東芝推出“TXZ+?族高級系列” ARM? Cortex?-M3微控制器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其搭載32位微控制器產(chǎn)品組“TXZ+TM族高級系列”的“M3H組”中新推出“M3H組（2）”，該系列產(chǎn)品配備了采用40nm工藝制造而成的Cortex?-M3。

近年來，隨著數(shù)字技術(shù)的滲透，特別是在物聯(lián)網(wǎng)IoT領(lǐng)域的普及，以及日益先進(jìn)的各種設(shè)備功能，用戶對更大程序容量和支持FOTA（無線固件升級）的需求不斷增加。新產(chǎn)品M3H組（2）將東芝現(xiàn)有產(chǎn)品M3H組（1）的代碼閃存容量從512KB（部分為256KB或384KB）擴(kuò)展至1MB[1]，RAM容量從66KB[2]擴(kuò)展至130KB[2]。其他特性包括內(nèi)置ARM? Cortex?-M3內(nèi)核，運行頻率高達(dá)120MHz，內(nèi)部集成代碼閃存和32KB數(shù)據(jù)閃存，編程/擦除周期耐久度10萬次。此外，這些微控制器還提供各種接口和電機(jī)控制選項，如UART、I2C接口、高級編碼器輸入電路和高級可編程電機(jī)控制電路。東芝M3H組微控制器產(chǎn)品線有助于改進(jìn)電機(jī)、家用電器和工業(yè)設(shè)備等廣泛應(yīng)用中的物聯(lián)網(wǎng)和高級功能。

在新產(chǎn)品中，利用兩個512KB的單獨區(qū)域可實現(xiàn)1MB[1]代碼閃存。該實施方法允許從一個區(qū)域讀取指令，同時將更新的代碼并行編程至另一個區(qū)域。最后，通過區(qū)域交換功能[3]實現(xiàn)固件替換功能。

M3H組產(chǎn)品配備了UART、TSPI、I2C接口、2單元DMAC和LCD顯示控制器[4]，以滿足各種消費類或工業(yè)應(yīng)用的需求。為了支持各類傳感應(yīng)用，新產(chǎn)品具有最多21通道的12位高速、高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），每個模擬輸入引腳有兩種采樣保持時間可供選擇。此外，通過結(jié)合高級可編程電機(jī)控制電路和高級編碼器輸入電路，實現(xiàn)與高速、高精度12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器的同步運行，它們還適用于控制交流電機(jī)和直流無刷電機(jī)。

器件的閃存、RAM、ADC和時鐘提供自診斷功能，有助于客戶通過IEC60730 B類功能安全認(rèn)證。

現(xiàn)可提供文檔、實際使用的示例軟件，以及控制每種外圍設(shè)備接口的驅(qū)動程序軟件。并與ARM?全球生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴合作提供評估板和開發(fā)環(huán)境。

• 應(yīng)用

用于消費類設(shè)備（家用電器、玩具、辦公用品、保健設(shè)備等）以及辦公設(shè)備（多功能打印機(jī)等）的主控裝置

消費類設(shè)備、工業(yè)設(shè)備的電機(jī)控制

消費類、工業(yè)類物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備

• 特性

高性能ARM? Cortex?-M3核心，最高頻率為120MHz

內(nèi)部存儲器容量增加

代碼閃存容量：1MB[1]

RAM容量：130KB[2]

區(qū)域交換法固件替換功能，支持固件在微控制器持續(xù)運行的情況下進(jìn)行升級[3]。

用于IEC 60730 B類功能安全要求的自診斷功能

豐富的封裝產(chǎn)品線

• 主要規(guī)格

注：

[1] TMPM3HNFDBFG的代碼閃存容量為一個512KB的區(qū)域

[2] 包括2KB的備份RAM

[3] TMPM3HNFDBFG不支持

[4] TMPM3HLF10BUG未配備LCD顯示控制器