浪涌是每個(gè)電子
工程師設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)都需要考慮的一個(gè)問題，因?yàn)檫@關(guān)乎到
電子設(shè)備在惡劣的電
磁環(huán)境下是否能夠正常工作。
一、什么是浪涌？
圖1 EMC家族
浪涌（Surge）也叫尖峰（Spike），屬于電磁
抗干擾性能（EMS）的一種情況。在日常生活中，浪涌通常由外界環(huán)境如雷擊和內(nèi)部器件的啟停、故障等原因產(chǎn)生，會形成若干個(gè)超出設(shè)備正常工作范圍的瞬間（通常為us級別）高壓或大
電流，從而影響設(shè)備的使用壽命甚至導(dǎo)致設(shè)備故障。
為了模擬電子設(shè)備的實(shí)際抗浪涌能力，行業(yè)內(nèi)形成了一個(gè)通用的浪涌防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)：
IEC61000-4-5（GB/T17626.5）
通過浪涌發(fā)生器模擬浪涌波形，來測試設(shè)備的抗浪涌能力。IEC61000-4-5：2014版標(biāo)準(zhǔn)波形，要求浪涌發(fā)生器在未連接被測設(shè)備、無耦合/去耦合網(wǎng)絡(luò)時(shí)的輸出電壓、電流波形滿足圖2、3要求。
波頭時(shí)間：Tf=1.67*T=1.2us±30%
持續(xù)時(shí)間：Td=Tw=50us±20%
波前時(shí)間：Tf=1,25*Tr=8us±20%
持續(xù)時(shí)間：Td=1,18*Tw=20us±20%
二、什么是浪涌發(fā)生器
圖4為智能型雷擊浪涌發(fā)生器TVS 8/20的控制表盤示意圖，該儀器是嚴(yán)格按照國際電工委員會IEC頒布的IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的，具有智能化、性能穩(wěn)定、操作方便等特點(diǎn)。通過設(shè)置輸出電壓、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)模式、浪涌次數(shù)、浪涌時(shí)間間隔等參數(shù)后，即可使用。
圖4 TVS 8/20雷擊浪涌發(fā)生器
圖5 浪涌測試環(huán)境示意圖
圖6 浪涌測試環(huán)境實(shí)物圖
需要準(zhǔn)備的儀器及
硬件連接示意圖如圖5、6所示。
1. 將浪涌發(fā)生器的正、負(fù)極分別接待測設(shè)置的
電源VDD和GND
2. 用
示波器電流傳感探頭測試流經(jīng)VDD的電流，電壓探頭測試VDD處的電壓
注意：示波器的電壓探頭應(yīng)盡量靠近待測
芯片的VDD
引腳，且地線夾應(yīng)就近接地，建議用接地環(huán)測試更佳。
通常每個(gè)
電壓等級測試3次，逐步增大浪涌發(fā)生器的輸出電壓，直到芯片損壞為止。
四、常用的浪涌防護(hù)器件及選型
1. 浪涌防護(hù)器件簡介
如果遇到浪涌指標(biāo)不達(dá)要求的情況，我們可以采取下圖所示的浪涌防護(hù)，總結(jié)為：泄放為主，阻擋為輔；多級防護(hù)，逐級削弱。
圖7 浪涌防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖
常見的浪涌防護(hù)器件有：壓敏
電阻（MOV）、陶瓷
氣體放電管（GDT）、
玻璃放電管（SPG）、瞬態(tài)抑制
二極管（TVS）、靜電保護(hù)管（
ESD）、以及阻、容
元器件等。為了更加直觀的了解各個(gè)器件的特性，圖8是主流浪涌防護(hù)器件的泄流能力及相應(yīng)速度對比框圖。
圖8 浪涌防護(hù)器件的泄流能力及響應(yīng)速度框圖
浪涌器件這么多，具體該如何選呢？對于便攜式的電子設(shè)備，考慮到產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用場景、擺放空間和成本，運(yùn)用最多的就是TVS瞬態(tài)抑制二極管。
顧名思義，瞬態(tài)是指電壓或電流中的短時(shí)間尖峰，抑制是指消除異常瞬間電壓、電流信號對器件或
電路的影響，二極管是指一樣具有
PN結(jié)效應(yīng)，當(dāng)電壓超過
雪崩擊穿電壓時(shí)，就會吸收過壓的多余能量，并且在過壓狀態(tài)結(jié)束后可以自動(dòng)恢復(fù)。
圖9 單向、雙向TVS管的作用方式及V-I曲線
圖9可以初步了解到TVS管的作用方式以及主要指標(biāo)參數(shù)，如何根據(jù)這些指標(biāo)選取合適的TVS型號？
2. 確定被保護(hù)電路的最高工作電壓Vdd＞TVS管的擊穿電壓Vbr
3. 確定被保護(hù)電路的損壞電壓＜
鉗位電壓Vc
4. 確定被保護(hù)電路的信號工作頻率，選擇合適的結(jié)
電容Cj
5. 根據(jù)電源/信號抗浪涌需求選擇合適的峰值電流Ipp
6. 確定電路對靜態(tài)工作電流的需求
漏電流IR
- 其它注意事項(xiàng) -
盡量不要選存在Snapback現(xiàn)象的TVS管。Snapback的現(xiàn)象就是TVS管在被反向擊穿（VBR）后，當(dāng)電壓降到反向擊穿電壓VBR之下時(shí)，仍會存在較大的漏電流，即電壓降低電流反而增大，所以這個(gè)現(xiàn)象也稱為負(fù)阻現(xiàn)象。
圖10 TVS管的snapback現(xiàn)象
選好TVS管后如何布局layout使其效果最佳也是大有學(xué)問的，下面簡單介紹下常用的layout手法。
No.1 TVS放置在浪涌流經(jīng)的路徑上
圖11 TVS擺放示意圖
圖12 正確示例
圖13 錯(cuò)誤示例
No.2 TVS走線最短且最大面積接地
?
圖14 正確示例
圖15 錯(cuò)誤示例
3. 電容在浪涌防護(hù)中起的作用
電容基于其特性以及實(shí)際布局空間和成本考慮，電子產(chǎn)品上面一般會大量使用陶瓷電容，幾乎每顆芯片的VDD引腳處都要求要加電容，所以大家對電容的儲能濾波作用肯定深有了解。
由于電容的物理特性：電容兩端的電壓不能突變。因此也決定了電容的浪涌泄放能力必然不如TVS的。但如果和“好兄弟”TVS管組合使用，是可以起到錦上添花的作用。
根據(jù)
以及下方的等效電路（其中R=電源內(nèi)阻 Re+線損Ra+電容ESR，C為電容），
有：
將①帶入②式：
令電容初始條件t=0時(shí)，Uc=0，得到③得解為
根據(jù)方程式的解可以了解到電容的兩個(gè)作用：
1. 提供一條電流泄放路徑
2. Uc不能突變，但能平滑脈沖上升速率
實(shí)測增加電容容值后浪涌殘壓變化如下圖：
圖16 TVS+10uF的浪涌殘壓變化
圖17 TVS+10uF+22uF的浪涌殘壓變化
考慮到整機(jī)Vbat上掛的
濾波電容總?cè)葜狄话阍?00uF以上，因此對整機(jī)抗浪涌能力的提升也是有一定幫助的。
圖18 端口保護(hù)典型應(yīng)用框圖
除了通過“疏導(dǎo)”
浪涌電壓來保護(hù)設(shè)備，我們還可以采用OVP過壓保護(hù)芯片來”堵”住浪涌電壓，即輸入端電壓值超過一定值后，芯片的輸出端會被關(guān)斷，對后級電路起到保護(hù)作用。
什么是OVP呢？OVP是一類過壓保護(hù)器件，它通常被放置在系統(tǒng)輸入接口處，通過實(shí)時(shí)檢測該路徑上的電壓，并在輸入電壓超過設(shè)定閾值的情況下快速響應(yīng)，切斷電源通路，從而起到保護(hù)后級IC的目的。
保護(hù)后級IC免受輸入過壓影響的辦法有很多，比如我們可以用
MOS管來搭建
開關(guān)回路，但是OVP IC解決方案與之相比，因其具備高性價(jià)比、高集成度、高響應(yīng)速度等明顯優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用在各種場合。
艾為推出的AW329XX系列OVP芯片內(nèi)置浪涌泄放能量，從而做到以“疏”與“堵”結(jié)合的方式為系統(tǒng)提供全方位的安全防護(hù),該系列IC因其可提供寬泛的輸入電壓范圍、內(nèi)置浪涌泄放路徑、納秒級的OV響應(yīng)時(shí)間和極低的導(dǎo)通阻抗為廣大客戶所采納。
更多艾為OVP芯片介紹請回顧《【技術(shù)帖】OVP的原理和應(yīng)用概述》
圖19 AW329XX系列OVP芯片保護(hù)效果
總 結(jié)
圖20 浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)通用防護(hù)方案
圖20是浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)的通用防護(hù)方案，浪涌從輸電線引入設(shè)備，容易導(dǎo)致充電口損壞。通用的防護(hù)方案是：
1. 先由一級TVS進(jìn)行浪涌疏導(dǎo)
2. 經(jīng)過若干退耦電容后抵達(dá)OVP器件進(jìn)行浪涌阻擋
從而對后級電路起到保護(hù)作用。
以上是艾為電子對EMC浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)的歸納總結(jié)，可能實(shí)際遇到的浪涌問題更為錯(cuò)綜復(fù)雜，只要前期做好浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)的評估，后期根據(jù)浪涌的指標(biāo)選擇合適的防護(hù)器件，就一定能跨過這個(gè)難關(guān)。
芯耀
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