• 正文
    • 一、晶錠/襯底技術突破
    • 二、工藝設備協(xié)同升級
  • 相關推薦
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

第11家!又一國產(chǎn)SiC企業(yè)實現(xiàn)12吋突破

04/11 09:55
1110
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

據(jù)江蘇淮安媒體消息,4月8日,江蘇天晶智能裝備有限公司在12英寸碳化硅SiC)切割設備領域實現(xiàn)重大技術突破,成功推出TJ320型超高速多線切割機。技術參數(shù)方面,該設備搭載了自主研發(fā)的超高速伺服張力控制技術和金剛石線循環(huán)切割系統(tǒng),在線速度(3000米/分鐘)、切割效率(提升300%)、張力精準控制等核心參數(shù)達到全球領先水平;并且支持4-12英寸晶圓兼容,單臺年產(chǎn)能達20萬片,可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅需求。天晶智能總經(jīng)理張耀在發(fā)布會上透露,通過與中科院、江蘇師范大學物電學院等機構合作驗證,設備良率已提升至98%以上,且完成1000小時連續(xù)切割穩(wěn)定性測試,技術可靠性獲得權威認可。

在設備成本及價格方面,天晶TJ320通過模塊化設計和核心部件國產(chǎn)化,將成本壓縮至行業(yè)平均水平的1/10至1/20;設備定價極具性價比(49.8萬元),僅為國產(chǎn)同類機型的1/3——以年產(chǎn)10萬片碳化硅襯底為例,使用TJ320可節(jié)省設備采購成本1.5億元以上。值得一提的是,該設備已獲歐洲、東南亞客戶訂單,預計2026年全球市場份額將突破30%。

目前,天晶智能淮安生產(chǎn)基地年產(chǎn)能已達880臺,二期工程將于2026年投產(chǎn)。實際上,自2024年以來,全球12英寸碳化硅技術發(fā)展進程顯著提速,形成了“晶錠/襯底”與“工藝設備”雙線并行的突破格局。據(jù)行家說產(chǎn)研中心《2025碳化硅襯底與外延產(chǎn)業(yè)調研白皮書》初步統(tǒng)計,具體進展如下:


插播:天科合達、天岳先進、合盛新材料、中電化合物、恒普技術、京航特碳等已確認參編《2025碳化硅襯底與外延產(chǎn)業(yè)調研白皮書》,參編咨詢請聯(lián)系許若冰(hangjiashuo999)。

一、晶錠/襯底技術突破

▲ 博雅新材:2024年3月率先展示12英寸N型SiC晶錠。

▲ 天岳先進:2024年11月,成功研制12英寸高純碳化硅襯底、8/12英寸P型碳化硅襯底。

▲ 爍科晶體:2024年12月全球首發(fā)12英寸高純半絕緣碳化硅襯底、導電N型碳化硅襯底產(chǎn)品。

▲ 天科合達:于2025年3月Semicon展上推出12英寸熱沉級碳化硅襯底。

▲同光股份:Semicon展會上向業(yè)界展示了12英寸導電型碳化硅晶錠(20+mm)。

▲?浙江晶瑞:Semicon展會上,晶盛機電全資子公司SuperSiC浙江晶瑞首次公開展出了多晶12英寸碳化硅襯底戰(zhàn)略產(chǎn)品。

來源:《2025碳化硅襯底與外延產(chǎn)業(yè)調研白皮書》

二、工藝設備協(xié)同升級

▲ 西湖儀器:Semicon展會上,西湖儀器攜旗下最新的12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案亮相。

▲ 大族半導體:于2025年3月攜SiC激光剝片整線裝備、12英寸SiC激光剝離片等前沿技術與創(chuàng)新解決方案驚艷亮相Semicon展會。

▲?山西天成:12英寸碳化硅長晶爐已進入爐體組裝和工藝調試階段,計劃今年第三季度投放市場

▲?晶馳機電:首創(chuàng)電阻法多尺寸兼容SiC設備,實現(xiàn)全球首個“8/12英寸雙軌生產(chǎn)”模式。

現(xiàn)如今,中國企業(yè)正在致力于在8英寸甚至12英寸等大尺寸襯底材料與核心設備形成技術鏈協(xié)同。值此關鍵時刻,聚焦大尺寸碳化硅量產(chǎn)及終端應用降本技術,“行家說三代半”將舉辦“2025年車規(guī)級8英寸SiC量產(chǎn)技術及汽車&數(shù)字能源應用大會”,通過打造3場專題論壇和1場專場展覽,為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈提供一個深度對話與分享的平臺。

本文發(fā)自【行家說三代半】,專注第三代半導體(碳化硅和氮化鎵)行業(yè)觀察。

相關推薦