CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數據中心、逆變器和工業(yè)開關電源的實現超高效率

采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現出超高的電氣性能，支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應用，堅固可靠

無晶圓廠環(huán)?？萍?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%85%AC%E5%8F%B8/">半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優(yōu)勢提供給數據中心、逆變器、電機驅動器和其他工業(yè)電源等高功率應用。新型 ICeGaN? P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率應用，并提供超高效率。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務官 “人工智能的爆炸性增長導致能源消耗的顯著增加，促使數據中心系統(tǒng)設計師優(yōu)先考慮將 GaN 用于高功率、高效的功率解決方案。CGD這一新系列 GaN 功率 IC 支持我們的客戶和合作伙伴在數據中心實現超過100 kW/機架的功率密度，滿足高密度計算的最新 TDP（熱設計功率）趨勢的要求。在電機控制逆變器方面，開發(fā)人員正在使用 GaN 來減少熱量，獲得更小、更持久的系統(tǒng)功率。以上兩個市場正是CGD ICeGaN 功率 IC 現在的目標市場。簡化的柵極驅動器設計和降低的系統(tǒng)成本，再加上先進的高性能封裝，使 P2 系列 IC 成為這些應用的絕佳選擇?！?/p>

ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速開關過程中的擊穿損耗，并實現了0V關斷從而最大限度地減少反向導通損耗，其性能優(yōu)于分立 eMode GaN 和其他現有技術。新的封裝提供了低至0.28 K/W的改進的熱阻性能，與市場上任何其他產品比較具有相當或更加優(yōu)異的性能。其雙面 DHDFN-9-1（雙散熱器 DFN）封裝的雙極引腳設計有助于優(yōu)化 PCB 布局和簡單并聯以實現可擴展性，使客戶能夠輕松處理高達多kW的應用。經過設計新型封裝不僅提高了產量，其側邊可濕焊盤技術，更便于光學檢查。

用戶現在可申請 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 樣品。該系列包括四款 RDS(on) 產品為25 mΩ和55 mΩ，額定電流為60 A和27 A的產品。產品采用10 mm x 10 mm封裝 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）封裝。與所有CGD ICeGaN產品一樣，P2系列可以使用任何標準 MOSFET 或 IGBT 驅動器進行驅動。

現有2款采用新型 P2 產品演示板可供展示：一款是 CGD 與法國公共研發(fā)機構 IFP Energies nouvelles 合作開發(fā)的單相變三相汽車逆變器演示板；另一款是3kW圖騰柱功率因數校正演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 和演示板將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD 的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產品。