近26億元！6個車規(guī)IGBT項目簽約/投產(chǎn)/開工

據(jù)“行家說動力總成”不完全統(tǒng)計，合計6個汽車IGBT項目簽約、投產(chǎn)、開工，總投資額近26億元。

揚杰科技：新能源車用IGBT/SiC項目簽約2月4日，據(jù)“邗江發(fā)布”消息，2024年維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)先進制造業(yè)項目新春集中簽約儀式在迎賓館舉行。當天共簽約7個項目，總投資約58億元，其中涉及一個IGBT/SiC項目——揚杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項目。

據(jù)了解，該項目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、DICMOSFET模塊的研發(fā)制造，全部建成投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年開票銷售5億元，年納稅1500萬元。

希爾電子：新項目大樓下半年將投用

3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，樂山希爾電子股份有限公司的新項目大樓預計將在今年下半年逐步投用，屆時將新增4個品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實現(xiàn)年銷售額10億元。

據(jù)了解，希爾電子成立于2000年5月，專注于功率半導體器件的研發(fā)、制造及銷售，主要產(chǎn)品為IGBT、FRD及整流器件三大系列，應用于消費電子、新能源、工業(yè)電源、工業(yè)控制和汽車電子等領域。

目前，希爾電子自主研發(fā)的IGBT、FRD等產(chǎn)品多項技術實現(xiàn)行業(yè)首創(chuàng)，其碳化硅功率器件已逐步量產(chǎn)，氮化鎵功率器件已經(jīng)進入樣品試制階段。

新佳電子：IGBT/SiC項目入選省重點項目

2月22日，據(jù)“威海新聞網(wǎng)”消息，山東省發(fā)展改革委、省自然資源廳、省生態(tài)環(huán)境廳聯(lián)合印發(fā)《首批省級數(shù)字產(chǎn)業(yè)重點項目名單》，威海市共計8個項目入選，涉及集成電路、能源電子、新型電子材料等多領域。其中包括一個IGBT/SiC項目——新佳電子高功率密度IGBT及SiC功率半導體模塊封裝產(chǎn)業(yè)化升級項目。

據(jù)了解，該項目總投資3800萬元，項目產(chǎn)品為功率半導體器件，包括IGBT模塊，SiC功率模塊。項目產(chǎn)品的封測技術為新佳公司技術團隊自主研發(fā)，部分已申請發(fā)明專利。項目完成后可新增功率半導體模塊生產(chǎn)能力100萬只/年，預計達產(chǎn)后可新增銷售收入11000萬元，利稅1656萬元。

北一半導體：晶圓工廠項目簽約

1月31日，據(jù)“牡丹江發(fā)布”消息，牡丹江（穆棱）北一半導體科技有限公司旗下的晶圓工廠和分立器件生產(chǎn)加工兩個項目簽約落戶牡丹江穆棱經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，牡丹江首家晶圓廠即將誕生。

據(jù)了解，北一半導體晶圓工廠項目總投資20億元，項目新上國外先進6英寸晶圓生產(chǎn)線1條，產(chǎn)品應用于變頻器、UPS、工業(yè)控制、新能源汽車、充電樁等領域。全部達產(chǎn)后，年產(chǎn)6英寸晶圓100萬片，年產(chǎn)值達10億元以上。

東海半導體：車規(guī)級IGBT生產(chǎn)項目

2023年12月1日，無錫市科泓環(huán)境工程技術有限責任公司公示“東海半導體年產(chǎn) 2000 萬只車規(guī)級 IGBT 與特種二極管生產(chǎn)項目”環(huán)評表。

據(jù)公告，該項目位于無錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路 88 號，總投資1000萬元，其中環(huán)保投資5萬元，主要從事半導體分立器件制造。項目建成后，全廠生產(chǎn)規(guī)模為：年產(chǎn)半導體分立器件 20000 萬只、集成電路 7300 萬只、功率VDMOS 器件 3000 萬只、多排貼片式功率器件 19000 萬只、車規(guī)級 IGBT 與特種二極管2000 萬只。

慶虹電子：電子半導體模組改擴建項目

23年11月23日，廣州開發(fā)區(qū)公布關于“廣東慶虹電子有限公司年產(chǎn)50萬件電子半導體模組改擴建項目”環(huán)境影響報告表的批復。

據(jù)了解，該項目新增晶片安裝機、晶片抽真空回流焊、焊線機、錫膏印刷機、超聲波清洗機等生產(chǎn)設備（具體詳見《報告表》），以DBC 基板、有機硅膠（AB 膠）、銅底板、IGBT（晶體管）、二極管、ST-120T 清洗劑等為主要原輔材料，年增產(chǎn)40萬件電子半導體模組，改擴建完成后全廠年產(chǎn)50萬件電子半導體模組。