晶圓制造CMP工程師面試干貨小結(jié)

感謝國內(nèi)某知名Fab廠工作6年的張工對CMP面試問題的解答。CMP（化學機械拋光）工藝是半導體制造中的關鍵步驟之一，它結(jié)合了化學腐蝕和機械磨削，旨在實現(xiàn)晶圓表面的全局平坦化。

一、基礎知識和原理

1、CMP工藝的基本原理和關鍵步驟：

CMP是一種將化學腐蝕和機械磨削結(jié)合在一起的工藝，用于去除晶圓表面的材料。基本原理是通過拋光墊和漿料在晶圓表面施加機械力，同時漿料中的化學成分與晶圓表面的材料發(fā)生化學反應，從而軟化和去除材料。關鍵步驟包括：

拋光墊與晶圓接觸：拋光墊通過機械磨削作用對晶圓表面進行物理去除。

漿料供應：漿料提供化學腐蝕作用，同時潤滑拋光墊與晶圓之間的接觸。

終點檢測：實時監(jiān)控材料去除情況，確保達到預定的拋光終點。

2、化學和機械作用在CMP過程中的作用：

化學作用：漿料中的化學成分與晶圓材料發(fā)生反應，形成容易去除的表面層。

機械作用：拋光墊對晶圓表面施加壓力，結(jié)合漿料的磨料顆粒，機械去除已經(jīng)軟化的材料。