芯耀
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最近一段時(shí)間總是感覺(jué)有點(diǎn)浮躁，做事情有點(diǎn)急功近利、人浮于事，所以在想辦法沉淀下來(lái)，調(diào)整下心態(tài)。
電流采樣精度的提升我相信目前產(chǎn)品現(xiàn)狀是都在做，所以我找了一個(gè)伊薩貝拉（ISA）的模塊產(chǎn)品與大家一起學(xué)習(xí)分析下，看他們是如何做電流采樣產(chǎn)品的。
具體的產(chǎn)品型號(hào)為IVT-S系列中的IVT-S-1K-U0-CAN1-12/24，即對(duì)外為CAN通信、電流采集范圍1000A、不帶電壓采樣功能，下圖為此系列產(chǎn)品介紹（來(lái)自于ISA官網(wǎng)）。
此產(chǎn)品殼體由上下兩部分組成，拆掉上蓋后如下圖所示：上下殼體通過(guò)卡扣固定，SHUNT安裝部分裸露在殼體外面，PCB是卡到下殼體中；此型號(hào)產(chǎn)品對(duì)外只有一個(gè)低壓4pin連接器，為供電與CAN通信信號(hào)。
拆掉下殼體，單板T面如下圖，PCB為4層板，1.6mm厚，表面處理方式ENIG，過(guò)孔未做塞孔處理，器件的位號(hào)未顯示，板上最小器件封裝為0402，三防漆覆蓋所有器件。
單板的B面如下圖：此面只有SHUNT，沒(méi)有其他器件，生產(chǎn)時(shí)應(yīng)該是先把T面的器件貼好，再二次過(guò)爐去貼SHUNT；B面沒(méi)有涂覆三防漆。
此產(chǎn)品為1000A類(lèi)型，所以其SHUNT阻值應(yīng)該是20uΩ，尺寸為8436，其表面鍍層不像是鍍錫，好像是鍍鎳的，因其質(zhì)地更硬，不太確定。
下面來(lái)看下具體電路模塊劃分，如下圖所示：這個(gè)架構(gòu)還是挺清晰的，其中MCU被布置在高壓區(qū)域，高低壓之間通過(guò)隔離CAN來(lái)進(jìn)行通信，而不是將MCU放置在低壓端，通過(guò)隔離SPI進(jìn)行通信，可能的原因是高壓區(qū)域需要使用MCU的外設(shè)資源，僅僅一個(gè)BJB資源不夠。
整個(gè)電源大概的架構(gòu)如下圖所示：外部12V或24V輸入，經(jīng)過(guò)一級(jí)BUCK后轉(zhuǎn)成5V，然后通過(guò)隔離反激電源給高壓區(qū)域供電，高壓區(qū)域經(jīng)過(guò)一個(gè)LDO后轉(zhuǎn)成3.3V給MCU和BJB供電，這里的隔離電源使用的是ADI的LT8301，也是比較常見(jiàn)的方案。
如下圖，對(duì)于LT8301隔離電源方案，其變壓器使用的是平板變壓器方案，即繞組通過(guò)PCB走線來(lái)實(shí)現(xiàn)，然后將磁芯固定到PCB上；這種方案成本上可能有優(yōu)勢(shì)，菊花鏈的網(wǎng)絡(luò)變壓器也有類(lèi)似的方案，例如BOURNS的產(chǎn)品就有平板變壓器的類(lèi)型，另外因?yàn)槠桨遄儔浩鳒p少了剝皮、繞線、浸錫等工藝步驟，可靠性上也有很大提升。
BJB模塊
BJB芯片選用的是AMS的AS8510，這個(gè)芯片真是到處可見(jiàn)，而且還是一顆十幾年前的芯片，之前分析過(guò)的零跑、CATL都用過(guò)此方案；而且我了解到的一些專(zhuān)門(mén)做電流采樣模塊產(chǎn)品的廠家也使用這顆料，可見(jiàn)其性能優(yōu)勢(shì)；在PCB上貌似布置了兩個(gè)NTC，位于SHUNT的兩邊銅端子上，可能是用于EMF補(bǔ)償。
此型號(hào)無(wú)高壓采樣功能，所以分壓電阻都預(yù)留不焊；另外MCU選擇的ST的STM8AF5288；硬件方案大體就這樣，關(guān)鍵還是在于軟件修正上電流采集怎么做到的高精度，這個(gè)就暫時(shí)分析不出來(lái)了。
總結(jié)：
錯(cuò)別字來(lái)不及檢查了，困了睡覺(jué)；以上所有，僅供參考。
