芯耀
1591
作者 | 方文三
由于去年NAND產(chǎn)品價格低迷，為預防供過于求的問題，美光、三星、SK海力士、鎧俠等公司自2024年第四季度起陸續(xù)實施了減產(chǎn)措施。
盡管減產(chǎn)的幅度不及之前，但這些措施緩解了市場供需失衡的狀況。
此前，分析機構(gòu)預測2025年上半年NAND價格將持續(xù)下跌，直至下半年才可能有所改善。
然而，從3月份開始，多家原廠頻繁醞釀漲價，這一現(xiàn)象比預期來得更為迅速。
存儲巨頭再一次集體開始漲價
近期，存儲芯片市場出現(xiàn)價格上漲趨勢，多家國際存儲行業(yè)領先企業(yè)已宣布自4月起對其部分產(chǎn)品實施價格上調(diào)，國內(nèi)存儲廠商亦相繼提升了產(chǎn)品提貨價格。
全球第三大DRAM制造商美光科技于3月25日宣布漲價，表示[與存儲器半導體相關的業(yè)務領域需求出現(xiàn)了意料之外的增長]。
美光公司也通知將對新訂單實施價格增長，預計平均漲幅約為11%。
NAND存儲器的主要制造商閃迪公司宣布自4月1日起對其所有渠道和消費類產(chǎn)品的價格進行超過10%的提升。
韓國媒體報道，三星電子目前正在與全球主要客戶協(xié)商提高存儲芯片價格的事宜，提議價格提升幅度為3%至5%。
報道中提到，三星電子在半導體定價策略上一向持保守態(tài)度，在供應過剩和需求放緩的情況下，通常難以實現(xiàn)價格上漲。
但當前情況有所不同，由于客戶開始囤積庫存，導致對存儲芯片的需求大幅增加。
據(jù)渠道方面的信息反饋，國產(chǎn)存儲器品牌致態(tài)公司宣布，自4月起將對其提貨價格進行上調(diào)，預計漲幅可能超過10%。
從國內(nèi)市場的角度來看，國產(chǎn)NAND產(chǎn)品近期的價格上漲幾乎已成定局。
近期，一家國內(nèi)存儲模組制造商的負責人指出，今年所有存儲芯片原廠的價格均有所上漲。
幾家存儲芯片原廠在同一時期內(nèi)的報價相近，差異不大。
其中，[小容量NAND是本輪價格上漲中反應最快的類別，也是最先出現(xiàn)反彈的品種]。
在當前的物價上漲趨勢中，HBM備受矚目。
諸如英偉達、AMD等半導體制造商紛紛搶購最新的HBM3E產(chǎn)品，導致其價格環(huán)比上升3%至8%。
為了在技術領域占據(jù)領先地位，美光公司投資70億美元在新加坡建立了一個先進的封裝工廠，預計將于2026年開始批量生產(chǎn)HBM3E以及更先進的HBM4芯片。
物價上漲的影響正在產(chǎn)業(yè)鏈中逐級擴散。
芯片制造商調(diào)整價格后，中游固態(tài)硬盤核心部件1Tb QLC晶圓的價格已經(jīng)上漲至4.9美元，而16GB內(nèi)存條所用的DDR4顆粒價格已突破2.2美元/顆。
根據(jù)市場研究機構(gòu)DRAMeXchange于4月1日發(fā)布的報告，通用NAND閃存產(chǎn)品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易價格為2.51美元，環(huán)比增長9.61%。
NAND閃存價格自2024年9月以來連續(xù)四個月呈下降趨勢，但在今年1月出現(xiàn)反彈，并連續(xù)三個月上漲。
此波價格上漲并非偶然多重因素疊加
此輪價格上漲的主要推動力源自供應端。
若原廠繼續(xù)以控制庫存和提高價格為主要策略，預計短期內(nèi)現(xiàn)貨市場存儲價格可能保持上升趨勢。
首先，AI大模型的迅猛發(fā)展帶動了數(shù)據(jù)中心對高容量、高速存儲芯片的強勁需求。
NAND與DRAM作為核心配套資源，采購量同比增長超過40%。
此外，智能汽車、邊緣計算設備的廣泛普及也為高性能存儲芯片開辟了新的增長市場。
存儲行業(yè)素有[三大漲價利器]，而此次三大巨頭的集體價格上漲，顯然與這些因素密切相關。
在減產(chǎn)方面，2024年第四季度，三星、SK海力士、美光三大企業(yè)默契地形成了[減產(chǎn)聯(lián)盟]，導致NAND芯片的總產(chǎn)量減少了13.7%。
相當于全球范圍內(nèi)減少了2.4億個1TB固態(tài)硬盤的生產(chǎn)，這顯著地改變了市場的供需平衡。
與此同時，自然災害也成為了價格上漲的推手。
2024年11月，韓國釜山的三星工廠遭遇了突發(fā)的[停電事故]，官方聲稱損失了3萬片晶圓的產(chǎn)能。
同樣地，在2024年第四季度，美光位于中國臺灣省的工廠發(fā)生了小規(guī)模火災，工廠隨后宣布[部分產(chǎn)能受損]。
這一事件被網(wǎng)友戲謔地稱為[存儲廠的消防系統(tǒng)似乎總在價格上漲前出現(xiàn)故障]。
除了減產(chǎn)和所謂的自然災害外，需求炒作也是價格上漲的關鍵因素。
OpenAI被曝光大量囤積SSD，據(jù)某供應鏈高管透露，他們購買硬盤如同購買礦泉水一般，以集裝箱為單位進行采購。
在消費端，手機和電腦等設備對存儲的需求也在急劇上升，例如小米14 Ultra的[AI寫真]功能每天生成100張照片，消耗10GB的存儲空間；
聯(lián)想AI PC要求最低配置為1TB SSD，有用戶實測發(fā)現(xiàn)，在安裝了Win12和AI助手后，512GB的硬盤迅速被填滿。
此外，新能源汽車的[智能座艙]也成為了存儲芯片市場的新興戰(zhàn)場。
例如，理想L9的車載系統(tǒng)占用256GB存儲空間，小鵬XNGP智駕系統(tǒng)每天產(chǎn)生50GB的數(shù)據(jù)。
甚至有報道稱特斯拉考慮取消[終身免費云存儲]服務，轉(zhuǎn)而采用[車端1TB硬盤訂閱制]，預計月費可能達到99元。
此外，端側(cè)AI的快速發(fā)展，使得AI耳機、AI眼鏡、AI玩具等產(chǎn)品進入高速成長期，這也推動了存儲芯片的量價齊升。
可以預見的是，在未來一段時間內(nèi)，內(nèi)存價格上漲將不再是意外，而將成為市場的新常態(tài)。
市場行情之外存儲技術趨勢凸顯
QLC閃存已在企業(yè)級SSD中得到廣泛應用，特別是在AI服務器和大數(shù)據(jù)存儲領域，QLC憑借其高容量和低成本的優(yōu)勢，已成為首選技術。
QLC閃存性能已顯著提升，尤其在隨機讀取和寫入性能方面，QLC已接近甚至超越了早期的TLC（三層單元）閃存。
隨著QLC技術的不斷成熟，預計在未來幾年內(nèi)，QLC將在消費級和企業(yè)級存儲市場中占據(jù)更大的份額。
Solidigm推出的QLC SSD，經(jīng)過多年的深耕，已累計出貨超過100EB，服務于全球70%的OEM AI方案供應商，深受數(shù)據(jù)中心和企業(yè)客戶的青睞。
長江存儲亦基于自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)，推出了X4-6080（2Tb QLC）產(chǎn)品。
其次，HBM與DRAM的技術演進也是存儲市場的重要技術方向。
以DeepSeek為例，目前其40%-60%的組件是通過SSD存儲產(chǎn)品實現(xiàn)的，這些都屬于基礎設施的一部分，這也凸顯了DRAM和HBM在其中所扮演的關鍵角色。
在接口技術方面，PCIe 5.0的快速普及是存儲市場的一個重要趨勢，國內(nèi)廠商正在加快布局。
聯(lián)蕓科技方小玲博士在演講中提到，隨著AI 2.0時代的全面來臨，AI PC將會快速崛起，隨之而來的PCIe 5.0 SSD將迎來爆發(fā)性增長。
聯(lián)蕓科技為滿足市場需求，即將推出MAP1802和1806這兩款高PCIe5.0的SSD主控芯片。
MAP1806采用16TB大容量設計，能夠充分滿足對大容量、高性能有迫切需求的AI應用場景；
英韌科技的PCIe 5.0主控已于去年量產(chǎn)，并已布局了相關企業(yè)級產(chǎn)品矩陣，包括PCIe 5.0的QLC SSD產(chǎn)品，公司有意在明年推出PCIe 6.0相關產(chǎn)品。
結(jié)尾：
行業(yè)分析專家指出，此次物價上漲趨勢可能會持續(xù)至2026年底。
據(jù)集邦咨詢顧問最新調(diào)研報告預測，2025年第二季度，NAND Flash（閃存存儲器）價格預計將較第一季度增長0%至5%；
3D NAND Wafers（三維NAND晶圓）價格環(huán)比增長預計為10%至15%；
Client SSD（客戶端固態(tài)硬盤）價格環(huán)比增長預計為3%至8%。
TrendForce預測，NAND Flash的價格在第三季度環(huán)比增長將達到10%-15%，并在第四季度進一步增長至13%。
部分資料參考：富算：《存儲界[大地震]：閃迪、美光、長江存儲領銜，漲價潮來襲！》，半導體產(chǎn)業(yè)縱橫：《存儲芯片，正式漲價》，全球半導體觀察：《存儲市場價格風云再起：行情回暖，國產(chǎn)廠商加速崛起》，科創(chuàng)板日報：《存儲芯片漲價潮！三星、海力士加入》，文刀芯：《存儲春風來臨，漲價將持續(xù)多久？》，芯師爺：《存儲原廠連發(fā)漲價函，市場行情真相如何？》，鈦媒體：《芯片巨頭集體漲價！AI能否重塑存儲芯片行業(yè)新格局》，半導體前線：《芯片巨頭美光發(fā)漲價函！或漲價11%？》，中經(jīng)e商圈：《存儲市場現(xiàn)漲價信號！》，企業(yè)IT觀察：《美光宣布內(nèi)存漲價10%-15%》
