芯耀
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1月14日，據(jù)Semiconductor Today報道，MACOM宣布了一項長期資本投資計劃，以擴大GaN產能：未來五年內，MACOM計劃投資 3.45 億美元（約合人民幣25.2億）對其位于美國馬薩諸塞州洛厄爾和北卡羅來納州達勒姆的晶圓制造設施進行現(xiàn)代化改造，從而在創(chuàng)造 350 個制造業(yè)崗位和近 60 個建筑崗位。
具體來看，馬薩諸塞州晶圓廠將進行基礎設施升級及擴建潔凈室，對現(xiàn)有的4英寸生產線進行現(xiàn)代化改造，包括砷化鎵、氮化鎵、硅和其他III-V材料，并安裝6英寸 GaN-on-SiC 產線，用于先進節(jié)點應用。
另一方面，除了基礎設施升級和擴建潔凈室，北卡羅來納州晶圓廠還將安裝6英寸產線以支持 GaN-on-SiC 射頻工藝，并組建先進的金屬有機化學氣相沉積外延生長能力。值得關注的是，2023年8月，MACOM 收購了 Wolfspeed 的 GaN-on-SiC 射頻業(yè)務，收購金額約為9億元，并預計在該筆交易完成的兩年后，MACOM 會接管 Wolfspeed 的4英寸GaN 晶圓制造工廠（位于美國北卡羅來納州）。
此次收購還包括Wolfspeed在亞利桑那州、加利福尼亞州和北卡羅來納州的射頻設計團隊和相關產品開發(fā)資產，以及加利福尼亞州和馬來西亞的后端工廠。同時MACOM 還將獲得相關知識產權組合轉讓或許可，其中包括與射頻業(yè)務相關的1400 多項專利。
除此之外，MACOM的兩座晶圓廠均為美國國防部的 1A 類可信代工廠，生產的復合半導體對于高頻運行的國防系統(tǒng)（包括機載和地面雷達系統(tǒng)）以及電信等商業(yè)應用至關重要。
而在2024年11月，MACOM還被美國國防部選中來領導一項開發(fā)項目，旨在為射頻 和微波應用建立?GaN-on-SiC?工藝技術。該項目由美國國防部與CHIPS 與科學法案資助，將專注于開發(fā)基于 GaN 的材料和單片微波集成電路的半導體制造工藝，這些工藝可在高壓和毫米波頻率下高效運行。
值的注意的是，美國商務部根據(jù)《芯片與科學法案》，將為MACOM的投資計劃提供高達1.8 億美元（約合人民幣13.19億）的支持，支持方式包括聯(lián)邦直接資助、聯(lián)邦投資稅收抵免和州政府資助，剩余約 1.65 億美元（約合人民幣12.1億）則來自于MACOM的經營現(xiàn)金流及自籌資金。
MACOM 總裁兼首席執(zhí)行官 Stephen G. Daly 表示，該計劃將增強 MACOM 的國內半導體制造能力，加速MACOM的增長戰(zhàn)略，以成為先進射頻、微波和毫米波半導體技術的行業(yè)領先供應商，并使他們能夠以領先的技術更好地服務客戶，支持現(xiàn)有和新興的國防、電信和數(shù)據(jù)中心應用。
