英諾賽科港股IPO正式啟動！

6月12日晚間，英諾賽科向港交所遞交上市申請，聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。

01、2023年營收增長335.2%

自2019年10月，OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術應用于充電器以來，基于氮化鎵材料而研制的功率器件，憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導電性和散熱性，在諸多應用領域持續(xù)開疆拓土。2023年，氮化鎵的發(fā)展逐漸進入繁榮期。雖受限于技術水平，應用領域仍以消費電子為主，但其在電動車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場的應用也正穩(wěn)定發(fā)展，未來前景十分值得期待。

source：英諾賽科招股說明書

目前，氮化鎵正在從6英寸轉(zhuǎn)向8英寸，而英諾賽科作為氮化鎵領域的“實力派”選手，一直備受矚目。據(jù)悉，英諾賽科是國內(nèi)第一家氮化鎵IDM企業(yè)。招股說明書中，英諾賽科表示，公司是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。

英諾賽科的產(chǎn)品包括分立器件（覆蓋15V至1,200V）、集成電路、晶圓及模塊，應用領域涵蓋消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等。產(chǎn)能方面，截至2023年底，公司的產(chǎn)能達10,000片/月，同時良率高于95%，位居行業(yè)前列。高產(chǎn)能、高良率的產(chǎn)品線是英諾賽科業(yè)績的基石。截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科累計出貨量超過5億顆，營業(yè)收入則從2021年的0.68億元增加99.7%至2022年的1.36億元，并進一步增加335.2%至2023年的5.93億元。

英諾賽科還指出，2023年來自氮化鎵功率半導體業(yè)務的營收為人民幣5.93億元，在全球所有氮化鎵功率半導體公司中，公司排名首位，市場份額為33.7%。

本次申請港股上市，英諾賽科計劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項目：

一、50.0%用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴大至未來五年每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設備及機器及招聘生產(chǎn)人員。

二、17.0%用于償還銀行貸款；

三、15.0%用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合，以提高終端市場（如消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；

四、8.0%用于擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡；

五、10.0%用于營運資金及其他一般公司用途。

02、中國企業(yè)狂奔

目前，氮化鎵的主要創(chuàng)新主體仍以國際企業(yè)為主，并主要集中在歐美日，但中國的氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈也在持續(xù)完善。技術方面，北京大學團隊研發(fā)了增強型p型柵氮化鎵（GaN）晶體管，并首次在高達4500V工作電壓下實現(xiàn)低動態(tài)電阻工作能力；西安電子科技大學聯(lián)合致能科技于4月份展示了全球首片8英寸藍寶石基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMTs）晶圓器件，通過調(diào)控外延工藝，其氮化鎵外延片不均勻性控制在4%以內(nèi)，所制備的HEMTs器件的cp測試良率超過95%，擊穿電壓突破了2000V。

項目方面，2024年1月份，晶湛半導體氮化鎵外延片生產(chǎn)擴建項目正式竣工。項目預計年產(chǎn)6英寸氮化鎵外延片12萬片，8英寸氮化鎵外延片12萬片；中瓷電子子公司博威第三代半導體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年；能華半導體張家港制造中心（二期）項目于4月18日開工建設。

項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。從外延到功率器件的設計及制造，國內(nèi)企業(yè)持續(xù)提升研發(fā)及生產(chǎn)、制造能力。TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。而在這個市場，中國企業(yè)將不會缺席。

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