N溝道MOSFET

PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉(zhuǎn)換器，擁有 30V 輸入過壓保護，能夠驅(qū)動 0.8A 的負載。內(nèi)部集成兩個低 RDSON 功率管，可減小導(dǎo)通損耗，提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制，可以實現(xiàn)優(yōu)秀動態(tài)性能，也使得外圍補償電路簡單，由于開關(guān)頻率固定為 600K，可以選用小尺寸電感、電容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝，可以實現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關(guān)斷電流，適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護，輸入 OVP 以及熱關(guān)斷功能。

PC2201是一款采用電流模式的降壓開關(guān)電源芯片。在輸入電壓范圍為4.7V~40V的情況下， PC2201可提供高達1A的輸出電流。PC2201內(nèi)部集成了兩個N溝道MOSFET和同步功率開關(guān)，可以在不使用外部肖特基二極管的情況下提高電源轉(zhuǎn)換效率。 PC2201還采用了專利的控制方案，在輕載時將芯片切換到節(jié)能模式，從而擴展了高效率運行的范圍。

近期，美國國家材料科學研究所（NIMS）團隊研發(fā)了世界上第一個基于金剛石n型溝道驅(qū)動的金屬氧化膜半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該成果對于以普通電子器件IC為代表的單片集成化（在一個半導(dǎo)體基板內(nèi)集成多個器件），實現(xiàn)其耐環(huán)境型互補式金屬氧化膜半導(dǎo)體（CMOS）集成電路。該研究進展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond”為題發(fā)表在Advanced Science上。這也為金剛石在功率電子學中的應(yīng)用邁出重要的一步提供了證據(jù)。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于電子電路中。MOS管根據(jù)其溝道類型可以分為N溝道和P溝道兩種類型。

在mos管中，每個晶體管都有一個柵極、漏極和匯極。而溝道是指柵極和源極（或漏極）之間形成的導(dǎo)電途徑。n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管之間最大的區(qū)別在于溝道中注入的摻雜物不同。n溝道中摻雜的是與硅原子電子數(shù)量相比較少的雜質(zhì)（如磷），而p溝道中摻雜的則是與硅原子電子數(shù)量相比較多的雜質(zhì)（如硼）。