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    • 大模型趨勢下,數(shù)據(jù)管道內存需求日益增加
    • PMIC成為DDR5內存架構的關鍵組件
    • 內存集成PMIC或將成為趨勢,DDR5面臨漲價壓力
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AI 2.0時代,服務器DDR5底層架構迎來變革

原創(chuàng)
2024/07/16
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生成式AI是當前最為顯著的趨勢,它主要得益于大語言模型(LLM)的成功和相關技術的發(fā)展。未來,AI的趨勢將是多模態(tài)輸入輸出模型,即AI能夠根據(jù)文本、圖片或視頻等多種指令,生成更復雜、更高階的輸出結果,為生成式AI的應用提供無限可能性。

AI大模型的復雜性和功能日益增強,離不開在線數(shù)據(jù)為模型訓練提供的豐富資源。根據(jù)OpenAI的數(shù)據(jù),自2012年以來,全球最大的AI訓練項目所需計算量每年增長10倍。例如,ChatGPT的GPT-3版本使用了1750億參數(shù),而幾個月后的GPT-4版本參數(shù)數(shù)量激增至1.5萬億。未來,要實現(xiàn)更加準確、全面且強大的AI模型,預計AI訓練數(shù)據(jù)集還將保持高速增長。這也意味著,能夠應對海量數(shù)據(jù)的服務器內存對于生成式AI的發(fā)展至關重要,更高帶寬的內存成為必需。

大模型趨勢下,數(shù)據(jù)管道內存需求日益增加

日前,Rambus宣布了DDR5服務器電源管理IC領域的突破,通過最新的芯片技術,可助力DDR5內存模塊在目標功耗范圍內實現(xiàn)更高水平的內存性能,滿足數(shù)據(jù)管道日益增加的內存需求。

Rambus內存互連芯片業(yè)務部門產品營銷副總裁John Eble以經過簡化的AI訓練管道為例介紹說,數(shù)據(jù)存儲是起點,其中保存了大量的AI數(shù)據(jù)集,例如OpenAI的SDXL應用,使用了超過1億張圖片作為訓練數(shù)據(jù)。到了數(shù)據(jù)存儲階段,因為GPU尚未參與到訓練流程中,服務器主內存容量并沒有達到夸張的量級。

隨后進入數(shù)據(jù)準備階段,數(shù)據(jù)需經過整理、正?;万炞C,這一階段主內存需求顯著增加,大約需要1TB。例如,在SDXL訓練網絡架構中,圖像需統(tǒng)一規(guī)格,以提高網絡資源的利用效率,降低延遲并節(jié)省空間。

完成數(shù)據(jù)準備后,進入實際訓練階段,這是對GPU和內存需求最高的階段。主內存容量通常需要是GPU內存的兩倍,并且必須具備高帶寬,以滿足GPU的數(shù)據(jù)吞吐速度。

整個AI訓練管道從數(shù)據(jù)采集、存儲、準備、訓練到最終形成推理模型,是一個連續(xù)的過程?!斑@僅是一個簡化的訓練流程,而實際應用中,一個集群或實例的內存容量可能是簡化模型中所描述的數(shù)倍”,John Eble表示,“為了滿足不斷增長的數(shù)據(jù)管道日益增加的內存需求,需要更高帶寬和容量的RDIMM?!?/p>

PMIC成為DDR5內存架構的關鍵組件

DDR5如何實現(xiàn)更高的內存性能?主要是更智能的DIMM(雙列直插式內存模塊)架構。與DDR4相比,DDR5內存采用采用了雙通道架構,每個通道的數(shù)據(jù)流通道比特率達到32位,加上8位的ECC(錯誤校正碼),確保了更高的存儲和吞吐量,從而提升了內存性能。

其次,雙通道RCD在主機端以DDR5 速度運行,與DRAM運行速度相同,使得每個引腳開關頻率比 DDR4高出一倍多。此外還有頻率速度的提升,DDR5的每通道最高頻率速度可達8400MT/s,而根據(jù)JEDEC的最新數(shù)據(jù),在DRAM規(guī)格中可以達到8800MT/s。

以上這些都表明,更高的數(shù)據(jù)傳輸速率至關重要?!斑@些因素共同促使我們決定采用專用的電源管理IC,來幫助控制更加精細的電壓”,John Eble表示,“PMIC是DDR5內存架構的關鍵組件,可以實現(xiàn)更多的內存通道、更大容量的模組和更高的帶寬?!?/p>

對比前幾代產品將PMIC放在主板上的做法,DDR5 DIMM架構的主要變化之一是將PMIC集成到了內存模塊。

為什么要將PMIC從主板挪到內存模塊上?John Eble表示,從DDR4到DDR5,電壓從1.2V降到1.1V,與此同時,數(shù)據(jù)傳輸速率更高,DDR5最高可以達到8800MT/s,而DDR4上限是3200MT/s。為了實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率,DDR5需要更嚴格且精準的電壓范圍。在電源配置變化的情況下,它需要非常低的噪音,而且需要在這些較低電壓下保持可靠性。

將PMIC集成到內存模塊的架構變化真正解決了電阻(IR)下降的問題。這與其他創(chuàng)新和DDR5 DIMM一起,使得內存帶寬和容量得到了顯著提升。

據(jù)了解,全新的DDR5服務器PMIC系列包含符合JEDEC超高電流的PMIC5020、高電流PMIC5000和低電流PMIC5010規(guī)范的產品。其中, PMIC5020將使未來幾代 DDR5 RDIMM 的性能和容量達到新的基準。

通過全新的PMIC系列,Rambus可以支持多代基于 DDR5 的高性能服務器,提供完整的內存接口芯片組,包含 RCD、PMIC、SPD Hub、溫度傳感器IC。憑借在高性能內存領域積累30多年的經驗,Rambus已成為RDIMM制造商的“一站式” DDR5 內存接口芯片供應商,能夠為制造商提供最高級別的驗證保證并加快其產品上市時間。

內存集成PMIC或將成為趨勢,DDR5面臨漲價壓力

John Eble表示,業(yè)界已經經歷了將PMIC集成到模塊驗證和認證中的學習曲線,并看到了由此帶來的好處,他認為這將繼續(xù)成為一種趨勢。

在內存模塊中集成PMIC,遵循了微電子行業(yè)將供電設備盡可能靠近使用點的趨勢。DDR5 內存模塊是第一個在內存模塊上集成PMIC的主要內存類型,未來,隨著對更高性能和電源效率的需求不斷增長,可能會定義新型內存模塊。而且,這些模塊很有可能繼續(xù)在模塊上集成 PMIC,以進一步優(yōu)化電源管理并提高整體系統(tǒng)性能。

談及DDR5的價格走勢,John Eble認為,現(xiàn)階段,DDR5內存價格總體上還是在根據(jù)整個DRAM內存行業(yè)的供需關系正常運行著。去年對于DRAM行業(yè)來說是比較艱難的一年,有很多的資本支出計劃被削減,所以就導致供應收緊。此外,某些細分市場(如人工智能的 HBM)的需求也在急劇增長。DRAM制造商所擁有的產能,都被分配給了這些利潤豐厚的細分市場,而向其他內存類型分配產能會進一步緊縮供應。因此,從目前的情況來看,DDR5 的需求似乎大于供應,在供應恢復平衡之前,很可能會造成價格上漲的壓力。

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