• 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

2023/08/24
2137
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

新世代電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,利用該公司的一項(xiàng)專利技術(shù),在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)達(dá)5微秒的短路耐受時(shí)間(SCWT)。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達(dá)到的成就,也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT碳化硅SiCMOSFET 提供支持的堅(jiān)固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來五年的潛在市場(chǎng)規(guī)模(TAM)超過 30 億美元。

該項(xiàng)目的開發(fā)得到了安川電機(jī)公司的支持,安川電機(jī)是Transphorm的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴,同時(shí)也是中低電壓驅(qū)動(dòng)器、伺服系統(tǒng)、機(jī)器控制器和工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一。與現(xiàn)有解決方案相比,氮化鎵可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和更小的尺寸,也讓氮化鎵成為伺服系統(tǒng)應(yīng)用中極具吸引力的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),為此,氮化鎵必須通過該領(lǐng)域要求的嚴(yán)格的穩(wěn)健性測(cè)試,其中最具挑戰(zhàn)性的是需要承受住短路沖擊,當(dāng)發(fā)生短路故障時(shí),器件必須在大電流和高電壓并存的極端條件下正常運(yùn)行。系統(tǒng)檢測(cè)到故障并停止操作有時(shí)可長(zhǎng)達(dá)幾微秒時(shí)間,在此期間,器件必須能承受故障帶來的沖擊。

安川電機(jī)公司技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理 Motoshige Maeda 說:“如果功率半導(dǎo)體器件不能承受短路,那么系統(tǒng)本身很可能發(fā)生故障。業(yè)界曾經(jīng)有一種根深蒂固的看法,認(rèn)為在類似上述重型電源應(yīng)用中,氮化鎵功率晶體管無法滿足短路耐受要求。安川電機(jī)與Transphorm 合作多年,我們認(rèn)為這種看法是毫無根據(jù)的。今天也證明我們的觀點(diǎn)是正確的。我們對(duì)Transphorm團(tuán)隊(duì)所取得的成果感到興奮,并期待能展示我們的產(chǎn)品設(shè)計(jì)是如何受益于這一全新的氮化鎵器件特性?!?/p>

這項(xiàng)短路技術(shù)已在Transphorm新設(shè)計(jì)的一款15mΩ 650V 氮化鎵器件上進(jìn)行了驗(yàn)證。值得注意的是,在 50 kHz 的硬開關(guān)條件下,器件的峰值效率達(dá)到 99.2%,最大功率為12kW , 不僅展示了器件的優(yōu)良性能和高可靠性,也符合高溫高電壓應(yīng)力規(guī)格要求。

Transphorm 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Umesh Mishra 表示:“標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵器件只能承受持續(xù)時(shí)間為幾百分之一納秒的短路,這對(duì)于故障檢測(cè)和安全關(guān)斷操作來說太短了。然而,憑借我們的cascode架構(gòu)和關(guān)鍵專利技術(shù),在不增設(shè)外部組件的情況下,Transphorm實(shí)現(xiàn)了將短路耐受時(shí)間延長(zhǎng)至5微秒,從而保持器件的低成本和高性能特點(diǎn)。Transphorm了解高功率、高性能逆變器系統(tǒng)的需求,Transphorm超強(qiáng)的創(chuàng)新能力有著悠久的歷史沿革,我們可以自豪地說,這些經(jīng)驗(yàn)幫助我們將氮化鎵技術(shù)提升到新的水平,這再次證明了Transphorm在高壓氮化鎵穩(wěn)健性和可靠性的全球領(lǐng)先地位,在氮化鎵于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高功率系統(tǒng)應(yīng)用上改變現(xiàn)有局勢(shì)并扮演關(guān)鍵的角色?!?/p>

對(duì)SCWT成果的完整介紹、演示分析以及更多的相關(guān)內(nèi)容,將在明年的大型電力電子會(huì)議上發(fā)表。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
C0603C104K3RAC 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 25V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55o ~ +125oC, Bulk

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.18 查看
CRCW08050000Z0EC 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 0ohm, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
暫無數(shù)據(jù) 查看
SI2325DS-T1-GE3 1 Vishay Intertechnologies P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.81 查看

相關(guān)推薦