合計(jì)近36億元！2座8吋SiC廠公布新進(jìn)展

近期，2個8英寸SiC晶圓廠傳最新進(jìn)展：

●?東部高科（DB Hitech）：已在今年2月實(shí)現(xiàn)8英寸SiC晶圓的生產(chǎn)，將在2025歐洲PCIM上展出。

●?Vishay：計(jì)劃投資2.5億英鎊（約23.5億人民幣），加速將Newport晶圓廠改造為8英寸車規(guī)級碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)基地。

東部高科：實(shí)現(xiàn)8英寸SiC的生產(chǎn)

據(jù)韓媒4月7日報道，韓國東部高科（DB Hitech）近日透露，已在今年2月通過全自主工藝實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC晶圓的生產(chǎn)與驗(yàn)證；并同時開發(fā)了8英寸GaN 650V HEMT工藝，計(jì)劃年內(nèi)完成可靠性驗(yàn)證。

據(jù)悉，東部高科將攜以上最新SiC/GaN突破、BCDMOS（復(fù)合電壓器件）以及專用圖像傳感器工藝等參加下個月的在德國舉辦的2025歐洲PCIM展會。

資料顯示，東部高科是一家專門從事8英寸代工的公司，此前他們一直致力于開發(fā)6英寸SiC工藝，而未來他們將在6英寸工藝基礎(chǔ)上開發(fā)量產(chǎn)8英寸SiC工藝。

目前，東部高科擁有兩座8英寸晶圓代工廠，一座Fab1位于韓國京畿道富川市，另一座工廠Fab2位于韓國忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，2024年10月，東部高科宣布將在Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計(jì)劃先行建設(shè)8英寸SiC產(chǎn)線。

東部高科某高層表示，這項(xiàng)投資預(yù)計(jì)到2027年10月末將投入總計(jì)2500億韓元（約12.45億人民幣）、到2030年投入1.7萬億韓元（約88.74億人民幣）。截至當(dāng)時，東部高科已進(jìn)入建立8英寸試點(diǎn)工藝的最后階段。預(yù)計(jì)從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設(shè)備，建立正式的量產(chǎn)體系，項(xiàng)目投產(chǎn)后，其8英寸SiC晶圓產(chǎn)能將達(dá)3.5萬片/月。

Vishay：投資近24億擴(kuò)建Newport晶圓廠

3月27日，據(jù)外媒報道，英國政府近日宣布，Vishay計(jì)劃投資2.5億英鎊（約23.5億人民幣），用于加速其位于英國南威爾士紐波特的8英寸SiC晶圓廠改造，擴(kuò)大碳化硅功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。

報道稱，該投資將支持先進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體的生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將在該地區(qū)創(chuàng)造超500個高技能工作崗位。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，Vishay于2023年11月以1.77億美元（約合人民幣12.88億元）現(xiàn)金收購了安世半導(dǎo)體的8英寸硅基晶圓廠（Newport晶圓廠），用于改造為8英寸車規(guī)級碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)基地，推進(jìn)SiC MOSFET的商業(yè)化進(jìn)程。

2024年11月，Vishay確認(rèn)初步投資5100萬英鎊用于Newport工廠的一階段建設(shè)，這筆資金包含了來自威爾士政府提供的500萬英鎊。Vishay表示，未來他們將長期計(jì)劃將向該廠注資10億英鎊（超91億人民幣），以加快車規(guī)SiC/GaN規(guī)?；圃煊?jì)劃。