SK海力士與臺(tái)積電開(kāi)發(fā)HBM4，三星慌了

SK海力士正與臺(tái)積電合作，生產(chǎn)下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）并推進(jìn)尖端封裝技術(shù)。

SK海力士近日在臺(tái)北與臺(tái)積電簽署技術(shù)合作諒解備忘錄（MOU），并于4月19日宣布計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)HBM4（第六代HBM），計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

人工智能（AI）半導(dǎo)體市場(chǎng)最大客戶(hù)英偉達(dá)（NVIDIA）正在從SK海力士采購(gòu)用于人工智能計(jì)算任務(wù)核心的圖形處理單元（GPU）的HBM，并將封裝委托給臺(tái)積電。

SK海力士表示，“作為AI存儲(chǔ)器的全球領(lǐng)導(dǎo)者，我們將與臺(tái)積電聯(lián)手，帶來(lái)HBM技術(shù)的又一次創(chuàng)新，我們將基于客戶(hù)、代工廠(chǎng)和存儲(chǔ)器三個(gè)方面克服存儲(chǔ)器性能的限制，合作將取得突破?！?/p>

通過(guò)此次合作，兩家公司將尋求提高安裝在 HBM 封裝底部的基礎(chǔ)芯片的性能。HBM 在基礎(chǔ)芯片頂部制造核心芯片（即單獨(dú)的 DRAM 芯片），并使用穿硅電極 (TSV) 技術(shù)將它們垂直連接，基礎(chǔ)芯片與GPU相連，起到控制HBM的作用。

此前，SK海力士使用自己的DRAM工藝制造基礎(chǔ)芯片，直至第五代HBM HBM3E，但宣布計(jì)劃從HBM4開(kāi)始使用臺(tái)積電的超精細(xì)邏輯邊緣工藝添加各種系統(tǒng)功能。

HBM4 必須實(shí)現(xiàn)接近 HBM3 兩倍的高速和高容量性能，為此，基礎(chǔ)芯片必須執(zhí)行系統(tǒng)半導(dǎo)體所需的各種功能，而不僅僅是像現(xiàn)有 HBM 那樣簡(jiǎn)單地連接 DRAM 芯片和 GPU。這種類(lèi)型的基片很難使用現(xiàn)有的通用 DRAM 工藝來(lái)制造。SK海力士相關(guān)人士表示：“通過(guò)與臺(tái)積電合作，我們計(jì)劃生產(chǎn)定制化HBM，滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)性能和功效的廣泛需求。”

HBM是面向人工智能的超高性能DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）產(chǎn)品，也是當(dāng)下存儲(chǔ)廠(chǎng)商的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。而全球存儲(chǔ)器供應(yīng)由SK海力士、三星和美光三大存儲(chǔ)巨頭主導(dǎo)，其中，SK海力士以53%的市場(chǎng)份額占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)地位。

HBM通過(guò)垂直連接多個(gè)DRAM，可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度，實(shí)現(xiàn)小體積、高帶寬和高速傳輸，滿(mǎn)足高性能人工智能服務(wù)器GPU需求。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開(kāi)發(fā)。