氮化鎵芯片

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  • 這家晶圓廠獲18億投資，將生產(chǎn)氮化鎵芯片
    4月6日，據(jù)外媒“the telegraph”報道，英國國防部長約翰·希利 (John Healey) 將向英國一家國有芯片工廠投資2億英鎊（約人民幣18.89億），用于對晶圓廠進行升級，以生產(chǎn)制造氮化鎵芯片。
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  • AMEYA360代理：羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下簡稱“臺積公司”)就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積公司業(yè)界先進的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢結(jié)合起來，滿足市場對高耐壓和
  • 氮化鎵芯片到底是怎么做的呢？
    氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應(yīng)用前景越來越廣闊，例如在新能源汽車、光伏發(fā)電、通信基站等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。因此，研究和開發(fā)氮化鎵芯片的制備方法和技術(shù)對于推動科技進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
  • 氮化鎵快充控制芯片是什么
    氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，充電速度提高了三倍。
  • 不知道該如何選擇氮化鎵芯片？
    GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件?？梢燥@著降低功率損耗和散熱負載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可有效降低能量損耗。從第一個氮化鎵快充源的量產(chǎn)，到上百種氮化鎵新產(chǎn)品涌入市場，短短幾年時間，整個氮化鎵快充源市場的容量增長了百倍。在過去，只有少數(shù)幾個第一代氮化鎵快速充電源。氮化鎵第三方配件品牌敢于嘗試的技術(shù)，如今已經(jīng)成為一線手機和筆記本電腦品牌的必備產(chǎn)品。我們不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。