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白皮書導讀 | 電機驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件

2024/12/26
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近年來,電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應(yīng)用,并逐漸滲透到各個市場。目前,工業(yè)電機主要使用逆變器來提高能效等級,這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFETIGBT作為功率開關(guān)時存在一些限制,如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。

隨著第三代半導體的興起,寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?!?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E7%94%B5%E6%9C%BA%E9%A9%B1%E5%8A%A8/">電機驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件》白皮書共18頁,主要探討了采用碳化硅SiC)和氮化鎵GaN)寬禁帶器件對電機驅(qū)動器效率的提升和應(yīng)用中需要克服的設(shè)計問題。

電機技術(shù)發(fā)展

1.工業(yè)電機需滿足新能效標準(IE4和IE5),永磁電機、同步磁阻電機和感應(yīng)電機是主要類型

2.使用電機驅(qū)動器可以提高電機能效,寬禁帶器件提供了更高效率的機會

3.電機技術(shù)的發(fā)展對電機驅(qū)動器提出新的要求

a.低電感電機:需要高開關(guān)頻率(50-100 kHz)維持小的紋波電流,寬禁帶器件提供了解決方案。

b.高速電機高基波頻率要求高開關(guān)頻率,寬禁帶器件能滿足這一需求。

c.惡劣工況:寬禁帶器件耐高溫(SiC:600°C,GaN:300°C),適合惡劣環(huán)境應(yīng)用。

雖然GaN器件目前存在一些與封裝有關(guān)的問題,導致它們所適用的工作溫度不能超過200°C,但專注于解決這些問題的研究正在進行中。因此,寬禁帶器件更適合可能面臨惡劣工況的電機應(yīng)用,比如混合動力電動汽車(HEV)中的集成電機驅(qū)動器、海底和井下應(yīng)用、空間應(yīng)用等。

高速器件的應(yīng)用問題

寬禁帶器件是高速器件,在應(yīng)用在電機驅(qū)動器中會碰到一些問題使用:

??繞組絕緣高開關(guān)頻率下的高速器件dv/dt高,可能導致匝間短路,需開發(fā)新型電機絕緣材料或限制電壓變化率dv/dt

? 承壽命:高開關(guān)速度增加局部放電,降低軸承壽命,如使用陶瓷涂層軸承成本就比較高。參考文章《電機軸電流與電機驅(qū)動》

??電纜長度:高開關(guān)速度導致信號反射,需使用濾波器或縮短電纜長度

器件品質(zhì)因數(shù)

白皮書評價了不同功率半導體在電機驅(qū)動中的應(yīng)用,做了品質(zhì)因數(shù)的分析和損耗比較。

??比較RDS(on)* Qrr參數(shù)時,對于具有連續(xù)硬換流的應(yīng)用(如電機驅(qū)動應(yīng)用),以及帶電流連續(xù)模式(CCM)圖騰柱和功率因數(shù)校正(PFC)的應(yīng)用,SiC和GaN器件優(yōu)于兩種硅器件。

??SiC器件尤其是GaN器件要比任一硅器件驅(qū)動損耗要低。

??然而,對于反向?qū)〒p耗,寬禁帶器件相比于硅MOSFET和硅超結(jié)器件,Vf值大幅提高,如果死區(qū)時間比較長,會對系統(tǒng)效率造成了很大的負面影響。因此,在考慮在電機驅(qū)動逆變器中使用寬禁帶器件時,死區(qū)時間是需要考慮的一個重要參數(shù),必須將該參數(shù)的值控制在盡可能低的水平。

實際開關(guān)損耗比較:

??雙脈沖試驗顯示,GaN和SiC開關(guān)損耗低于IGBT。

? 寬禁帶器件在輕載和高溫條件下表現(xiàn)更佳,但IGBT在滿載條件下?lián)p耗較低。

電機驅(qū)動系統(tǒng)案例分析

白皮書的重要部分是以實際案例分析了電機驅(qū)動器損耗和電機的高頻損耗,深入研究了不同電機轉(zhuǎn)速下高頻損耗隨開關(guān)頻率的不同而發(fā)生的變化。

結(jié)論

??相比使用硅器件,寬禁帶開關(guān)器件可使電機驅(qū)動系統(tǒng)以更高的開關(guān)頻率運行,從而可以實現(xiàn)更高的總體系統(tǒng)效率。然而,因為需要綜合考慮和權(quán)衡逆變器損耗和電機損耗,在選擇合適的開關(guān)頻率時應(yīng)當非常謹慎。

??本白皮書中給出的實驗結(jié)果表明,在較高開關(guān)頻率下的電機損耗降低,最合適的開關(guān)頻率約為20kHz。然而,對于電機軸承和繞組壽命在高開關(guān)頻率和更快電壓變化率(dv/dt)下所受的影響,還需要進行進一步分析。

??另外,更快開關(guān)頻率對低頻損耗、機械損耗和死區(qū)補償?shù)挠绊懀残枰芯?。除了幫助已有電機設(shè)計實現(xiàn)性能改進,寬禁帶器件還有可能為實現(xiàn)滿足未來能效要求的全新電機驅(qū)動器拓撲創(chuàng)造機會。而且,利用寬禁帶開關(guān)器件實現(xiàn)的未來電機設(shè)計,還可能幫助解決伴隨更高開關(guān)頻率而出現(xiàn)的問題(例如,軸承和繞組磨損等)。

英飛凌

英飛凌

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。收起

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英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。 更多信息,請訪問www.infineon.com