全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團(tuán)旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開(kāi)關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊“D1U系列”,并且為該系列產(chǎn)品的性能提升和尺寸的小型化做出了貢獻(xiàn)。
近年來(lái),隨著以AI(人工智能)和AR(增強(qiáng)現(xiàn)實(shí))等技術(shù)為代表的IoT領(lǐng)域的發(fā)展,全球數(shù)據(jù)通信量正在不斷增長(zhǎng)。特別是對(duì)于負(fù)責(zé)進(jìn)行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言,其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下,SiC功率器件因其有助于實(shí)現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。
Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示:“通過(guò)使用SiC功率器件,可以開(kāi)發(fā)出效率更高、功率密度更高的電源產(chǎn)品。同時(shí),SiC功率器件還可以提高開(kāi)關(guān)頻率,因而可以減少無(wú)源元件和散熱件的體積。村田制作所集團(tuán)內(nèi)部設(shè)有專門負(fù)責(zé)對(duì)SiC器件制造商及其產(chǎn)品進(jìn)行評(píng)估的部門,我們此次之所以選擇ROHM,除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高以外,還在于ROHM的服務(wù)支持非常迅速,從試制階段開(kāi)始就能提供樣品。此外,我們正在開(kāi)發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiC MOSFET,相關(guān)產(chǎn)品可以滿足我們的性能要求?!?/p>
Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:“能夠?yàn)殡娫聪到y(tǒng)等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——Murata Power Solutions提供支持,我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè),在業(yè)內(nèi)率先提供先進(jìn)的元器件技術(shù)和驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案,并取得了驕人的業(yè)績(jī)。今后,ROHM將繼續(xù)與Murata Power Solutions攜手,通過(guò)面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力,從而進(jìn)一步提升電源系統(tǒng)的能效?!?/p>