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芯片級電流傳感器方案在新能源汽車上的應(yīng)用

2018/07/04
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電動汽車上需要檢測電流的地方很多,比如 BMS, MCU, PDU車載充電器,DC-DC 等目前行業(yè)內(nèi)對電流的檢測和監(jiān)控,除了一些高端車型會采用精度更高、響應(yīng)速度更快的 HALL 閉環(huán)電流傳感器,普遍用的都是 HALL 開環(huán)方案。
 
 
HALL 電流傳感器雖然 HALL 開環(huán)電流傳感器的精度、線性度、響應(yīng)速度、溫漂特性等性能方面均不如 HALL 閉環(huán)方案,但是汽車電氣工程師普遍更在乎其能滿足一般工作要求情況的經(jīng)濟(jì)性(4-10 美金),當(dāng)下國產(chǎn)的 HALL 開環(huán)方案市場價(jià)更是有朝 3 美金方向走的趨勢。
 
 
HALL 開環(huán)方案 
 
HALL 閉環(huán)方案
 
HALL 開環(huán)電流傳感器的確有一定的經(jīng)濟(jì)性,但是其較肥大的體積,要占用很大空間也越來越受到工程師的詬病。尤其是在電動汽車行業(yè),動力模塊的小型化是各家車廠都競相研究的方向。
 
本文介紹一種電動汽車芯片級的檢測方案 ----TMR(穿隧磁阻效應(yīng)),這種方案可實(shí)現(xiàn)級小體積的芯片來精確檢測銅排或者導(dǎo)線上電流,其精度、線性度、響應(yīng)速度和溫漂特性可以媲美 HALL 閉環(huán)方案,而且該方案的成本甚至比 HALL 開環(huán)方案還有優(yōu)勢。
 
之前網(wǎng)上資料都反應(yīng)說 TMR(穿隧磁阻效應(yīng))技術(shù)很高端很強(qiáng)大,但是成本高,大家用不起。然而隨著技術(shù)的突破, TMR 技術(shù)用在電流傳感器芯片在 2016 年就市場化了,而且價(jià)格相當(dāng)?shù)挠H咱們工程師。
 
首先簡單介紹一下 TMR 概念穿隧磁阻效應(yīng)(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效應(yīng)是指在鐵磁 - 絕緣體薄膜(約 1 納米)- 鐵磁材料中,其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應(yīng)。此效應(yīng)首先于 1975 年由 MichelJulliere 在鐵磁材料(Fe)與絕緣體材料(Ge)發(fā)現(xiàn);室溫穿隧磁阻效應(yīng)則于 1995 年,由 TerunobuMiyazaki 與 Moodera 分別發(fā)現(xiàn)。此效應(yīng)更是磁性隨機(jī)存取內(nèi)存
(magneticrandomaccessmemory,MRAM)與硬盤中的磁性讀寫頭(readsensors)的科學(xué)基礎(chǔ)。 TMR 技術(shù)最初是用在硬盤中磁性讀寫頭上的,因此其對磁場檢測的精度、準(zhǔn)確度以及壽命可靠性在硬盤中經(jīng)過了幾十年的市場檢驗(yàn)。在檢測汽車動力電流時是通過檢測銅排和導(dǎo)線上電流所產(chǎn)生的磁場,再通過芯片一定的運(yùn)算來得到電流大小的。
 
 
上圖比較理論化,就是說明 TMR 技術(shù)很牛逼,直接跳過。下圖是 TMR 芯片方案的應(yīng)用圖上圖可以了解到實(shí)際應(yīng)用中:
 
 
1)檢測母排上電流,TMR 芯片方案是沒有電流限制的
 
2)檢測導(dǎo)電銅柱上的電流,TMR 芯片方案可到 KA 級別
 
3)檢測 PCB 板級的電流時,TMR 芯片方案量程在 100A 以內(nèi)
 
4)檢測銅柱 / 導(dǎo)線上采用 TMR 芯片陣列方案,量程無限制,只需套在銅柱或者導(dǎo)線上,無需固定 ---- 這也太方便了吧?

 

     
TMR 芯片方案是不需要磁芯輔助聚磁的,這個是與 HALL 電流傳感器的本質(zhì)區(qū)別。省去了磁芯的成本,封裝磁芯的成本,其價(jià)格自然就比 HALL 電流傳感器有優(yōu)勢。工程師只需要在廠家指導(dǎo)下設(shè)計(jì)放大電路就可以,非常簡單。因?yàn)椴挥么判玖耍潴w積比 HALL 電流傳感器方案要大大減小,為工程師省下大量空間,這才是 TMR 最大的優(yōu)勢。
     
另外 TMR 芯片電流檢測方案還有一個非常大優(yōu)勢就是帶寬高,響應(yīng)時間快。這個有什么用呢?
 
 
電動汽車電氣工程師都知道電驅(qū)動功率模塊(IGBT/MOSFET)的趨勢很快會從硅基芯片朝 SiC碳化硅)或者 GaN(氮化鎵)轉(zhuǎn)化。為什么呢?因?yàn)?SiC/GaN 功率模塊更適合高壓大電流、功率損耗極低(發(fā)熱量小、對冷卻要去低)、外圍電路更簡單,功率總成的體積比 IGBT/MOSFET 要小 30%以上,吸引力巨大呀。但是 SiC/GaN 功率模塊工作帶寬比傳統(tǒng) IGBT 要高 10 倍以上,可達(dá) 1MHZ。相應(yīng)的對電流傳感器的響應(yīng)速度要求就非常高,要達(dá)到 0.01 微秒級別。這個時候 HALL 電流傳感器是達(dá)不到的了,只能采用 TMR 電流檢測方案才能跟上。作為優(yōu)秀的汽車電氣工程師做相應(yīng)的技術(shù)儲備,多了解 TMR 電流檢測方案,才能輕松應(yīng)對技術(shù)升級。
 
 
那么 TMR 芯片電流傳感器是如何保證全溫區(qū)電流檢測精度的呢?
 
1 TMR 電流傳感器沒有磁芯,磁芯所帶來的磁滯效應(yīng)、溫漂等影響就避免了
 
2 TMR 電流傳感器的獨(dú)特布局可以抵抗外部電磁干擾,這里主要指檢測的磁場與檢測芯片平行的布局 ---- 有點(diǎn)太理論了,哈哈。
 
3 TMR 電流傳感器采用梯度差分結(jié)構(gòu)監(jiān)測磁場,進(jìn)一步提高精度
 
 
目前國外各大電流傳感器廠家都在競相研發(fā)基于 TMR 技術(shù)的芯片,但是這方面最成熟,而且能市場化量產(chǎn)的無疑就是 XXXX 公司,我們眾所周知的 LEM, MELEXIS,ALLEGRO, INFINEON, HONEYWELL 的 TMR 芯片技術(shù)都是他們家支持的呢,畢竟要市場化量產(chǎn) TMR 芯片是有門檻的。我們知道硬盤界兩大巨頭希捷和西部數(shù)據(jù)是掌握了 TMR 技術(shù)的,但是人家硬盤界的巨頭看不上電流傳感器的市場,也就沒往這方面發(fā)展。
 
國內(nèi)已經(jīng)有比亞迪和陽光電源采用了 TMR 芯片電流檢測方案,畢竟新技術(shù)只有行業(yè)龍頭才有實(shí)力驗(yàn)證其可靠性,然而這種新技術(shù)也給這些龍頭在提高性能的同時節(jié)約了大量成本,嘗到了甜頭??梢灶A(yù)計(jì)未來電動汽車電流檢測技術(shù)一定是 TMR 的天下了。本人因?yàn)楣ぷ髟?,?TMR 電流傳感器技術(shù)了解一點(diǎn),寫出一點(diǎn)心得供大家交流。如果錯漏之處還請各位大蝦指正。

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筆者 朱玉龍,一名汽車行業(yè)的工程師,2008年入行,做的是讓人看不透的新能源汽車行業(yè)。我學(xué)的是測試和電路,從汽車電子硬件開始起步,現(xiàn)在在做子系統(tǒng)和產(chǎn)品方面的工作。汽車產(chǎn)業(yè)雖然已經(jīng)被人視為夕陽產(chǎn)業(yè),不過我相信未來衣食住行中的行,汽車仍是實(shí)現(xiàn)個人自由的不二工具,愿在汽車電子電氣的工程方面耕耘和努力,更愿與同行和感興趣的朋友分享見解。