芯耀
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與非網(wǎng) 10 月 18 日訊，國電南瑞公告，公司擬與國家電網(wǎng)有限公司(簡稱“國網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(簡稱“聯(lián)研院”)共同投資設立南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司。其中，國電南瑞以“IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊產(chǎn)業(yè)化項目”的部分募集資金 55864.45 萬元出資，占合資公司 69.83%的股權；聯(lián)研院以技術作價出資 24135.55 萬元（該出資技術的評估值已經(jīng)國有資產(chǎn)管理單位備案），占合資公司 30.17%的股權。
國電南瑞科技股份有限公司成立于 2001 年 2 月 28 日，是一所科技公司。是由南京南瑞集團公司作為主發(fā)起人，以南京南瑞集團公司下屬三家分公司的資產(chǎn)經(jīng)過重組，聯(lián)合其它七家戰(zhàn)略投資者共同發(fā)起設立，2003 年 9 月 24 日在上海證券交易所上市，簡稱“國電南瑞”。
公司此次擬增加“IGBT 模塊產(chǎn)業(yè)化項目”的實施主體，以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資與聯(lián)研院以技術作價出資共同投資設立合資公司,即由該合資公司實施 IGBT 模塊產(chǎn)業(yè)化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額 55864.45 萬元，占“IGBT 模塊產(chǎn)業(yè)化項目”投資額的 33.98%，占公司募集資金總籌資額的 9.15%，相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是國家產(chǎn)業(yè)政策重點支持發(fā)展的功率半導體器件，技術難度大、研發(fā)及產(chǎn)線建設周期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業(yè)壟斷，目前國內高端人才缺乏，國內僅有少量廠商開展高壓 IGBT 研制業(yè)務。聯(lián)研院是國網(wǎng)公司直屬科研單位，國內首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關鍵技術和設備開發(fā)的高端科研機構。聯(lián)研院于 2010 年開始研究功率半導體器件，擁有 100 多人的技術團隊和先進的功率器件中試線，是國內少數(shù)掌握高壓 IGBT 芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域，聯(lián)研院承擔國家科技重大專項(02 專項)“國產(chǎn)高壓大功率 IGBT 模塊電力系統(tǒng)應用工程”等攻關任務，自主研發(fā)了 1200V 至 4500V 系列 IGBT、FRD 芯片及器件，其中 3300V/1500A 壓接式和焊接式 IGBT 器件，掌握成套的設計、制備等核心技術，打破了國外技術壟斷，成功研制 1200V 至 6500V 碳化硅二極管樣品，實現(xiàn)了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。
通過與聯(lián)研院合作，有利于公司降低 IGBT 等功率器件技術研發(fā)及產(chǎn)品批量化生產(chǎn)的風險，保障中低壓、加快高壓 IGBT 等功率半導體芯片及模塊研制和產(chǎn)業(yè)化進程。為加快公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸和產(chǎn)業(yè)升級，增強企業(yè)核心競爭力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項目投資風險，公司擬以“IGBT 模塊產(chǎn)業(yè)化項目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設立合資公司，并增加合資公司為該項目的實施主體。
