在半導(dǎo)體制造的不斷演進(jìn)中,先進(jìn)制程的發(fā)展一直是推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。當(dāng)制程工藝推進(jìn)到28納米及以下,HKMG(High-K Metal Gate,高介電常數(shù)金屬柵極)技術(shù)成為了不可或缺的存在。 從物理原理角度來(lái)看,隨著制程尺寸縮小,傳統(tǒng)材料和技術(shù)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在晶體管中,柵極作為控制電流的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),其性能直接影響著芯片的整體表現(xiàn)。當(dāng)制程進(jìn)入28納米以下,若繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO?)作為柵