田中貴金屬工業(yè)確立了使用“預成型AuRoFUSE(TM)”的半導體高密度封裝用接合技術

解決要求半導體進一步微細化和高密度化的問題，為光學器件和數(shù)字設備的技術創(chuàng)新做出貢獻

開展工業(yè)用貴金屬業(yè)務的田中貴金屬集團核心企業(yè)——田中貴金屬工業(yè)株式會社（總公司：東京都 千代田區(qū)，執(zhí)行總裁：田中浩一朗）宣布，確立了使用金-金接合用低溫燒結金AuRoFUSE?的高密度封裝用金（Au）粒子接合技術。

AuRoFUSE?是僅由次微米大小的金粒子和溶劑所構成的，在較低電阻和較高熱傳導率以及較低溫度下實現(xiàn)金屬接合的接合材料。通過本技術可使用預成型AuRoFUSE?（干燥體）實現(xiàn)20μm大小4μm間隙的窄間距封裝。此外，AuRoFUSE?在200℃、20MPa（兆帕）、10秒的熱壓后，雖然在壓縮方向上顯示出約10％的收縮率，但在水平方向上較少變形，可用作接合強度※1足以承受實際應用的Au凸點※2。而且，由于以化學穩(wěn)定性較優(yōu)異的Au為主要成分，封裝后兼具較高的可靠性。

本技術是一種能夠實現(xiàn)半導體配線微細化和多種芯片集成（高密度化）的技術，預計將為LED（發(fā)光二極管）和LD（半導體激光器）等光學器件，在個人電腦和智能手機等數(shù)字設備上的應用，以及車載零部件等需要高度技術創(chuàng)新的先進技術做出貢獻。

今后，我們將積極提供樣品，以擴大該技術的市場認知。

另外，本技術將于2024年3月13日至15日在東京理科大學舉行的“第38屆電子封裝學會春季演講大會”上發(fā)表。

AuRoFUSE?預制件制作方法

(1)對接合對象基板作為底層，通過Au/Pt/Ti進行金屬化處理

(2)將光刻膠涂布在金屬化處理后的接合對象的基板上

(3)將符合預制件形狀的光掩模版放在接合對象的基板上，進行曝光和顯影，制作光刻膠框架

(4)將AuRoFUSE?倒入制作好的光刻膠框架中

(5)在室溫下真空干燥，干燥后用刮板※3刮取多余的Au漿料

(6)通過加熱臨時燒結后，剝離并清除光刻膠框架

通過AuRoFUSE?預成型實現(xiàn)較高密度封裝

在封裝半導體器件方面有很多種接合方法，包括使用焊料和電鍍的方法等，會根據(jù)目的采用各種方法。使用焊料的方法可以以較低成本快速形成焊點，但由于隨著焊點間距變得微細，焊料在熔化時會橫向擴展，因此存在電極之間接觸引起短路的問題。此外，采用在實現(xiàn)較高密度封裝的技術開發(fā)中作為主流的通過無電解電鍍※4形成銅（Cu）和Au鍍層凸塊的方法雖然可實現(xiàn)窄間距，但由于接合時需要相對較高的壓力，因此存在造成芯片損壞的問題。

田中金屬工業(yè)作為貴金屬專家為了實現(xiàn)半導體的較高密度封裝，一直在進行利用AuRoFUSE?具有多孔質(zhì)產(chǎn)生的凹凸追隨性以及在較低溫度和較低壓力下可接合特性的研發(fā)。最初，我們的目標是通過作為主流使用方法的點膠法※5，針式轉印法※6和絲網(wǎng)印刷法※7來予以實現(xiàn)，但由于膏材的流動性，不適合較高密度封裝。利用本次確立的本技術，通過在接合之前將膏材進行干燥來消除流動性，可抑制橫向擴展，從而實現(xiàn)較高密度封裝（圖1）。此外，由于多孔質(zhì)結構容易變形，即使在電極之間存在高低差異，以及基板翹曲和厚度不一致的情況下，也可以進行接合（圖2）。

圖1. 預成型的AuRoFUSE?與其他材料的比較圖1. 預成型的AuRoFUSE?與其他材料的比較

圖2. 吸收接合時出現(xiàn)段差的AuRoFUSE?預制件SEM圖像圖2. 吸收接合時出現(xiàn)段差的AuRoFUSE?預制件SEM圖像