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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。收起

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  • 《元器件動態(tài)周報》——高關(guān)稅困擾下的存儲市場表現(xiàn)
    核心觀點 2025年4月份存儲市場整體存儲器件需求穩(wěn)步增長，部分器件在四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲； 整體庫存水位持續(xù)下降，NAND和傳統(tǒng)DRAM交貨時間不斷延長； 受關(guān)稅影響，原材料成本上揚傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，推動現(xiàn)貨市場部分存儲價格走強。 三大維度解讀存儲器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 4月，四方維商品動態(tài)商情存儲需求指數(shù)環(huán)比上升7.38%，同比下降-29.71%。 小型語言模型的興起，
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    04/24 08:04
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