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    • 用GaN替代傳統(tǒng)硅基晶體管
    • 氮化鎵承受高溫,遠(yuǎn)超預(yù)期
    • 下一步布局:核電為AI 未來(lái)提供動(dòng)力!
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GaN 晶體管可在反應(yīng)堆中存活五年!核電或?qū)锳I 未來(lái)提供動(dòng)力!

2024/07/04
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2024年6月25日,美國(guó)能源部核能辦公室網(wǎng)站報(bào)道, 橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(ORNL)研究發(fā)現(xiàn),氮化鎵GaN半導(dǎo)體能夠承受核反應(yīng)堆堆芯附近的高溫高輻射。這一發(fā)現(xiàn)可能促成在核反應(yīng)堆中使用無(wú)線(xiàn)傳感器,包括目前正在開(kāi)發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微反應(yīng)堆設(shè)計(jì)。???

用GaN替代傳統(tǒng)硅基晶體管

大型復(fù)雜核反應(yīng)堆的安全性和效率需要時(shí)刻檢測(cè),一般是通過(guò)控冷卻系統(tǒng)的微型傳感器,從核反應(yīng)堆中收集信息,在設(shè)備故障發(fā)生前識(shí)別潛在問(wèn)題,從而避免經(jīng)濟(jì)損失。傳統(tǒng)上做法,為保護(hù)電子器件,傳感器電路通常被置于遠(yuǎn)離堆芯的位置,以保護(hù)電子設(shè)備免受熱和輻射的影響,但這也導(dǎo)致了數(shù)據(jù)傳輸距離增加,影響信號(hào)質(zhì)量,從而影響數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性與精度。

為了幫助縮短布線(xiàn)并提高傳感器的準(zhǔn)確性和精確度,ORNL研究團(tuán)隊(duì)探索了使用GaN替代傳統(tǒng)硅基晶體管。GaN是一種寬帶隙半導(dǎo)體,在高的頻率、高溫和高輻照率下工作,比硅基器件更具備優(yōu)勢(shì),以前曾被測(cè)試過(guò)能抵抗火箭在太空中飛馳時(shí)遇到的電離輻射。

氮化鎵承受高溫,遠(yuǎn)超預(yù)期

ORNL研究人員將GaN晶體管放置在俄亥俄州立大學(xué)的一個(gè)研究反應(yīng)堆核心附近,這些晶體管成功地經(jīng)受了連續(xù)三天的高熱和輻射測(cè)試,在反應(yīng)堆功率達(dá)到90%的情況下記錄了7小時(shí)。經(jīng)過(guò)為期三天的嚴(yán)苛測(cè)試證明,GaN晶體管在125℃持續(xù)高溫下,承受了比標(biāo)準(zhǔn)硅器件高100倍的累積輻射劑量,遠(yuǎn)超預(yù)期。

“我們預(yù)測(cè)在第三天輻射會(huì)將晶體管損壞,但它們幸存了下來(lái),”首席研究員、ORNL傳感器和電子小組成員Kyle Reed說(shuō)道?!斑@項(xiàng)成果將顯著提升核反應(yīng)堆內(nèi)部構(gòu)件測(cè)量的可靠性和精確度?!?/p>

研究表明,GaN晶體管有望在反應(yīng)堆中持續(xù)工作至少五年,這是電子設(shè)備需要與維護(hù)計(jì)劃保持一致的最短時(shí)間,從而避免了不必要的停機(jī)來(lái)更換失效組件。這對(duì)于正在研發(fā)的先進(jìn)微堆尤為重要,由于其設(shè)計(jì)緊湊,需要能承受更嚴(yán)酷輻射環(huán)境的傳感器電路。但比起輻射,GaN芯片更容易受到熱損傷?!坝捎谧罱K目標(biāo)是用這些材料設(shè)計(jì)電路,一旦我們了解了溫度和輻射的影響,我們就可以在電路設(shè)計(jì)中對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)償,”Reed說(shuō)。

下一步布局:核電為AI 未來(lái)提供動(dòng)力!

近十年來(lái),GaN 一直被廣泛使用,通常用于緊湊型高功率設(shè)備,例如筆記本電腦充電器、手機(jī)快充等。然而,GaN 的應(yīng)用范圍并不廣,因?yàn)镚aN 比硅更昂貴且更難加工。

盡管如此,GaN 的特性使其成為此類(lèi)小眾應(yīng)用的理想選擇。另外,GaN 芯片已用于太空飛行,它們可以承受火箭離開(kāi)地球大氣層時(shí)產(chǎn)生的電離輻射。研究人員期望未來(lái)能在此基礎(chǔ)上利用GaN電路實(shí)現(xiàn)傳感器數(shù)據(jù)的無(wú)線(xiàn)傳輸。

同時(shí),俄亥俄州立大學(xué)正在開(kāi)發(fā)計(jì)算機(jī)模型,以預(yù)測(cè)不同電路設(shè)計(jì)在各種溫度和輻射條件下的性能。這項(xiàng)研究得到了美國(guó)能源部核能辦公室資金支持。為該項(xiàng)目做出貢獻(xiàn)的 ORNL 研究人員和工作人員包括 Kyle Reed、Dianne Ezell、Nance Erickson、Brett Witherspoon、Craig Gray、Emma Brown、Kevin Deng、Adam Buchalter 和 Caleb Damron。

另外,除了提高傳感器精度和記錄能力外,GaN 芯片對(duì)于開(kāi)發(fā)小型模塊化反應(yīng)堆也至關(guān)重要。除了常見(jiàn)的政府和軍事應(yīng)用外,開(kāi)發(fā)這些便攜式核電站還可以為我們的 AI 未來(lái)提供動(dòng)力,因?yàn)?GPU 每年都變得越來(lái)越耗電。

解決電力需求的一個(gè)解決方案可能是核電。根據(jù)美國(guó)能源信息署的數(shù)據(jù) ,到 2023 年,美國(guó)約有 18.6% 的電力來(lái)自核能。盡管目前還沒(méi)有商業(yè)上可行的核聚變反應(yīng)堆,但一些大型科技公司已經(jīng)開(kāi)始大力投資核聚變。美國(guó)能源部也正在考慮一個(gè)想法,即擁有為人工智能模型提供動(dòng)力的大型數(shù)據(jù)中心的科技公司可能會(huì)在附近建立“小型核電站”。

美國(guó)政府也已經(jīng)在與科技公司就未來(lái)的電力需求進(jìn)行談判。事實(shí)上,微軟正在為其數(shù)據(jù)中心建造一些這樣的核電站,目前已從 Helion Energy 的核聚變發(fā)電機(jī)購(gòu)買(mǎi)電力。核電或許將成為解決電力需求的一大途徑!

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