MOSFET技術(shù)

在上一篇文章《國內(nèi)外人形機(jī)器人用MCU對(duì)比分析》中，我們對(duì)國內(nèi)外人形機(jī)器人用MCU廠家進(jìn)行了對(duì)比分析。今日，我們?cè)賮砹牧囊患乙宰灾餮邪l(fā)為核心的（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技與大多數(shù)競爭對(duì)手采用的ARM 內(nèi)核架構(gòu)不同，公司從底層架構(gòu)上將芯片設(shè)計(jì)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)、電機(jī)技術(shù)三者有效融合，用算法硬件化的技術(shù)路徑在芯片架構(gòu)層面實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制算法，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制處理

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。

工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC（碳化硅）MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導(dǎo)通電阻和增加擊穿電壓的能力而受到認(rèn)可，使其成為高壓、高效應(yīng)用的理想選擇。在本文中，我們將介紹逆變器的規(guī)格、關(guān)鍵組件和操作功能。

KLV2002采用光耦合MOSFET技術(shù)，在輸入和輸出之間提供3750Vrms的隔離，以確保在高壓環(huán)境下安全運(yùn)行。其隔離屏障由輸入側(cè)的高效GaAlAs紅外LED和輸出側(cè)的MOSFET組成，實(shí)現(xiàn)無電接觸的信號(hào)傳輸。

PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉(zhuǎn)換器，擁有 30V 輸入過壓保護(hù)，能夠驅(qū)動(dòng) 0.8A 的負(fù)載。內(nèi)部集成兩個(gè)低 RDSON 功率管，可減小導(dǎo)通損耗，提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀動(dòng)態(tài)性能，也使得外圍補(bǔ)償電路簡單，由于開關(guān)頻率固定為 600K，可以選用小尺寸電感、電容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝，可以實(shí)現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關(guān)斷電流，適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護(hù)，輸入 OVP 以及熱關(guān)斷功能。