功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

2024/12/24
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前言

功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。

功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。

為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)?

在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法,用的測溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。

然而,由于被測器件表面和傳感器探頭之間的接觸熱阻、傳感器導線的熱流泄漏和被測物體表面上的溫度分布等原因,測量結(jié)果都不相同,測量結(jié)果是不可重復的。

相比使用熱傳感器,瞬態(tài)熱測量技術(shù)提供了更好的解決方案,但不方便的是,得到的Zth曲線。局部網(wǎng)絡模型(Foster模型)是在時域上的,沒有任何結(jié)構(gòu)意義,所以很難用其準確評估產(chǎn)品封裝。

從數(shù)學上看可以將Foster模型轉(zhuǎn)換Cauer模型,Python和Matlab都有相應的工具,但這種轉(zhuǎn)換結(jié)果并不唯一。就是說轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱阻(Rth)和熱容 (Cth)數(shù)組并不唯一確定的,在新的連續(xù)網(wǎng)絡模型(Cauer模型)也沒有任何物理意義。因此,合并互不協(xié)調(diào)的Cauer模型可能會導致很大的誤差。參考《功率器件熱設計基礎(七)----熱等效電路模型》

結(jié)構(gòu)函數(shù)分析方法克服了這些弱點。它將瞬態(tài)熱測量結(jié)果轉(zhuǎn)變成熱阻和熱容的曲線圖,提供了從結(jié)到環(huán)境的每一層詳細的熱信息。這可以很容易并準確地識別各層的物理特性,如芯片、DCB、銅基板、導熱層TIM和散熱器,甚至能讀出焊料層,以及像風扇這樣的冷卻裝置。

雙界面法

瞬態(tài)雙界面法是獲取結(jié)構(gòu)函數(shù)的基礎,在JEDEC標準JESD51-14《用于測量半導體器件結(jié)殼熱阻的瞬態(tài)雙界面測試法》中有定義。這標準是T3Ster團隊和英飛凌于2005年提出來的,2010年標準發(fā)布。

瞬態(tài)雙界面(TDI)測量方法是對安裝在溫控散熱同一功率半導體器件進行兩次ZthJC測量。第一次測量不涂導熱硅脂,第二次安裝正常工藝規(guī)范涂上一層薄薄的導熱脂。由于不涂導熱硅脂的熱阻大,兩條ZthJC曲線會在某一時刻tS處開始明顯分離。

由于熱流一進入熱界面層,兩條ZthJC曲線就開始分離,因此此時分界點的ZthJC值ZthJC(ts)就是穩(wěn)態(tài)熱阻RthJC。

結(jié)構(gòu)函數(shù)

結(jié)構(gòu)函數(shù)是一種用于分析半導體器件熱傳導路徑上熱學性能的工具。它通過將瞬態(tài)熱測量結(jié)果轉(zhuǎn)換為熱阻與熱容的關系曲線,提供熱量經(jīng)過的每一層(從結(jié)到環(huán)境)的詳細熱信息。

X軸是從結(jié)到環(huán)境熱阻Rth的累計值,Y軸是熱容Cth的累計值。

圖中每一種顏色區(qū)域代表的一層材料,如靠近原點的狹小粉紅色區(qū)域是芯片,第二部分是芯片焊接層……(本圖是借用JESD51-14,附錄A圖10,標準沒有做材料層解讀,本文用作定性示例解讀)

結(jié)構(gòu)函數(shù)可以清楚表征熱傳導路徑,展示半導體器件從芯片結(jié)到環(huán)境的一維散熱路徑。在這個路徑上,不同材料的熱阻和熱容參數(shù)會發(fā)生變化,結(jié)構(gòu)函數(shù)通過曲線的斜率、波峰等特征來反映這些變化。

結(jié)構(gòu)函數(shù)計算材料熱學性能,通過結(jié)構(gòu)函數(shù),可以讀出每一層封裝材料的熱阻和熱容值。這對于評估材料的導熱性能、優(yōu)化設計封裝結(jié)構(gòu)具有重要意義。

實測案例

這是1000A 1700V PrimePACK?3 DF1000R17IE4D的熱阻測試過程:

首先獲得降溫曲線:

轉(zhuǎn)換產(chǎn)生積分結(jié)構(gòu)函數(shù),但發(fā)現(xiàn)每一層的分界點不是很清楚:

通過微分找出分界點:

標出區(qū)域,讀出數(shù)值:

區(qū)間1:結(jié)到殼的熱阻=0.0239K/W

區(qū)間2:殼到散熱器的熱阻=0.0244K/W

區(qū)間3:散熱器到環(huán)境

結(jié)構(gòu)函數(shù)的更多應用

結(jié)構(gòu)函數(shù)為熱設計提供了重要的參考數(shù)據(jù)。通過分析結(jié)構(gòu)函數(shù),熱設計人員可以了解器件在不同條件下的熱學性能,從而設計出更高效的散熱系統(tǒng)。

結(jié)構(gòu)函數(shù)還可以用于分析半導體器件的可靠性。通過監(jiān)測器件在長時間工作中的熱學性能變化,可以及時發(fā)現(xiàn)潛在的熱失效風險,提高器件的可靠性。

系列文章

功率器件的熱設計基礎(一)---功率半導體的熱阻

功率器件的熱設計基礎(二)---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

功率器件熱設計基礎(三)----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

功率器件熱設計基礎(四)——功率半導體芯片溫度和測試方法

功率器件熱設計基礎(五)——功率半導體熱容

功率器件熱設計基礎(六)——瞬態(tài)熱測量

功率器件熱設計基礎(七)——熱等效模型

功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散

英飛凌

英飛凌

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。收起

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英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。 更多信息,請訪問www.infineon.com