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一位德國(guó)老專家眼中的功率器件技術(shù)之美

原創(chuàng)
2014/05/29
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“抱歉我不會(huì)講中文,我的英文也不是很標(biāo)準(zhǔn),但是我相信臺(tái)下的同學(xué)們的能力,應(yīng)該聽(tīng)得懂接下來(lái)我要講的內(nèi)容?!?月28日在英飛凌高校日南航站的演講中,來(lái)自德國(guó)的英飛凌功率器件技術(shù)專家,IEEE協(xié)會(huì)顧問(wèn)Leo Lorenz以上面一段話作為他的開(kāi)場(chǎng)白。從稍后提問(wèn)環(huán)節(jié)的熱烈程度可知Leo說(shuō)的沒(méi)錯(cuò),這和Leo深入淺出的演講內(nèi)容有關(guān),而能和如此資深的技術(shù)專家面對(duì)面交流,同學(xué)們當(dāng)然也不會(huì)錯(cuò)過(guò)這樣難得的機(jī)會(huì)。

Leo Lorenz在英飛凌高校日南航站為同學(xué)們帶來(lái)精彩技術(shù)演講

同學(xué)們深深被吸引

互動(dòng)很踴躍

演講結(jié)束后與非網(wǎng)記者又和Leo做了深入的溝通,這位謙和而嚴(yán)謹(jǐn)?shù)睦险吒覀兎窒砹怂麑?duì)功率器件技術(shù)當(dāng)前熱點(diǎn)以及未來(lái)發(fā)展路徑的想法,包括:


1. 隨著全面電子化、智能化社會(huì)的飛速發(fā)展,能耗問(wèn)題已經(jīng)顯得刻不容緩,由此將給功率器件帶來(lái)極樂(lè)觀的發(fā)展機(jī)遇,這點(diǎn)應(yīng)該屬于共識(shí);

2. 功率器件技術(shù)同樣面臨4大挑戰(zhàn)—高精度的控制以及高效率、高功率密度、系統(tǒng)可靠性以及高溫散熱處理;

3. Leo對(duì)目前市場(chǎng)上的混合功率器件,即一些廠商推出的號(hào)稱融合IGBTMOSFET性能優(yōu)勢(shì)的Hybrid產(chǎn)品并不看好,Leo稱這類產(chǎn)品設(shè)計(jì)復(fù)雜度提高,因?yàn)槭峭瑫r(shí)采用Bipolar和MOS工藝實(shí)現(xiàn),且在高頻和低頻時(shí)需要在兩種模式間切換,會(huì)給系統(tǒng)設(shè)計(jì)的性能帶來(lái)很大的問(wèn)題。另外,Leo對(duì)現(xiàn)有SiC BJT器件的前景也并不看好,因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/512433.html">二極管的特性決定,這些器件始終需要一個(gè)基準(zhǔn)電流才能啟動(dòng),這一點(diǎn)不能滿足未來(lái)嚴(yán)苛的能效要求,因此會(huì)逐漸被淘汰;

4. 未來(lái)10到20年,在高壓應(yīng)用領(lǐng)域,SiC MOSFET將大有作為,在低壓應(yīng)用領(lǐng)域,GaN MOSFET將大展拳腳,而現(xiàn)階段二者面臨的共同問(wèn)題是要提高良率和可靠性,在SiC MOSFET和GaN MOSFET之外,IGBT也將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用;

未來(lái)10年,功率器件的主流工藝

5. 在一些低壓和便攜式的應(yīng)用領(lǐng)域,因?yàn)槌叽绲囊螅琍MU即高集成度的電源管理產(chǎn)品將成為一種趨勢(shì),而對(duì)于高壓應(yīng)用而言,PMU還有不可克服的技術(shù)難題,同時(shí)來(lái)自應(yīng)用的高集成度的需求也并不那么明顯;

6. 封裝技術(shù)方面,3D封裝因能大大提高電源產(chǎn)品的集成度、降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度而成為一種重要的技術(shù)研發(fā)方向,而與數(shù)字類芯片不同,模擬和電源芯片因其設(shè)計(jì)的復(fù)雜度更高,對(duì)3D封裝技術(shù)提出更高要求,因此,Leo預(yù)計(jì),用于功率產(chǎn)品的3D封裝技術(shù)至少要在5年后才能進(jìn)入量產(chǎn)。

短短3個(gè)小時(shí)的活動(dòng)時(shí)間畢竟太短,相信很多同學(xué)學(xué)習(xí)中積累下來(lái)的問(wèn)題也沒(méi)辦法在這么短的時(shí)間內(nèi)得到充分解答,而正如英飛凌集成電路(北京)有限公司執(zhí)行董事劉魯偉所說(shuō),英飛凌高校日活動(dòng)的初衷,是希望通過(guò)這種方式和國(guó)內(nèi)更多的高校建立緊密的聯(lián)系,這一活動(dòng)只是一個(gè)開(kāi)始,英飛凌將通過(guò)多種形式的校企合作,為國(guó)內(nèi)高校帶來(lái)更多的前沿技術(shù)資訊以及和更多技術(shù)專家的互動(dòng)交流機(jī)會(huì),從而讓越來(lái)越多的工科學(xué)子從中受益。

與非網(wǎng)原創(chuàng)內(nèi)容,未經(jīng)許可,不得轉(zhuǎn)載。

英飛凌高校日同濟(jì)站報(bào)道:未來(lái)汽車靠我們共同打造

英飛凌

英飛凌

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡?guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國(guó)加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國(guó)加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。收起

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