6家SiC企業(yè)競相布局，將搶占哪些風口？

近期，碳化硅功率半導體領域進展不斷，三菱電機、華潤微電子、方正微電子、至信微電子、派恩杰半導體、納微半導體紛紛推出創(chuàng)新產品。這些新品憑借高效、節(jié)能、可靠的性能優(yōu)勢，正加速推動各應用領域的技術升級與能效提升。

三菱電機：發(fā)布家電用SiC模塊

4月15日，三菱電機集團宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。

作為該企業(yè)SLIMDIP系列中首款采用SiC技術的緊湊型端子優(yōu)化模塊，這兩款產品在小型至大型電器應用中均能實現優(yōu)異的輸出性能與功耗降低，顯著提升能效表現。此外，三菱電機新開發(fā)的SiC MOSFET芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現行硅基逆導型絕緣柵雙極晶體管（RC-IGBT）SLIMDIP模塊相比，新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外，與硅基模塊相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%，可使電器更節(jié)能。通過這兩款新型模塊與現有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合，SLIMDIP系列現可為空調等家電的逆變器電路板提供多種方案選擇。值得關注的是，三菱電機已冠名贊助““電動交通&數字能源SiC技術應用及供應鏈升級大會”，屆時將公布更多SiC 功率半導體解決方案。本次會議將于5月15日舉辦，歡迎掃碼報名參會。

華潤微電子：發(fā)布新SiC主驅模塊

4月19日，華潤微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅模塊。

該系列模塊基于成熟量產的第二代車規(guī)SiC MOS平臺，兼具SiC器件的低導通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統效率等優(yōu)異性能，在汽車主驅系統應用中展現出了強大的競爭力。

此外，此次發(fā)布的模塊產品性能對標國際主流產品，采用6管/8管并聯，通過對Vth的嚴格分檔提高芯片一致性。封裝方面，結合自主設計的Si3N4 AMB、銀燒結、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小；采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃。

方正微電子：發(fā)布車規(guī)主驅第二代SiC芯片

4月16日，方正微電子副總裁彭建華對外正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，性能達到國際頭部領先水平。

據了解，方正微電子第二代車規(guī)主驅SiC MOS在第一代的高可靠基礎上，進一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實現了在行業(yè)主流芯片面積需求條件下性能提升，可靠性3倍于行業(yè)通用認證要求，并具有低導通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）、高可靠性（＞3000小時）等特點。如今，方正微電子的車規(guī)主驅第一代SiC MOS已大規(guī)模上車，預計2025年將實現上乘用車主驅幾十萬輛車的新跨越。此外，方正微電子車規(guī)/工規(guī)SiC全系產品聚焦新能源車、光儲充、UPS、工業(yè)電源、AI服務器以及新興應用機器人、eVTOL、電動船舶等應用領域，已大規(guī)模出貨，服務行業(yè)客戶。

至信微電子：發(fā)布新SiC芯片

4月21日，至信微電子發(fā)布了 3300V 8Ω SiC MOSFET系列產品，具有以下特點：

一是性能優(yōu)勢明顯：正向電阻溫漂特性出色、電磁優(yōu)化設計、輸入電阻更小、門極電荷更低、器件電容低（輸出、反向傳輸電容行業(yè)領先）、耐浪涌和短路能力超強、體二極管性能優(yōu)異（低正向壓降、低反向恢復電荷）、工作溫度可達 175℃且保持常閉穩(wěn)定。

二是應用價值高：與商用驅動器兼容，全溫域低導通損耗，振蕩大幅降低；開關速度與效率提升，且開關尖峰少、損耗低；功率密度和系統效率更高，易于并聯且杜絕熱失控風險，系統可靠性卓越。

此外，該系列器件可用于輔助電源、1500V 光伏逆變系統、工業(yè)電機（交流伺服）、通用逆變器及特種電源領域，應用廣泛。

派恩杰半導體：發(fā)布SiC HPD模塊

4月16日，派恩杰半導體推出了SiC HPD模塊系列產品-PAAC12450CM，其采用了具有較小的RDSON溫漂特性派恩杰芯片，在其6并聯的布局設計，與傳統的8并聯競品方案實現了相近的功率密度，帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。

派恩杰PAAC12450CM(6并聯)與競品(8并聯)的損耗曲線對比具體來看，派恩杰半導體通過獨特芯片設計，使得芯片的導通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實際高溫工況下的功率輸出衰減，這意味著其可以在更嚴苛的工況條件下運行，可靠性更高。此外，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設計，具有更優(yōu)均流效果和更低寄生電感。值得關注的是，派恩杰半導體即將推出下一代SiC HPD模塊，在同樣的6并聯架構下，電流能力將從450A提升至600A。

納微半導體：發(fā)布最新SiCPAK?功率模塊

4月17日，納微半導體宣布推出最新SiCPAK?功率模塊，目標市場包括電動汽車直流快充（DCFC）、工業(yè)電機驅動、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優(yōu)化器、儲能系統（ESS）、工業(yè)焊接及感應加熱。

據了解，該模塊采用納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，可以提供業(yè)界領先的溫域性能，還能將損耗降低20%，同時運行的溫度更低并具有更卓越的魯棒性，從而為系統長期可靠性奠定基礎。此外，該模塊采用先進環(huán)氧樹脂灌封技術，通過隔絕濕氣入侵以承受高濕度惡劣環(huán)境，并通過降低功率與溫度變化引起的性能衰減以穩(wěn)定實現更高的熱耐性。