芯耀
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三星電子去年宣布，將投資170億美元在德克薩斯州泰勒建設半導體工廠，到2030年投資總額將達440億美元。不過，這一投資計劃減少70億美元（510.895億元人民幣）至370億美元。泰勒工廠的延誤和全球半導體需求的下降似乎產(chǎn)生了影響。
除了位于德克薩斯州泰勒的半導體生產(chǎn)工廠外，三星電子還計劃建造一座封裝工廠和一座先進的研發(fā) (R&D) 工廠。然而，由于泰勒工廠的建設最近被推遲，全球半導體市場的應對策略正在成為一項重大任務。
三星電子今年已在平澤 P3 生產(chǎn)線完成了 2 納米工藝量產(chǎn)準備工作，目標是在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。三星電子計劃通過升級2納米工藝的下一代GAA技術來增強其競爭力。此外，三星提供從半導體設計到生產(chǎn)的一站式解決方案，并正在擴大與主要客戶的合作。
最近有猜測稱，英特爾可能會跳過2納米工藝英特爾20A，直接轉向1.8納米工藝英特爾18A。這可以理解為通過優(yōu)化RibbonFET技術和PowerVia電源技術來增強競爭力的策略。Intel 18A工藝正在開發(fā)中，目標是2024年下半年到2025年初量產(chǎn)。
據(jù)了解，在日本政府和大公司的支持下，Rapidus已經(jīng)開始開發(fā)2納米工藝并準備量產(chǎn)。特別是，Rapidus正在與 IBM 合作，以確保 2 納米工藝技術并提高其競爭力，將在日本建立的2納米生產(chǎn)線計劃于2025年下半年開始試生產(chǎn)。為此，據(jù)了解，ASML的EUV光刻機將于本月導入，量產(chǎn)線預計將于2027年建成。
Rapidus旨在通過這一舉措贏得 NVIDIA 等全球客戶的青睞。目前，NVIDIA主要依賴臺積電，但由于三星電子和Rapidus也將重點發(fā)力2納米工藝，因此他們有可能尋求供應鏈多元化。
