芯耀
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十一過(guò)后有段時(shí)間了，最近工作上有點(diǎn)忙哈，回到家倒頭就睡；上周日趕緊找時(shí)間一個(gè)人做到電腦旁，沒(méi)人打擾，慢慢寫(xiě)東西的時(shí)候感覺(jué)真好。
今天繼續(xù)分析問(wèn)界M5使用的來(lái)自于CATL的BMS控制板，今天學(xué)習(xí)其高壓部分電路。
高壓電路的TB面如下圖所示，其采樣只有一個(gè)連接器輸入，為直插12PIN封裝，引腳之間有割槽處理；大致看下器件，干簧管使用了2個(gè)，光MOS與數(shù)字隔離器也有若干個(gè)，這個(gè)板子我最近找了一下，有好幾個(gè)迭代版本，尺寸、布置都是大同小異的，但是器件、電路確實(shí)有更新變化。
高壓采樣輸入
每一條采樣輸入線上，其入口端都會(huì)經(jīng)過(guò)一個(gè)高壓電容濾波，再經(jīng)過(guò)一個(gè)磁珠后連至板內(nèi)；此高壓電容為2.2nF，2220封裝，另外一端連接到了高壓地；磁珠為1206封裝，而且在地線處使用兩個(gè)磁珠串聯(lián)；高低壓的兩個(gè)地之間使用兩個(gè)串聯(lián)安規(guī)電容連接，容值為4.7nF，來(lái)自于禾伸堂；這些器件的使用，相信很多都是實(shí)際EMC測(cè)試時(shí)做的有效整改措施，后面就一直沿用下來(lái)。
如下圖紅框內(nèi)，這條線就是高壓參考地，使用了兩個(gè)磁珠串聯(lián)的形式。
高壓采集電路
從單板的B面可以明顯看出，在高壓電路部分有兩個(gè)獨(dú)立地的ADC電路，如下圖：這里分為ADC1和ADC2來(lái)介紹，先看左邊這個(gè)ADC1。
這個(gè)ADC的型號(hào)為T(mén)I的ADS7951-Q1，是一個(gè)12位、8通道、SPI接口的SAR型ADC，它需要隔離供電與隔離通信，所以在板上可以找到推挽電源與數(shù)字隔離器等器件，這些不贅述。
ADC1承擔(dān)了大部分的高壓采樣功能，如PACK電壓、正極繼電器前后端的電壓、絕緣檢測(cè)觀測(cè)點(diǎn)等，采樣方案為直接的電阻分壓；高壓采樣的分壓電阻呈黑色，貌似是KOA的高精度厚膜電阻。
ADC2來(lái)自于TI的ADS1018-Q1，為12位、4通道、SPI接口的Σ-Δ類(lèi)型ADC，其供電與隔離通信方案是相同的，不贅述；這個(gè)ADC主要用于檢測(cè)負(fù)極繼電器后端的電壓，所以ADC2的參考地是獨(dú)立的一個(gè)。
絕緣檢測(cè)電路
絕緣檢測(cè)電路也是典型的電橋法，這個(gè)板子上有兩個(gè)干簧管，分別是高壓正對(duì)地、高壓負(fù)對(duì)地的開(kāi)關(guān)，這個(gè)方案我在小米SU7的BMS也看到過(guò)。
一共有4個(gè)橋臂、2個(gè)觀測(cè)點(diǎn)，分別采集正對(duì)地、負(fù)對(duì)地的電壓，其中負(fù)對(duì)地的觀測(cè)點(diǎn)在ADC1上，正對(duì)地的觀測(cè)點(diǎn)在低壓端的MCU上面；四個(gè)橋臂中，有兩個(gè)橋臂有開(kāi)關(guān)控制，其余兩個(gè)橋臂是常閉的，相信大家能了解大概的方案了。
負(fù)極繼電器粘連檢測(cè)電路也是有的，只是它與高壓檢測(cè)電路是合并的，就沒(méi)細(xì)說(shuō)。
總結(jié)：
最近一直查問(wèn)題，痛并快樂(lè)著；以上所有，僅供參考。
