半導(dǎo)體工藝

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  • 如何看待中國的半導(dǎo)體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
    突破7nm制程瓶頸，既需要短期內(nèi)的技術(shù)攻堅，也需要長期的戰(zhàn)略布局。當(dāng)前，中國的7nm制程技術(shù)尚未達(dá)到全球頂尖水平，尤其是在極紫外（EUV）光刻機(jī)等關(guān)鍵前道制造設(shè)備上，仍然依賴外部供應(yīng)。要突破這一瓶頸，必須依賴自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新。
    如何看待中國的半導(dǎo)體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
  • FD-SOI，半導(dǎo)體“特色”工藝之路能否走通？
    在進(jìn)入28納米節(jié)點(diǎn)時，半導(dǎo)體邏輯制造工藝出現(xiàn)了分岔。一條路線走向了三維工藝，即大家所熟知的FinFET，代表廠商有臺積電、英特爾和中芯國際等晶圓制造廠商；另一條路線則還在堅持平面工藝，被稱為FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡硅型絕緣體上硅），代表廠商有意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）。三星電子與格羅方德（GlobalFoundries）則兩條腿走路，對FinFET與FD-SOI都有布局，但三星的先進(jìn)邏輯制造工藝還是以FinFET為主。
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    2024/10/31
    FD-SOI，半導(dǎo)體“特色”工藝之路能否走通？
  • 為什么器件失效分析需要Nano-probe機(jī)臺？
    器件失效分析（Failure Analysis，F(xiàn)A）關(guān)系到集成電路的質(zhì)量控制、產(chǎn)品可靠性以及產(chǎn)量優(yōu)化。在分析過程中，工程師必須準(zhǔn)確定位失效源頭，分析失效機(jī)理并找到解決方法。其中，Nano-probe（納米探針）作為一項關(guān)鍵的微納級分析工具，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)工藝制程中，如5nm、7nm、16nm等。
    為什么器件失效分析需要Nano-probe機(jī)臺？
  • 為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺？
    失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優(yōu)化制造工藝的重要環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的進(jìn)步，特別是進(jìn)入5nm、7nm等先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)后，器件失效模式變得更為復(fù)雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進(jìn)行失效定位和機(jī)理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡稱AFM）就是其中一種重要的分析工具。
    為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺？
  • 東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”
    電子束量測檢測設(shè)備是芯片制造裝備中除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類別之一，深度參與光刻環(huán)節(jié)、對制程節(jié)點(diǎn)敏感并且對最終產(chǎn)線良率起到至關(guān)重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學(xué)系統(tǒng)（Electron?Optical?System，簡稱EOS），決定設(shè)備的成像精度和質(zhì)量， 進(jìn)而決定設(shè)備的性能。 作為電子束量測檢測領(lǐng)域的先行者、領(lǐng)跑者，東方晶源始終堅持自主研發(fā)，不斷深化研發(fā)投入、加速技術(shù)創(chuàng)新步伐，致力于為客
    東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”