兩項閃存技術革新，美光、鎧俠各有動作

DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。

值得一提的是，為了提升存儲技術的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。

鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！

在近期召開的2025年IEEE ISSCC學術會議上，鎧俠與閃迪聯(lián)合發(fā)布了專為AI應用場景設計的全新的3D閃存解決方案。

據(jù)悉，該方案采用Toggle DDR6.0接口標準和SCA協(xié)議，將NAND接口速度提升至4.8Gbps，較第八代產品提高了33%；通過PI-LTT技術顯著降低了功耗，數(shù)據(jù)輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。另外，332層堆疊和優(yōu)化平面布局，進一步增強了存儲密度（位密度提升 59%）。

存儲行業(yè)正努力提升3D NAND閃存的堆疊層數(shù)，以滿足高容量存儲需求。而隨著數(shù)據(jù)中心、AI和邊緣計算等領域的發(fā)展，這些新興應用場景將為NAND Flash市場提供新的增長動力。

展望未來，鎧俠與閃迪同樣將繼續(xù)合作，提升存儲容量與性能，二者合作的第九代產品將利用CBA技術融合現(xiàn)有存儲單元技術和新CMOS技術，實現(xiàn)高性價比。第十代產品將進一步提升容量、速度和功耗表現(xiàn)，以滿足未來數(shù)據(jù)中心和AI應用的需求。

資料顯示，CBA技術是指結合CMOS創(chuàng)新與成熟的存儲單元設計，打造兼具高性能、低功耗和經濟性的解決方案。

美光攜手Astera Labs：PCIe 6.0 SSD速度提升至27GB/s

2月20日消息，美光攜手Astera Labs共同宣布，雙方已成功將SSD性能提升至全新境界，并圓滿完成了PCIe 6.0互操作性演示。

早在2024年8月，美光于FMS峰會推出了專為生態(tài)系統(tǒng)設計的首款PCIe 6.0 SSD，憑借26GB/s順序讀取速度刷新了存儲技術的邊界，引發(fā)業(yè)界極大關注。

在近期召開的DesignCon 2025大會上，Astera Labs演示了業(yè)界首個PCIe 6.0交換機與PCIe 6.0 SSD端點之間的互操作性，展示了其PCIe交換機與美光SSD配合使用時的能力。此次合作演示中，美光PCIe 6.0 SSD實現(xiàn)了高達27 GB/s的性能，業(yè)界認為，這可能是迄今為止速度最快的PCIe 6.0 SSD演示。

通過與Astera Labs的合作和互操作性測試，美光能夠確保其PCIe 6.0 SSD與業(yè)界領先的PCIe 6.0交換機兼容，從而為用戶提供更穩(wěn)定、更高效的存儲解決方案。