IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳收起

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  • 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長
    百尺竿頭更進一步，中流擊水正當其時。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績公告。2024年，公司各季度營收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅(qū)動業(yè)務發(fā)展，在行業(yè)波動中交出逆勢增長答卷： 實現(xiàn)營收65.09億，其中主營收入62.76億元，同比增長27.8% 歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正達1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.45億元，同比增長
    芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長
  • 黑龍江IGBT項目即將投產(chǎn)，年產(chǎn)能500萬個
    4月21日，“大慶政事”報道了黑龍江功率模塊項目的建設進展，該項目預計6月實現(xiàn)量產(chǎn)，年產(chǎn)能將達500萬個。該報道提到，匯芯功率半導體模塊生產(chǎn)制造項目是由廣東匯芯半導體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導體有限公司投資建設，該項目力爭5月底達到試生產(chǎn)條件，預計6月份實現(xiàn)量產(chǎn)，屆時，全球首條智能功率模塊AI示范封測線將投產(chǎn)。
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  • 南京IGBT/SiC功率模塊項目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬只
    4月23日，丹佛斯動力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用,總投資超8億元，可年產(chǎn)IGBT/SiC功率模塊250萬只，電機及電驅(qū)動產(chǎn)品10萬套。
    南京IGBT/SiC功率模塊項目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬只
  • 這家IGBT企業(yè)營收達22億，增長120%
    據(jù)“揚州日報”4月16日報道，過去幾年揚州市簽約落戶、開工建設的一批制造業(yè)重點項目，已經(jīng)或即將成長為工業(yè)經(jīng)濟的壓艙石，其中，比亞迪半導體在揚州建設的功率半導體模組及晶圓生產(chǎn)項目碩果累累。
  • 走進英飛凌無錫工廠，見證30年成長路
    1995年，英飛凌（原西門子半導體事業(yè)部）進入中國，在無錫建立了第一家工廠，開啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門子將半導體業(yè)務剝離成立英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”），彼時這家公司僅擁有5 萬名員工，主要生產(chǎn)消費電子芯片，無錫工廠也因此同步更名為英飛凌無錫。 2001年，英飛凌無錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線，奠定了領先制造工藝的基礎。 2013年，啟動智能工廠建設，開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年，英飛凌半導體（無錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合，同時提升相關制造能力和工藝水平。
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