低功耗MCU已經(jīng)來到Cortex-M33的時代

作者 | strongerHuang

隨著物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，低功耗MCU的需求量越來越大。同時，隨著智能化的發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備對MCU的性能又要求很高。

于是，就出現(xiàn)了這樣的需求：既要低功耗，又要高性能。

在過去很長的一段時間，32位ARM內(nèi)核的低功耗MCU大多在停留在Cortex-M0，或M0+這個水平。

這些年隨著既要又要需求的出現(xiàn)，M0內(nèi)核已經(jīng)不能滿足要求了。于是，低功耗MCU開始用上了更先進的內(nèi)核，今年低功耗MCU已經(jīng)來到了Cortex-M33的時代。

單片機（Cortex-M）的ARM內(nèi)核只有10多款，早些年主流的性能單片機的內(nèi)核是M3，而如今的M33已經(jīng)遠超M3內(nèi)核了。

最近（2025-02-19），瑞薩官方發(fā)布消息：推出集成電容式觸控、段碼LCD、USB和強大安全功能的Cortex-M33內(nèi)核超低功耗MCU：RA4L1.
消息地址：

https://www.renesas.cn/zh/about/newsroom/renesas-debuts-ultra-low-power-ra4l1-mcus-capacitive-touch-segment-lcd-and-robust-security

瑞薩RA4L1單片機主打一個低功耗，當然，性能在同等低功耗水平下，也屬于“高性能”。應(yīng)用在水表、智能鎖、HMI、物聯(lián)網(wǎng)傳感器等領(lǐng)域。

低功耗特點：工作模式下的功耗為168μA/MHz；在保留所有SRAM的情況下，待機電流僅為1.70μA。

高性能特點：Arm Cortex-M33內(nèi)核，主頻高達80MHz，包含TrustZone技術(shù)。

外設(shè)資源豐富：段碼式LCD、電容式觸控、USB-FS、CAN FD、低功耗UART、SCI、SPI、QSPI、I2C、I3C、SSI、ADC、DAC、比較器、低功耗定時器、實時時鐘等。

瑞薩為RA系列MCU提供了靈活配置軟件包（FSP），也就是大家說的HAL庫（中間軟件包），可以通過 RASC工具快速生成項目工程，也可以借助官方提供的e2 stuido集成開發(fā)環(huán)境，一站式開發(fā)（生成項目、編輯代碼、編譯、下載、調(diào)試等）。

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