導體設備廠商活躍，吸引大量觀眾駐足。值得一提的是，本次展會上，北方華創(chuàng)、新凱來等設備廠商展出的最新方案，瞄準了先進封裝等技術。
北方華創(chuàng)展會期間發(fā)布公司首款12英寸電鍍設備（ECP）——Ausip T830。該設備專為硅通孔（TSV）銅填充設計，主要應用于2.5D/3D先進封裝領域。該產(chǎn)品標志著北方華創(chuàng)正式進軍電鍍設備市場，并在先進封裝領域構建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ和清洗設備的完整互連解決方案。
據(jù)悉，電鍍作為物理氣相沉積（PVD）的后道工藝，其設備與PVD設備協(xié)同工作，廣泛應用于邏輯、存儲、功率器件、先進封裝等芯片制造工藝。在工藝流程中，PVD設備首先在槽/孔內(nèi)形成籽晶層，隨后電鍍設備將槽/孔填充至無空隙。目前，該設備的電鍍膜厚均勻性滿足客戶要求，能夠有效填充孔直徑2-12微米，孔深16-120微米的多種孔型產(chǎn)品。
國內(nèi)半導體設備新銳創(chuàng)企新凱來“首秀”上海，并帶來了包括外延沉積設備EPI（峨眉山）、原子層沉積設備ALD（阿里山）、物理氣相沉積設備PVD（普陀山）、刻蝕設備ETCH（武夷山）、薄膜沉積設備CVD（長白山）等新品。
其中，PVD（普陀山）共包括3款設備，分別是普陀山1號（金屬平面膜沉積）、普陀山2號（中道金屬接觸層及硬掩膜沉積）、普陀山3號（后道金屬互連沉積）。
普陀山1號與3號均有涉及先進封裝等領域，其中普陀山1號適用于邏輯、存儲及先進封裝等主流半導體金屬平面膜應用場景，鍵膜均勻性高，同時具備高產(chǎn)能與高穩(wěn)定性；普陀山3號適用于邏輯、存儲和先進封裝等主流半導體后道金屬互連場景，架構領先，填孔品質(zhì)優(yōu)異，支持向未來先進節(jié)點演進，適用工藝包括后道金屬互連，使用材料包括鉭、氮化鉭、鈷、銅等。
