半導(dǎo)體

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常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料

常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料收起

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  • 揭秘鎂伽科技:從生命科學(xué)到半導(dǎo)體,AI如何助力其成功突圍?
    本期話題:跨界破局:鎂伽如何憑底層共性從生命科學(xué)跨界半導(dǎo)體?數(shù)字孿生+人工智能模塊:實(shí)現(xiàn)工廠設(shè)備互聯(lián)互通;獨(dú)角獸進(jìn)擊:鎂伽如何借助AI實(shí)現(xiàn)彎道超車?
    揭秘鎂伽科技:從生命科學(xué)到半導(dǎo)體,AI如何助力其成功突圍?
  • 28納米以下先進(jìn)制程為何離不開(kāi)HKMG工藝
    在半導(dǎo)體制造的不斷演進(jìn)中,先進(jìn)制程的發(fā)展一直是推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。當(dāng)制程工藝推進(jìn)到28納米及以下,HKMG(High-K Metal Gate,高介電常數(shù)金屬柵極)技術(shù)成為了不可或缺的存在。 從物理原理角度來(lái)看,隨著制程尺寸縮小,傳統(tǒng)材料和技術(shù)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在晶體管中,柵極作為控制電流的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),其性能直接影響著芯片的整體表現(xiàn)。當(dāng)制程進(jìn)入28納米以下,若繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO?)作為柵
  • 機(jī)器“掘金潮”:面向人工智能時(shí)代擴(kuò)展基礎(chǔ)設(shè)施
    作者:是德科技Jenn Mullen 在淘金熱時(shí)期,懷揣著致富夢(mèng)想的探礦者們紛紛涌入美國(guó)西部,希望通過(guò)淘金發(fā)家致富。如今,科技領(lǐng)域的開(kāi)拓者也同樣躍躍欲試,希望在人工智能(AI)領(lǐng)域大展拳腳。普華永道(PWC)估計(jì),到2030年,全球經(jīng)濟(jì)總收益的45%將由人工智能驅(qū)動(dòng),越來(lái)越多的行業(yè)將受益于人工智能帶來(lái)的生產(chǎn)力和產(chǎn)品性能提升。普華永道的研究進(jìn)一步指出,人工智能有望為全球GDP額外貢獻(xiàn)15.7萬(wàn)億美元
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  • 手機(jī)高溫禁區(qū)突圍 英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告
    "當(dāng)你的手機(jī): 邊快充邊玩《悟空》時(shí)?→電感溫度飆升至110℃ 4K視頻連續(xù)拍攝時(shí)?→電感持續(xù)工作在85℃+ 地鐵刷劇1小時(shí)后?→主板形成局部高溫區(qū) 傳統(tǒng)電感正在經(jīng)歷材料疲勞的隱形崩塌..." 1. 實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比(嚴(yán)于車載產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)) 2. 實(shí)驗(yàn)前后形態(tài)對(duì)比(產(chǎn)品內(nèi)、外部無(wú)開(kāi)裂情形) 3、性能驗(yàn)證:同規(guī)格產(chǎn)品與某臺(tái)系規(guī)格參數(shù)比對(duì)試驗(yàn)后平均降幅小 ·?L值測(cè)試設(shè)備:Keysight E4980A LC
  • 半導(dǎo)體"權(quán)力游戲":GAAFET
    北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出全球首款二維GAAFET晶體管,以鉍材料突破接觸電阻量子極限,開(kāi)啟后摩爾時(shí)代。這項(xiàng)成果在《自然》發(fā)表,實(shí)測(cè)性能超越國(guó)際巨頭,二維堆疊技術(shù)使中國(guó)半導(dǎo)體站上1納米制程競(jìng)爭(zhēng)最前沿。
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