無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司CGD獲3,200萬美元融資，推動全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 成長

無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)近期成功完成3,200萬美元的C輪融資。本輪融資由策略投資者領(lǐng)投，英國長期資本（British Patient Capital）參投，並獲得現(xiàn)有投資方Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital（CIC）、Foresight Group和IQ Capital的大力支持。

氮化鎵（GaN）技術(shù)革新功率電子領(lǐng)域

氮化鎵（GaN）功率元件正在突破傳統(tǒng)功率電子技術(shù)的限制，相較於矽基解決方案，它具有更快的開關(guān)速度、更低的能耗和更緊湊的設(shè)計。英商劍橋氮化鎵器件有限公司(CGD) 自研的單晶片ICeGaN?技術(shù)簡化了GaN元件在現(xiàn)有和新興設(shè)計的應(yīng)用，也將效率水準(zhǔn)提升至99%以上，可為電動車和數(shù)據(jù)中心電源等高功率應(yīng)用節(jié)省50%的能源。這項創(chuàng)新技術(shù)可望每年減少數(shù)百萬噸的二氧化碳排放，並憑藉ICeGaN?技術(shù)固有的易用性，為全球進(jìn)一步邁向永續(xù)能源系統(tǒng)提供強勁動力。

Giorgia Longobardi 博士 | GGD創(chuàng)辦人兼執(zhí)行長（CEO）

「本輪融資對CGD而言是一個里程碑式的突破，證明了市場對我們技術(shù)和願景的高度認(rèn)可。我們將繼續(xù)推動高能效氮化鎵（GaN）解決方案變革及功率電子行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。現(xiàn)在我們已準(zhǔn)備加速成長，大幅降低多個領(lǐng)域的能源消耗。我們期待與策略投資者合作，進(jìn)一步拓展汽車市場?！?/p>

市場機(jī)遇與成功實踐

全球氮化鎵（GaN）功率元件市場預(yù)計將以41%的年複合成長率（CAGR）高速成長，到2029年市場規(guī)模將達(dá)到20億美元1。同時，ICeGaN?技術(shù)將成為碳化矽（SiC）解決方案的可行替代方案，它結(jié)合了高能源效率、小型化和單晶片整合的智慧功能。這將使CGD在2029年有機(jī)會進(jìn)入超過100億美元的高功率市場1。憑藉其領(lǐng)先的技術(shù)和市場領(lǐng)導(dǎo)地位，CGD已做好充分準(zhǔn)備迎接市場的快速擴(kuò)張。 CGD已成功獲得業(yè)界領(lǐng)先客戶的青睞，並持續(xù)展現(xiàn)出其提供可靠且具影響力解決方案的能力，推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。

Henryk Dabrowski | CGD全球銷售資深副總裁

“我很高興看到這筆融資能支持我們更快地交付已簽署客戶訂單的最新一代P2產(chǎn)品。這項融資將大大提升我們的能力，並滿足市場對高可靠且易用的GaN解決方案快速增長的需求?！?/p>

全球擴(kuò)張與未來願景

憑藉全球?qū)＜覉F(tuán)隊、數(shù)十年的研究經(jīng)驗以及持續(xù)創(chuàng)新的氮化鎵GaN技術(shù)，CGD將持續(xù)提供能提升日常電子產(chǎn)品性能的解決方案。隨著全球電氣化和永續(xù)發(fā)展進(jìn)程的加快，CGD在GaN技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位為降低能源消耗和成本，減少環(huán)境影響提供了路徑。透過打造高效、小巧且高效能的功率元件，CGD正在為永續(xù)功率電子產(chǎn)業(yè)樹立新標(biāo)準(zhǔn)。

本輪融資將協(xié)助CGD在英國劍橋、北美、臺灣和歐洲其他區(qū)域拓展業(yè)務(wù)，並向不斷成長的客戶提供獨特的價值主張。這筆重要的融資將推動CGD成長，專注於持續(xù)向高功率工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和汽車市場提供高效GaN產(chǎn)品。

John Pearson | Parkwalk Advisors 首席投資官

「CGD正處於技術(shù)前沿，能有效降低人工智慧和電動車等高速成長產(chǎn)業(yè)能源消耗。CGD擁有巨大的全球潛力和廣泛的應(yīng)用前景，這將推動公司持續(xù)創(chuàng)新和成長。自2019年以來，我們一直支持CGD，很高興能與這樣一支優(yōu)秀的團(tuán)隊及其他投資者合作，加速其全球擴(kuò)張?！?/p>

George Mills | British Patient Capital 深科技部門董事、直接投資與共同投資負(fù)責(zé)人

「經(jīng)過多年研究，CGD已經(jīng)成功驗證了其半導(dǎo)體技術(shù)的影響力。與傳統(tǒng)的矽基裝置相比，他們的氮化鎵（GaN）裝置能耗更低，既降低了成本，又對環(huán)境帶來了積極影響。這是一項極具價值的技術(shù)，現(xiàn)在需要長期資本來實現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展?！?/p>

1 2024年碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率化合物半導(dǎo)體市場監(jiān)測－Yole Intelligencewww.camgandevices.com